5月23-24日，2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議（CSPSD 2025）在南京舉辦。會(huì)議圍繞寬禁帶碳化硅和氮化鎵為代表的高壓及低壓等電力電子器件、功率集成電路、封裝等產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)中的諸多關(guān)鍵問題，多方優(yōu)勢(shì)力量強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合，專家齊聚，攜手促進(jìn)功率半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同發(fā)展。

 從硅到寬禁帶半導(dǎo)體材料，不斷提升性能和應(yīng)用范圍，推動(dòng)半導(dǎo)體行業(yè)的不斷進(jìn)步。技術(shù)創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)性能迭代，國(guó)產(chǎn)碳化硅器件的市場(chǎng)應(yīng)用也已從單一領(lǐng)域向多行業(yè)擴(kuò)展，碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈正加速國(guó)產(chǎn)化替代進(jìn)程，展現(xiàn)出強(qiáng)勁的發(fā)展?jié)摿褪袌?chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。隨著材料科學(xué)和制造工藝的持續(xù)進(jìn)步，功率半導(dǎo)體器件將進(jìn)一步邁向高性能、高可靠性的境界。GaN和SiC材料的應(yīng)用將更加廣泛。 

 氮化鎵作為第三代半導(dǎo)體的核心材料之一，憑借大禁帶寬度、高電子遷移率和良好熱導(dǎo)率等諸多優(yōu)異特性，在功率器件領(lǐng)域正展現(xiàn)出前所未有的巨大應(yīng)用潛力。特別是在新能源汽車和AI數(shù)據(jù)中心等前沿領(lǐng)域，氮化鎵技術(shù)已成為實(shí)現(xiàn)電能高效轉(zhuǎn)換的關(guān)鍵突破口。與此同時(shí)，超寬禁帶功率器件作為新一代半導(dǎo)體技術(shù)的核心方向，憑借其大禁帶寬度、高擊穿電場(chǎng)、低能耗等優(yōu)勢(shì)在多個(gè)高精尖領(lǐng)域有巨大應(yīng)用潛力，發(fā)展備受關(guān)注，器件性能、關(guān)鍵技術(shù)等在不斷進(jìn)步。 

  5月22-24日，2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議（CSPSD 2025）將于南京舉辦。會(huì)議設(shè)有開幕大會(huì)&主旨報(bào)告以及4個(gè)平行論壇，將覆蓋晶圓造、芯片設(shè)計(jì)、芯片加工、模塊封裝、測(cè)試分析、軟件工具、設(shè)備制造、整機(jī)應(yīng)用等產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)。累計(jì)超60位嘉賓&報(bào)告人參與分享，目前詳細(xì)日程出爐！

 5月22-24日， “2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議（CSPSD 2025）”將于南京舉辦。會(huì)議設(shè)有開幕大會(huì)&主旨報(bào)告，以及硅及寬禁帶半導(dǎo)體材料、器件及集成應(yīng)用，超寬禁帶材料、器件及集成應(yīng)用，功率集成交叉與應(yīng)用，先進(jìn)封裝與異構(gòu)集成等4個(gè)平行論壇，將覆蓋晶圓造、芯片設(shè)計(jì)、芯片加工、模塊封裝、測(cè)試分析、軟件工具、設(shè)備制造、整機(jī)應(yīng)用等產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)。截至目前，已確認(rèn)累計(jì)超60位嘉賓&報(bào)告人參與分享，目前詳細(xì)日程出爐！詳情如下：

2025年5月22-24日，“2025中國(guó)功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議 （CSPSD 2025)”將在中國(guó)南京舉辦。會(huì)議設(shè)有開幕大會(huì)&主旨報(bào)告，以及硅及寬禁帶半導(dǎo)體材料、器件及集成應(yīng)用，超寬禁帶材料、器件及集成應(yīng)用，功率集成交叉與應(yīng)用，先進(jìn)封裝與異構(gòu)集成等4個(gè)平行論壇，將覆蓋晶圓造、芯片設(shè)計(jì)、芯片加工、模塊封裝、測(cè)試分析、軟件工具、設(shè)備制造、整機(jī)應(yīng)用等產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)。目前最新報(bào)告嘉賓公布，會(huì)議詳情如下：

 β-Ga₂O₃在材料方面優(yōu)越的特性使其在電力電子器件等諸多領(lǐng)域有著重要的應(yīng)用價(jià)值。但在功率器件應(yīng)用中β-Ga₂O₃材料仍然存在著p型β-Ga₂O₃材料的研究沒有獲得有效的進(jìn)展，且理論預(yù)測(cè)其p型摻雜難以實(shí)現(xiàn)，以及熱導(dǎo)率較低等問題需要解決。

 屆時(shí)，南京郵電大學(xué)副教授將受邀出席會(huì)議，并帶來(lái)《智能TCAD技術(shù)—AI賦能微納電子器件的仿真、建模與設(shè)計(jì)》的主題報(bào)告，將分享最新研究進(jìn)展與成果，敬請(qǐng)關(guān)注！ 

 上海大學(xué)微電子學(xué)院副教授任開琳將受邀出席會(huì)議，并帶來(lái)《E型GaN HEMT和pFET的穩(wěn)定性增強(qiáng)研究》的主題報(bào)告，將分享最新研究進(jìn)展與成果，敬請(qǐng)關(guān)注！ 

 東南大學(xué)副教授魏家行將受邀出席會(huì)議，并帶來(lái)《碳化硅功率MOSFET關(guān)鍵技術(shù)新進(jìn)展》的主題報(bào)告，報(bào)告將從產(chǎn)品結(jié)構(gòu)、制造工藝、可靠性、典型應(yīng)用等方面出發(fā)，介紹當(dāng)下SiC功率MOSFET器件關(guān)鍵技術(shù)的最新進(jìn)展，并對(duì)未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì)做出展望，敬請(qǐng)關(guān)注！ 

 屆時(shí)，復(fù)旦大學(xué)智能機(jī)器人與先進(jìn)制造創(chuàng)新學(xué)院副教授劉盼將受邀出席會(huì)議，并帶來(lái)《1200V IGBT與SiC MOSFET的短路性能對(duì)比研究》的主題報(bào)告，將分享最新研究進(jìn)展，敬請(qǐng)關(guān)注！

 屆時(shí)，中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)教授楊樹將受邀出席會(huì)議，并帶來(lái)《高壓低阻垂直型GaN功率電子器件研究》的主題報(bào)告，將分享最新研究進(jìn)展，敬請(qǐng)關(guān)注！ 

 西安電子科技大學(xué)副校長(zhǎng)張進(jìn)成將受邀出席會(huì)議，并帶來(lái)《鎵系半導(dǎo)體功率器件研究進(jìn)展》的大會(huì)報(bào)告，將分享最新研究進(jìn)展，敬請(qǐng)關(guān)注！

 東南大學(xué)集成電路學(xué)院教授劉斯揚(yáng)將受邀出席會(huì)議，并帶來(lái)《功率半導(dǎo)體集成技術(shù)研究進(jìn)展》的大會(huì)報(bào)告，將分享最新研究進(jìn)展，敬請(qǐng)關(guān)注！

 香港大學(xué)教授張宇昊將受邀出席會(huì)議，并帶來(lái)《GaN和Ga2O3中的多維器件：超結(jié)、多溝道和FinFET》的主題報(bào)告，將分享最新研究進(jìn)展，敬請(qǐng)關(guān)注！ 

 英諾賽科（蘇州）半導(dǎo)體有限公司產(chǎn)品應(yīng)用經(jīng)理孟無(wú)忌將受邀出席會(huì)議，并帶來(lái)《Inno GaN“上車”之路——氮化鎵在電動(dòng)汽車中應(yīng)用方案與優(yōu)勢(shì)》的主題報(bào)告，將分享最新研究進(jìn)展，敬請(qǐng)關(guān)注！ 

 電子科技大學(xué)集成電路科學(xué)與工程學(xué)院  教授/博導(dǎo)明鑫將受邀出席論壇，并帶來(lái)《面向AI服務(wù)器電源的低壓GaN驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)》的大會(huì)報(bào)告，報(bào)告將重點(diǎn)圍繞低壓GaN的驅(qū)動(dòng)應(yīng)用展開討論，敬請(qǐng)關(guān)注！

 山東大學(xué)新一代半導(dǎo)體材料研究院研究員、博士生導(dǎo)師、泰山學(xué)者特聘專家，山東大學(xué)仲英青年學(xué)者彭燕將受邀出席論壇，并帶來(lái)《基于金剛石/碳化硅新型異質(zhì)散熱結(jié)構(gòu)的器件應(yīng)用研究》的大會(huì)報(bào)告，將分享最新研究成果，敬請(qǐng)關(guān)注！

 中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)研究員徐光偉將受邀出席會(huì)議，并帶來(lái)《  基于摻雜調(diào)控和缺陷工程的氧化鎵功率器件研究》的主題報(bào)告，基于氧化鎵（β-Ga₂O₃）的功率器件研究近年來(lái)圍繞摻雜調(diào)控與缺陷工程取得顯著進(jìn)展，報(bào)告將分享最新研究成果，敬請(qǐng)關(guān)注！

 浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院研究員王珩宇將受邀出席論壇，并帶來(lái)《碳化硅功率器件空間電荷補(bǔ)償技術(shù)》的大會(huì)報(bào)告，將探討碳化硅器件中電荷補(bǔ)償技術(shù)的實(shí)現(xiàn)路徑、關(guān)鍵挑戰(zhàn)和研究進(jìn)展，敬請(qǐng)關(guān)注！

 中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所研究員蘭飛飛將受邀出席論壇，并帶來(lái)《金剛石材料研究進(jìn)展》的大會(huì)報(bào)告，分享最新研究成果，敬請(qǐng)關(guān)注！

 揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司功率器件事業(yè)部副總經(jīng)理施俊將受邀出席論壇，并帶來(lái)《SiC功率器件的技術(shù)發(fā)展和應(yīng)用，面臨挑戰(zhàn)和未來(lái)趨勢(shì)》的大會(huì)報(bào)告，分享最新趨勢(shì)，敬請(qǐng)關(guān)注！

 北京國(guó)聯(lián)萬(wàn)眾半導(dǎo)體科技有限公司總經(jīng)理助理王川寶將受邀出席論壇，并帶來(lái)《SiC電力電子芯片技術(shù)與SiC基GaN射頻芯片技術(shù)進(jìn)展》的大會(huì)報(bào)告，國(guó)聯(lián)萬(wàn)眾主要在晶圓加工和模塊封裝測(cè)試進(jìn)行布局，具備完善的6英寸SiC功率芯片量產(chǎn)生產(chǎn)線，8英寸芯片研發(fā)線也將在2025年第四季度完成升級(jí)通線。

 北京智慧能源研究院功率半導(dǎo)體研究所測(cè)試研究室主任陳中圓將受邀出席論壇，并帶來(lái)《基于正向壓降表征的碳化硅MOSFET結(jié)溫測(cè)量方法研究》的大會(huì)報(bào)告，分享最新研究成果，敬請(qǐng)關(guān)注！

 鎵和半導(dǎo)體董事長(zhǎng)、南京郵電大學(xué)教授唐為華將受邀出席論壇，并帶來(lái)《超寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵材料與器件研究進(jìn)展》的大會(huì)報(bào)告，分享最新研究成果，敬請(qǐng)關(guān)注！

 南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院，教授/副院長(zhǎng)陳敦軍將受邀出席論壇，并帶來(lái)《p-NiO/AlGaN/GaN HEMT功率器件及其載流子輸運(yùn)與調(diào)控》的主題報(bào)告，分享最新研究成果，敬請(qǐng)關(guān)注！

 山東大學(xué)集成電路學(xué)院/晶體材料全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室教授、博士生導(dǎo)師劉超將受邀出席論壇，并帶來(lái)《1.5 kV全垂直GaN-on-Si功率MOSFET》的主題報(bào)告，分享最新研究成果，敬請(qǐng)關(guān)注！

 電子科技大學(xué)教授章文通將受邀出席論壇，并帶來(lái)《基于電荷場(chǎng)調(diào)制機(jī)理的高溫高壓車規(guī)SOI超結(jié)BCD技術(shù)》的主題報(bào)告。分享最新研究成果，敬請(qǐng)關(guān)注！

 九峰山實(shí)驗(yàn)室功率器件負(fù)責(zé)人、碳化硅首席專家袁俊將受邀出席論壇，并帶來(lái)《新型多級(jí)溝槽氧化鎵功率器件的研究》的主題報(bào)告。

 南京氮矽科技有限公司/總經(jīng)理羅鵬將受邀出席論壇，并帶來(lái)《集成驅(qū)動(dòng)氮化鎵芯片的必要性與發(fā)展趨勢(shì)》的主題報(bào)告。

 深圳大學(xué)功率半導(dǎo)體器件及AI能源監(jiān)測(cè)工程技術(shù)研究所所長(zhǎng)，材料學(xué)院、射頻異質(zhì)異構(gòu)集成全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)研究員劉新科將受邀出席論壇，并帶來(lái)《低成本GaN基GaN功率器件》的主題報(bào)告。

 南京第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心有限公司研發(fā)總監(jiān)李士顏將受邀出席論壇，并帶來(lái)《新一代SiC功率MOSFET產(chǎn)品研制進(jìn)展》的主題報(bào)告。報(bào)告將介紹國(guó)際上SiC電力電子芯片及模塊的研究現(xiàn)狀及趨勢(shì)

 江蘇超芯星半導(dǎo)體有限公司創(chuàng)始人兼董事長(zhǎng)劉欣宇將受邀出席論壇，并帶來(lái)《破界·賦能·引領(lǐng)——化學(xué)氣相法碳化硅襯底技術(shù)創(chuàng)新開啟未來(lái)產(chǎn)業(yè)新紀(jì)元》的主題報(bào)告，敬請(qǐng)關(guān)注！

 中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所研究員程新紅將受邀出席論壇，并帶來(lái)《寬禁帶半導(dǎo)體3D集成技術(shù)》的主題報(bào)。報(bào)告將圍繞材料異質(zhì)集成、器件3D集成與功能模塊3D集成三大方向展開分析，分享最新研究成果，敬請(qǐng)關(guān)注！

 西安電子科技大學(xué)教授趙勝雷將受邀出席論壇，并帶來(lái)《GaN HEMT器件擊穿機(jī)理多維度分析與探討》的主題報(bào)告，分享最新研究成果，敬請(qǐng)關(guān)注！

 西安電子科技大學(xué)集成電路學(xué)部/教授、芯豐澤半導(dǎo)體創(chuàng)始人宋慶文將受邀出席論壇，并帶來(lái)《高性能SiC功率器件關(guān)鍵技術(shù)研究進(jìn)展》的主題報(bào)。介紹高性能平面和Trench 柵型SiC功率MOSFET等代表性器件的現(xiàn)狀和最新進(jìn)展，討論高性能SiC功率器件關(guān)鍵性能提升和可靠性等方面熱點(diǎn)問題，敬請(qǐng)關(guān)注！

江南大學(xué)教授/博導(dǎo)黃偉將受邀出席論壇，并帶來(lái)《高性能宇航級(jí)SGT功率器件與輻照模型研究》的主題報(bào)告，將聚焦宇航電子領(lǐng)域?qū)Ω呖煽抗β势骷钠惹行枨?，分享相關(guān)最新研究成果，敬請(qǐng)關(guān)注！

 濟(jì)南大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院，系主任張春偉將受邀出席論壇，并分享《場(chǎng)板技術(shù)中的電場(chǎng)調(diào)制機(jī)制：基于電荷的視角》的主題報(bào)告，從電荷的角度研究場(chǎng)板的工作機(jī)理，提高場(chǎng)板技術(shù)的效果，分享最新研究成果，敬請(qǐng)關(guān)注！

 工業(yè)和信息化部電子第五研究所高級(jí)工程師施宜軍將受邀出席論壇，并分享《P-GaN HEMT柵極ESD魯棒性及改進(jìn)方法》的主題報(bào)告，分享最新研究成果，敬請(qǐng)關(guān)注！

 南京大學(xué)副研究員周峰將受邀出席論壇，并分享《氮化鎵功率器件輻射效應(yīng)與加固技術(shù)研究》的主題報(bào)告，分享最新研究成果以及思路探索，敬請(qǐng)關(guān)注！

 南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院副院長(zhǎng)、教授葉建東將受邀出席論壇，并分享《氧化鎵異質(zhì)結(jié)構(gòu)與器件》的主題報(bào)告，將介紹南京大學(xué)團(tuán)隊(duì)在氧化鎵超寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件方面的研究進(jìn)展，同時(shí)展望超寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域的關(guān)鍵挑戰(zhàn)，敬請(qǐng)關(guān)注！

 上海新微半導(dǎo)體有限公司總經(jīng)理王慶宇將受邀出席論壇，并分享《氮化鎵賦能未來(lái)：突破功率極限，開啟能效革命》的主題報(bào)告，將聚焦于 GaN 在能效提升進(jìn)程中的關(guān)鍵角色，深度剖析如何借助這一技術(shù)，開啟各類終端應(yīng)用能源管理的革新之旅敬請(qǐng)關(guān)注！

 愛發(fā)科（蘇州）技術(shù)研究開發(fā)有限公司研究員王鶴鳴將受邀出席論壇，并分享《面向功率器件制造的先進(jìn)離子注入解決方案的集成工藝與創(chuàng)新》的主題報(bào)告，敬請(qǐng)關(guān)注！

 北京昕感科技（集團(tuán)）副總、功率模塊事業(yè)部負(fù)責(zé)人李道會(huì)將受邀出席論壇，并分享《面向車規(guī)應(yīng)用的功率之”芯”SiC及封裝技術(shù)挑戰(zhàn)》的主題報(bào)告，敬請(qǐng)關(guān)注！

 北京大學(xué)研究員、博士生導(dǎo)師魏進(jìn)將受邀出席論壇，并分享《GaN功率器件動(dòng)態(tài)電阻與動(dòng)態(tài)閾值電壓》的主題報(bào)告，將討論抑制動(dòng)態(tài)電阻漂移的主要手段及一種新型思路，并將探討動(dòng)態(tài)閾值電壓對(duì)電路可靠性帶來(lái)的巨大挑戰(zhàn)及其解決方案等內(nèi)容，敬請(qǐng)關(guān)注！

 廣東工業(yè)大學(xué)副教授周賢達(dá)將受邀出席論壇，并分享《功率MOSFET的非嵌位感性開關(guān)》的主題報(bào)告，敬請(qǐng)關(guān)注！

 通富微電子股份有限公司/通富研究院Power技術(shù)中心負(fù)責(zé)人邢衛(wèi)兵受邀將出席論壇，并分享《新能源時(shí)代半導(dǎo)體封測(cè)技術(shù)與趨勢(shì)》的主題報(bào)告，將圍繞汽車半導(dǎo)體封裝趨勢(shì)等分享探討。敬請(qǐng)關(guān)注！

 熾芯微電子科技（蘇州）有限公司董事長(zhǎng)&總經(jīng)理朱正宇受邀將出席論壇，并分享《功率器件封裝技術(shù)的發(fā)展及展望》的主題報(bào)告，將分享涉及散熱性能、可靠性、智能化等相關(guān)最新趨勢(shì)，敬請(qǐng)關(guān)注！

 中國(guó)科學(xué)院微電子研究所，研究員黃森將受邀出席論壇，并分享《高可靠GaN基MIS-HEMT功率器件與集成》的主題報(bào)告。報(bào)告將詳細(xì)介紹如何提高自主超薄勢(shì)壘AlGaN(<6 nm)/GaN增強(qiáng)型MIS-HEMT的可靠性，同時(shí)探討其與GaN基功率和驅(qū)動(dòng)控制電路集成的可行性，敬請(qǐng)關(guān)注！

 電子科技大學(xué)，教授喬明將受邀出席論壇，并分享《用于XPU供電的DrMOS器件發(fā)展趨勢(shì)與技術(shù)挑戰(zhàn)》的主題報(bào)告。報(bào)告將面向DrMOS的發(fā)展趨勢(shì)與技術(shù)挑戰(zhàn)，分析DrMOS中核心的硅基功率分立器件、集成器件以及第三代半導(dǎo)體氮化鎵的電學(xué)特性，探討載流子濃度、遷移率、寄生電容等參數(shù)的折衷關(guān)系，延續(xù)摩爾定律在高頻、高效與高可靠功率器件及集成技術(shù)領(lǐng)域的發(fā)展。敬請(qǐng)關(guān)注。 

 江蘇超芯星半導(dǎo)體有限公司將亮相此次會(huì)議。屆時(shí)，超芯星半導(dǎo)體創(chuàng)始人兼董事長(zhǎng)劉欣宇將受邀出席會(huì)議，并帶來(lái)《破界·賦能·引領(lǐng)——化學(xué)氣相法碳化硅襯底技術(shù)創(chuàng)新開啟未來(lái)產(chǎn)業(yè)新紀(jì)元》的主題報(bào)告！值此，誠(chéng)摯邀請(qǐng)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)同仁共聚盛會(huì)，蒞臨展位參觀交流、洽談合作。 

 蘇州鎵和半導(dǎo)體有限公司作為協(xié)辦單位將亮相會(huì)議。屆時(shí)，鎵和半導(dǎo)體董事長(zhǎng)、南京郵電大學(xué)唐為華教授將受邀出席論壇，并帶來(lái)《超寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵材料與器件研究進(jìn)展》的大會(huì)報(bào)告。值此，誠(chéng)摯邀請(qǐng)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)同仁共聚盛會(huì)，蒞臨展位參觀交流、洽談合作。

 揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司作為協(xié)辦單位將亮相此次會(huì)議。屆時(shí)，揚(yáng)杰科技功率器件事業(yè)部副總經(jīng)理施俊將受邀出席會(huì)議，并帶來(lái)《SiC功率器件的技術(shù)發(fā)展和應(yīng)用，面臨挑戰(zhàn)和未來(lái)趨勢(shì)》的大會(huì)報(bào)告！值此，誠(chéng)摯邀請(qǐng)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)同仁共聚論壇，蒞臨展位參觀交流、洽談合作。

 ULVAC愛發(fā)科集團(tuán)將亮相此次會(huì)議。屆時(shí)，愛發(fā)科（蘇州）技術(shù)研究開發(fā)有限公司研究員王鶴鳴將受邀出席論壇，并分享《面向功率器件制造的先進(jìn)離子注入解決方案的集成工藝與創(chuàng)新》的主題報(bào)告！值此，誠(chéng)摯邀請(qǐng)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)同仁共聚盛會(huì)，蒞臨展位參觀交流、洽談合作。  

 南京郵電大學(xué)南通研究院作為協(xié)辦單位將亮相此次會(huì)議。屆時(shí)，南京郵電大學(xué)南通研究院執(zhí)行副院長(zhǎng)姚佳飛將分享《碳化硅功率器件高K介質(zhì)調(diào)制技術(shù)》主題報(bào)告。值此，誠(chéng)摯邀請(qǐng)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)同仁共聚省會(huì)，蒞臨展位參觀交流、洽談合作。

 北京國(guó)聯(lián)萬(wàn)眾半導(dǎo)體科技有限公司將攜多款產(chǎn)品亮相此次會(huì)議。屆時(shí)，北京國(guó)聯(lián)萬(wàn)眾半導(dǎo)體科技有限公司總經(jīng)理助理王川寶將出席會(huì)議，并帶來(lái)《SiC電力電子芯片技術(shù)與SiC基GaN射頻芯片技術(shù)進(jìn)展 》的主題報(bào)告。值此，誠(chéng)摯邀請(qǐng)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)同仁共聚盛會(huì)，蒞臨展位參觀交流、洽談合作。  

 深圳市矢量科學(xué)儀器有限公司是集半導(dǎo)體儀器裝備代理及技術(shù)服務(wù)的國(guó)家級(jí)高新技術(shù)企業(yè)。致力于提供半導(dǎo)體前道制程工藝裝備、后道封裝裝備、半導(dǎo)體分析測(cè)試設(shè)備、半導(dǎo)體光電測(cè)試儀表及相關(guān)儀器裝備維護(hù)、保養(yǎng)、售后技術(shù)支持及實(shí)驗(yàn)室整體服務(wù)。公司目前已授權(quán)專利 29 項(xiàng)，軟件著作權(quán) 14 項(xiàng)，是國(guó)家級(jí)高新技術(shù)企業(yè)、創(chuàng)新型中小企業(yè)、科技型中小企業(yè)、規(guī)模以上工業(yè)企業(yè)。

 2025年5月22-24日 “2025中國(guó)功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議 （CSPSD 2025)”，論壇會(huì)議內(nèi)容將涵蓋寬禁帶碳化硅和氮化鎵為代表的高壓及低壓等電力電子器件、功率集成電路、封裝等幾大主題，將覆蓋晶圓造、芯片設(shè)計(jì)、芯片加工、模塊封裝、測(cè)試分析、軟件工具、設(shè)備制造、整機(jī)應(yīng)用等產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)。