由電子科技大學牽頭制定，遵循CASAS標準制定流程，經(jīng)過標準起草小組會議討論、廣泛征求意見、委員會草案投票等流程，團...
2025年5月20日，由奧趨光電技術(shù)（杭州）有限公司牽頭制定的T/CASAS 0532025《氮化鋁拋光片位錯密度的測試 腐蝕坑法》以及由中...
為推進第三代半導體在新能源汽車領(lǐng)域的創(chuàng)新應用，加快新能源汽車產(chǎn)業(yè)升級轉(zhuǎn)型，第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟聯(lián)合...
5月16日， 2025第三代半導體支撐新能源汽車創(chuàng)新發(fā)展高峰論壇在廣州南沙國際會展中心成功召開。論壇是在廣州南沙區(qū)委區(qū)政...
4月23日 2025九峰山論壇(JFSC)暨 化合物半導體產(chǎn)業(yè)博覽會(CSE) 在光谷科技會展中心盛大開幕 兩院院士、行業(yè)領(lǐng)袖、企業(yè)代表、...
2025年4月23日，在第三屆九峰山論壇(JFSC)暨化合物半導體產(chǎn)業(yè)博覽會(CSE)期間，第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）（...
第十一屆國際第三代半導體論壇（IFWS）第二十二屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA）將于2025年11月12-14日在廈門召開。本屆論壇由廈門大學...
在剛剛過去的一年，我國新能源汽車產(chǎn)銷量突破千萬輛，碳化硅為代表的第三代半導體器件在電驅(qū)系統(tǒng)、車載充電及快充設(shè)施領(lǐng)域加速滲透...
勢比人強與事在人為 今天這個世界上，技術(shù)的普及、經(jīng)濟的發(fā)展，最多的人口一定會想出最多的辦法來發(fā)展自己的經(jīng)濟，普及自己的科學，同時來創(chuàng)造和自己經(jīng)濟鏈條相結(jié)合的技術(shù)。產(chǎn)...
創(chuàng)新活動十分活躍。建設(shè)第三代半導體材料及應用聯(lián)合創(chuàng)新基地，既是國家級的重要戰(zhàn)略部署，也是北京作為全球科技創(chuàng)新中心的一項重要的決策。我們應進一步整合資源，全力推進基...
鄭有炓 南京大學教授 中國科學院院士 第三代半導體技術(shù)可以廣泛用于光電、電力電子、微波通訊，這樣一個戰(zhàn)略性的技術(shù)從國際上的經(jīng)驗表明，需要政產(chǎn)學研的結(jié)合，沒有政府的領(lǐng)導...
甘子釗 北京大學教授 中國科學院院士 智能照明是未來發(fā)展的趨勢，所起到的節(jié)能效果比提高產(chǎn)品光效的節(jié)能效果要大的多，除了解決技術(shù)問題外，重要的是宣傳和推廣，培育用戶消費...
李樹深 中國科學院半導體研究所所長 中國科學院院士 半導體所一直在半導體科學技術(shù)方面做研究，第三代半導體材料也是我們最主要的研究方向和布局之一，我們有信心把我們最新研...
李新男 中國科學學與科技政策研究會副理事長 第三代半導體是關(guān)乎信息發(fā)展的材料產(chǎn)業(yè)，基地建設(shè)要集全球智力資源，開展產(chǎn)業(yè)前瞻性、共性技術(shù)聯(lián)合攻關(guān)，依托基地平臺塑造產(chǎn)業(yè)鏈...
吳玲 科技部第三代半導體材料項目管理辦公室主任 第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長 隨著大眾創(chuàng)業(yè)、萬眾創(chuàng)新如雨后春筍般的蓬勃發(fā)展，作為有顯著低碳智能化技術(shù)特征的第...
李晉閩 半導體照明聯(lián)合創(chuàng)新國家重點實驗室主任 科技部半導體照明重點專項專家組組長 第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟是建立在半導體照明非常好的基礎(chǔ)之上，使得我們第三代能...
沈波 北京大學教授 科技部第三代半導體材料重點專項專家組組長 我們國家發(fā)展第三代半導體面臨的機遇非常好，過去十年在半導體照明的驅(qū)動下，氮化鎵無論是材料和器件成熟度都已...
張國旗 荷蘭代爾夫特理工大學教授 第三代半導體已進入爆發(fā)式增長期，將深刻改變?nèi)虬雽w產(chǎn)業(yè)格局，美、日、歐、韓高度重視，從國家戰(zhàn)略層面加緊布局，中國發(fā)展...
伍伸俊 金沙江創(chuàng)業(yè)投資基金創(chuàng)始人及董事總經(jīng)理 發(fā)達國家高度關(guān)注以氮化鎵為代表的第三代半導體材料，第三代應用領(lǐng)域非常廣闊，材料體系的變革是最具挑戰(zhàn)但爆發(fā)性極強，從投資...
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