近日，九峰山實(shí)驗(yàn)室（JFS Laboratory）推出新型SiC Trench MOSFET科研級(jí)器件樣品，旨在滿足產(chǎn)業(yè)及科研機(jī)構(gòu)對(duì)具有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的SiC溝槽新型器件的測(cè)試、分析及應(yīng)用探索需求，進(jìn)一步推動(dòng)下一代碳化硅溝槽型MOSFET功率器件的產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

 此次推出的科研樣品分為兩種IP結(jié)構(gòu)：

1、SiC膠囊溝槽MOSFET科研樣品

基于九峰山實(shí)驗(yàn)室完全自主IP的SiC膠囊型溝槽MOSFET結(jié)構(gòu)，結(jié)合優(yōu)化設(shè)計(jì)的新型終端技術(shù)，提供高可靠性SiC Trench MOSFET。核心專利包括CN114141627A、CN114464680A、CN114883412A等。

規(guī)格：BV≥1400 V，60~80 mΩ，可為客戶提供bare die （有源區(qū)面積約3.35mm*3.35mm）或者TO-247 3 pin封裝形式的器件，適用于特定測(cè)試及應(yīng)用場(chǎng)景。10~40 mΩ器件正在流片中，可接受定制化開發(fā)。

元胞結(jié)構(gòu)

終端結(jié)構(gòu)

（左）阻斷特性（右）導(dǎo)通特性 

2、SiC周期性兩側(cè)深掩蔽溝槽MOSFET科研樣品

基于九峰山實(shí)驗(yàn)室完全自主IP的SiC雙側(cè)深掩蔽溝槽MOSFET結(jié)構(gòu)，已通過HTGB、H3TRB，HTRB可靠性檢測(cè)。核心專利包括：CN118472041B、CN119486224A、CN119997569A、CN119342864B等。

元胞結(jié)構(gòu)

（左）阻斷特性（右）導(dǎo)通特性

規(guī)格：BV≥1400 V，20~80 mΩ，Ronsp~ 2-2.4mOhm.cm2；可為客戶提供bare die（有源區(qū)面積約3.35mm*3.35mm）和TO-247 3 pin封裝形式的器件，適用于特定測(cè)試及應(yīng)用場(chǎng)景。16mΩ以下芯片（有源區(qū)面積約5mm*5mm）正在流片中，可接受定制化開發(fā)； 

3、TO247封裝科研樣品數(shù)據(jù)及可靠性測(cè)試

科研樣品都經(jīng)過電性能篩選測(cè)試，及第三方可靠性摸底1000Hrs測(cè)試。采用TO-247 3 pin封裝形式器件（有源區(qū)面積約3.35mm*3.35mm）的電性能實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)如下：

1000h HTGB測(cè)試結(jié)果

1000h H3TRB測(cè)試結(jié)果 

咨詢及購買聯(lián)系方式：wangkuan@jfslab.com.cn