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IFWS&SSLCHINA2025
2025先進半導體技術應用創(chuàng)新展(CASTAS2025)
北方華創(chuàng)
2025新一代半導體晶體材料技術及應用大會
2025云南晶體大會前瞻|南京大學修向前:氮化鎵襯底生長工藝及設備技術研究
2025晶體大會前瞻|云南大學王茺:GaSb基異質薄膜的磁控濺射生長機理及其光電探測性能研究
廈門大學&廈門市未來顯示技術研究院團隊基于氮化物表面電子態(tài)演化開發(fā)出Micro LED側壁鈍化新方法
2025云南晶體大會前瞻|中國科學院半導體研究所楊曉光:硅基III-V族材料外延及異質集成研究進展
2025云南晶體大會前瞻| 昆明理工大學鄧家云:磷化銦晶圓力學性能與加工性能研究
2025云南晶體大會前瞻| 中國電子信息產業(yè)發(fā)展研究院解楠:氮化鋁寬禁帶材料發(fā)展現狀及技術演進趨勢研究
西電郝躍院士團隊張進成教授、寧靜教授在金剛石基氧化鎵熱管理領域 取得突破性進展
第五屆紫外LED大會暨長治LED產業(yè)發(fā)展座談會開幕
會議通知 | 2025新一代半導體晶體材料技術及應用大會將于9月云南舉辦!
征文延期通知| IFWS & SSLCHINA 2025 征文進行時, IEEE收錄+EI檢索!
1200V全垂直硅基氮化鎵MOSFET
自主突破,九峰山實驗室首發(fā)6英寸InP激光器與探測器外延工藝
日程更新| 第五屆紫外LED大會暨長治LED產業(yè)發(fā)展座談會8月27-29日召開
詳細日程出爐!第五屆紫外LED大會暨長治LED產業(yè)發(fā)展座談會8月27-29日召開
第六屆全國寬禁帶半導體學術會議勝利閉幕
第六屆全國寬禁帶半導體學術會議在大連開幕
國際首發(fā)!深圳平湖實驗室研制8英寸4°傾角4H-SiC上高質量GaN外延
九峰山實驗室新型SiC Trench MOSFET科研級器件樣品發(fā)布!
第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯盟
  • 北大王瑋教授團隊在芯片熱管理領域取得進展

  • 清華發(fā)布新Nature,實現光電融合新突破!

SEMI-e深圳國際半導體展暨2025集成電路產業(yè)創(chuàng)新展
第十一屆國際第三代半導體論壇
半導體產業(yè)網視頻頻道
  • 半導體2024年三季度投融市場報告

  • 詳解光刻巨人ASML成功之奧妙

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CSE九峰山論壇期待與您2026再會!
SEMI-e深圳國際半導體展暨2025集成電路產業(yè)創(chuàng)新展
CHInano 2025 第十五屆中國國際納米技術產業(yè)博覽會
熊貓簽證國內獨家全流程辦簽平臺!——麥肯橋專屬優(yōu)惠

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