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基本半導(dǎo)體與東芝達(dá)成戰(zhàn)略合作

日期:2025-08-29 閱讀:233
核心提示:日前,深圳基本半導(dǎo)體股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱基本半導(dǎo)體)與東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(以下簡(jiǎn)稱東芝電子元件)正式簽署戰(zhàn)

 日前,深圳基本半導(dǎo)體股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“基本半導(dǎo)體”)與東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(以下簡(jiǎn)稱“東芝電子元件”)正式簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議。通過將雙方擁有的先進(jìn)碳化硅及IGBT芯片技術(shù),與高性能、高可靠性功率模塊技術(shù)相結(jié)合,為全球車載及工業(yè)市場(chǎng)提供更具競(jìng)爭(zhēng)力的功率半導(dǎo)體解決方案。

 


 

 

 

 

深圳基本半導(dǎo)體股份有限公司 總經(jīng)理 和巍?。▓D左)

東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社 董事、副總裁 栗原紀(jì)泰(圖右)

出席簽約儀式

 

 

 

 

作為全球半導(dǎo)體領(lǐng)域領(lǐng)先企業(yè),東芝電子元件的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品具備高功率密度與質(zhì)量穩(wěn)定性,有助于提高功率轉(zhuǎn)換效率,減少環(huán)境負(fù)荷。其中,東芝電子元件的碳化硅MOSFET兼具低導(dǎo)通電阻和高可靠性,IGBT具有大電流和高可靠性特點(diǎn),兩者都擁有豐富的應(yīng)用案例?;景雽?dǎo)體是中國(guó)碳化硅功率半導(dǎo)體行業(yè)標(biāo)桿企業(yè),在碳化硅芯片及功率模塊技術(shù)上具備核心優(yōu)勢(shì),成功開發(fā)了多個(gè)系列的車規(guī)級(jí)和工業(yè)級(jí)碳化硅功率模塊,產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于新能源汽車和光伏儲(chǔ)能等領(lǐng)域。

此次戰(zhàn)略合作,雙方將圍繞功率半導(dǎo)體技術(shù)研發(fā)、產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同及市場(chǎng)應(yīng)用展開深度合作,通過聯(lián)合研發(fā)突破關(guān)鍵技術(shù)瓶頸,共同開發(fā)更高性能、更高可靠性的功率模塊產(chǎn)品,滿足客戶多樣化需求,推動(dòng)功率半導(dǎo)體在全球新能源汽車、工業(yè)領(lǐng)域的創(chuàng)新應(yīng)用。此外,雙方還將探索多元合作模式,以構(gòu)建可持續(xù)社會(huì)為目標(biāo),推動(dòng)雙方業(yè)務(wù)協(xié)同增長(zhǎng),為應(yīng)對(duì)全球氣候變暖貢獻(xiàn)產(chǎn)業(yè)力量。

(來源:基本半導(dǎo)體)

 

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