近日，英諾賽科宣布第三代700V GaN增強型氮化鎵功率器件系列全面上市。該系列憑借更小尺寸、更快開關速度、更高效率的顯著優(yōu)勢，在關鍵性能指標上實現突破性進展，為電源系統(tǒng)設計樹立新標桿。

第三代700V GaN相較于Gen2.5來說，核心性能得到大幅躍升，通過先進的工藝優(yōu)化與結構創(chuàng)新，顯著提升硅片利用率，芯片面積縮減30%，助力實現更高功率密度；設計開關性能提升20-30%，電容降低20-30%，有效降低開關損耗與驅動損耗，顯著提升系統(tǒng)整體效率；熱性能優(yōu)化，在同等應用條件下，芯片殼溫可降低3-6°C，大幅增強系統(tǒng)長期運行可靠性。

其中，采用TO252封裝的旗艦型號INN700TK100E，突破了傳統(tǒng)TO252封裝器件的性能極限，可高效支持高達500W的應用功率等級。得益于更低的導通電阻(Ron)和開關損耗，第三代700V GaN系列為PD快充/適配器 (尤其高功率)、LED照明驅動電源、智能家電電源、數據中心服務器電源、工業(yè)開關電源(SMPS)等應用領域帶來更高效率、更小尺寸的解決方案。

“第三代700V GaN通過實質性的核心參數優(yōu)化，整體提升系統(tǒng)能效，并提供與現有方案兼容的標準封裝和平滑升級路徑，為電源設計工程師提供了創(chuàng)新的高性能解決方案，是實現更高功率密度、更高系統(tǒng)效率設計目標的理想選擇。”英諾賽科相關負責人介紹。

英諾賽科是全球領先的第三代半導體高新技術企業(yè)，致力于硅基氮化鎵 (GaN-on-Si) 的研發(fā)與制造，公司擁有全球最大規(guī)模的8英寸硅基氮化鎵晶圓生產基地，產品設計及性能處于國際先進水平。公司氮化鎵產品用于各種低中高壓應用場景，產品研發(fā)范圍覆蓋15V至1200V，涵蓋晶圓、分立器件、IC、模組，并為客戶提供全氮化鎵解決方案。成立至今，英諾賽科擁有近700項專利及專利申請，產品可廣泛應用于消費電子、可再生能源及工業(yè)應用、汽車電子及數據中心等前沿領域。