全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正呈現(xiàn)三個(gè)顯著特點(diǎn)：一是人工智能快速發(fā)展進(jìn)一步加速集成電路多維度“分化”，包括工藝制程代際的分化、系統(tǒng)集成能力的分化、創(chuàng)新架構(gòu)的分化已經(jīng)配套能力的分化。二是集成電路技術(shù)發(fā)展面臨“存儲(chǔ)墻”、“面積墻”、“功耗墻”和“功能墻”四重制約。三是先進(jìn)工藝、先進(jìn)封裝、先進(jìn)材料和架構(gòu)創(chuàng)新呈現(xiàn)互補(bǔ)、替代態(tài)勢(shì)。因此，后摩爾時(shí)代對(duì)技術(shù)的需求和豐富度更高，寬禁帶半導(dǎo)體材料將會(huì)大有可為。目前，碳化硅和氮化鎵在電力電子領(lǐng)域產(chǎn)業(yè)化速度顯著，氧化鎵剛剛起步，氮化鋁由深紫外向電力電子領(lǐng)域拓展，金剛石在量子領(lǐng)域應(yīng)用快速增長。AlN作為超寬禁帶半導(dǎo)體材料體系的典型代表，是實(shí)現(xiàn)高性能深紫外光電器件、高頻微波器件、高功率密度電子器件的關(guān)鍵材料，在軍事、國防、航空航天及民用領(lǐng)域具有極強(qiáng)的戰(zhàn)略和應(yīng)用價(jià)值。 

9月26-28日，“2025新一代半導(dǎo)體晶體材料技術(shù)及應(yīng)用大會(huì)”將于云南昆明舉辦。會(huì)議在第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）指導(dǎo)下，由賽迪智庫集成電路研究所、中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所、云南大學(xué)、昆明理工大學(xué)等單位支持，云南臨滄鑫圓鍺業(yè)股份有限公司、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)聯(lián)合主辦，云南鑫耀半導(dǎo)體材料有限公司、北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司共同承辦。會(huì)議將圍繞新一代大尺寸半導(dǎo)體材料在功率半導(dǎo)體大規(guī)模制造過程中，關(guān)鍵工藝及裝備、器件設(shè)計(jì)與制造、關(guān)鍵材料、綠色廠務(wù)及產(chǎn)品開發(fā)與創(chuàng)新應(yīng)用，邀請(qǐng)產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)專家、高?？蒲性核爸髽I(yè)代表共同深入探討，探尋功率半導(dǎo)體最新技術(shù)進(jìn)展，分享生產(chǎn)制造過程中全流程優(yōu)化方案，共促功率半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同發(fā)展。 

屆時(shí)，中國電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展研究院集成電路研究所化合物半導(dǎo)體與分立器件研究室主任解楠受邀將出席會(huì)議，并帶來《氮化鋁寬禁帶材料發(fā)展現(xiàn)狀及技術(shù)演進(jìn)趨勢(shì)研究》的主題報(bào)告，分享最新相關(guān)趨勢(shì)，敬請(qǐng)關(guān)注！ 

嘉賓簡介

解楠，畢業(yè)于北京大學(xué)物理學(xué)院，博士研究生學(xué)歷，現(xiàn)任中國電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展研究院（工信部賽迪研究院）集成電路研究所分立器件與化合物半導(dǎo)體研究室主任、高級(jí)工程師。曾長期從事氮化鋁基超寬禁帶半導(dǎo)體材料及器件研究，在Nature Materials、ACS Applied Nano Materials等國際頂級(jí)和知名期刊上發(fā)表10余篇SCI論文。近五年來，帶領(lǐng)團(tuán)隊(duì)重點(diǎn)支撐中央部委相關(guān)司局開展化合物半導(dǎo)體、MEMS傳感器、光電子、量子精密測量領(lǐng)域智庫研究和政策文件編制工作，主持、參與50余項(xiàng)省部級(jí)、地市級(jí)研究課題，出版著作一本。

單位簡介

賽迪研究院集成電路研究所是國內(nèi)半導(dǎo)體領(lǐng)域規(guī)模最大、影響力最大的專業(yè)智庫咨詢機(jī)構(gòu)，承擔(dān)國家層面重大戰(zhàn)略規(guī)劃和宏觀戰(zhàn)略研究工作。作為半導(dǎo)體領(lǐng)域戰(zhàn)略咨詢國家隊(duì)，集成電路所目前支撐11個(gè)中央部委的21個(gè)司局開展相關(guān)研究工作，積累了大量的政府資源和行業(yè)資源。解楠博士目前擔(dān)任集成電路所化合物半導(dǎo)體與分立器件研究室主任，研究室主要圍繞化合物半導(dǎo)體、MEMS傳感器、光電子、量子精密測量等領(lǐng)域開展政策、技術(shù)、產(chǎn)業(yè)等方面研究，對(duì)相關(guān)部委出臺(tái)產(chǎn)業(yè)政策提供較為精準(zhǔn)、科學(xué)的研究支撐。

報(bào)告前瞻

報(bào)告題目：氮化鋁寬禁帶材料發(fā)展現(xiàn)狀及技術(shù)演進(jìn)趨勢(shì)研究

報(bào)告摘要：全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正呈現(xiàn)三個(gè)顯著特點(diǎn)：一是人工智能快速發(fā)展進(jìn)一步加速集成電路多維度“分化”，包括工藝制程代際的分化、系統(tǒng)集成能力的分化、創(chuàng)新架構(gòu)的分化已經(jīng)配套能力的分化。二是集成電路技術(shù)發(fā)展面臨“存儲(chǔ)墻”、“面積墻”、“功耗墻”和“功能墻”四重制約。三是先進(jìn)工藝、先進(jìn)封裝、先進(jìn)材料和架構(gòu)創(chuàng)新呈現(xiàn)互補(bǔ)、替代態(tài)勢(shì)。因此，后摩爾時(shí)代對(duì)技術(shù)的需求和豐富度更高，寬禁帶半導(dǎo)體材料將會(huì)大有可為。寬禁帶半導(dǎo)體材料是指禁帶寬度明顯大于硅（1.1eV） 和砷化鎵（1.4eV）的材料體系，其禁帶寬度一般介于2.0 eV至6.3 eV之間，包括：碳化硅（SiC）、Ⅲ族氮化物（如：氮化鎵GaN、氮化鋁AlN等）、寬禁帶氧化物（如氧化鋅ZnO、氧化鎵Ga2O3）和部分鈣鈦礦材料、金剛石等材料。從整體上看，這類材料通常為原子晶體，性質(zhì)極為穩(wěn)定，具有擊穿電場高、 熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速率高、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)越性能。目前，碳化硅和氮化鎵在電力電子領(lǐng)域產(chǎn)業(yè)化速度顯著，氧化鎵剛剛起步，氮化鋁由深紫外向電力電子領(lǐng)域拓展，金剛石在量子領(lǐng)域應(yīng)用快速增長。AlN作為超寬禁帶半導(dǎo)體材料體系的典型代表，是實(shí)現(xiàn)高性能深紫外光電器件、高頻微波器件、高功率密度電子器件的關(guān)鍵材料，在軍事、國防、航空航天及民用領(lǐng)域具有極強(qiáng)的戰(zhàn)略和應(yīng)用價(jià)值。自2011年起，美國在《瓦森納協(xié)議》中明確：各種尺寸的AlN單晶及外延材料對(duì)華禁運(yùn)，高質(zhì)量AlN成為掣肘我國技術(shù)和產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵要素。 

附會(huì)議信息： 

【會(huì)議時(shí)間】 2025年9月26-28日

【會(huì)議地點(diǎn)】云南·昆明 

【指導(dǎo)單位】

  第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）

  中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）

【主辦單位】

  云南臨滄鑫圓鍺業(yè)股份有限公司

 極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)（www.huizhouyinshua.cn）

 半導(dǎo)體照明網(wǎng)(www.china-led.net)

 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

【承辦單位】

云南鑫耀半導(dǎo)體材料有限公司

北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司

【支持單位】

賽迪智庫集成電路研究所

 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所

 云南大學(xué)

 山東大學(xué)

 云南師范大學(xué)

 昆明理工大學(xué)

 晶體材料全國重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室

.....

【關(guān)鍵材料】

1、鍺、硅、砷化鎵、磷化銦等半導(dǎo)體材料生長與加工關(guān)鍵技術(shù)、器件工藝及應(yīng)用研究；

2、氮化鎵、碳化硅等第三代半導(dǎo)體材料生長與加工關(guān)鍵技術(shù)、器件工藝及應(yīng)用研究；

3、氮化鋁、金剛石、氧化鎵等超寬禁帶半導(dǎo)體材料生長與加工關(guān)鍵技術(shù)、器件工藝及應(yīng)用研究；

【主要方向】

1.化合物半導(dǎo)體單晶與外延材料

（砷化鎵，磷化銦，氮化鎵，碳化硅，氮化鋁，氧化鎵，氮化硼，藍(lán)寶石，鈮酸鋰等晶體、外延生長及模擬設(shè)計(jì)等）

2. 硅、高純鍺及鍺基材料

（大硅片生長及及應(yīng)用，直拉法或區(qū)熔法等單晶生長，原料提純，GeSi、GeSn、GeC 等多元單晶薄膜，切片與機(jī)械拋光，摻雜調(diào)控離子注入等） 

3.高純金屬、原輔料制備及晶體外延生長與加工關(guān)鍵裝備

（高純前驅(qū)體，高純?cè)噭呒儦怏w，高純粉體， 長晶爐，MOCVD,  MBE, LPE，PVT 等外延生長裝備，Mo源，MBE 源， 石墨，切割，研磨及拋光設(shè)備與材料，檢測設(shè)備等）

4.測試評(píng)價(jià)及AI for Science

（AI 驅(qū)動(dòng)的測試評(píng)價(jià)革新， 缺陷工程與摻雜策略、晶體生長智能調(diào)控、缺陷實(shí)時(shí)檢測與修復(fù)，多尺度建模，綠色制造優(yōu)化 等）

5.光電子器件工藝與應(yīng)用

（發(fā)光二極管，激光二極管，光電探測器件，太陽能電池，照明與顯示，激光雷達(dá)，光通信，量子技術(shù)等）

6.通訊射頻器件工藝與應(yīng)用

（功率放大器，低噪聲放大器，濾波器，開關(guān)器件，移動(dòng)通信，衛(wèi)星通信，低空飛行器，無人機(jī)，射頻能量等）

7.能源電子及應(yīng)用

（風(fēng)電&光伏&儲(chǔ)能新能源，電動(dòng)汽車，數(shù)據(jù)中心，工業(yè)電源，電機(jī)節(jié)能，軌道交通，智能電網(wǎng)，航空航天，工業(yè)控制，變頻家電，消費(fèi)電子，儀器儀表等）

8.綠色廠務(wù)及質(zhì)量管控

（潔凈廠房，高純水制備，化學(xué)品供應(yīng)，特氣供應(yīng)，廢氣處理及排放，廢液處理，大宗氣體供應(yīng)及質(zhì)量管控等）

【程序委員會(huì)】

大會(huì)主席：惠峰 （云南鍺業(yè)）

副主席：陳秀芳（山東大學(xué)）、趙璐冰（CASA)

委員：趙德剛（中科院半導(dǎo)體所）、康俊勇（廈門大學(xué)）、 徐寶強(qiáng)（昆明理工）、皮孝東（浙江大學(xué)）、耿博（CASA)、王軍喜（中科院半導(dǎo)體所）、孫錢（中科院蘇州納米所）、王垚浩（南砂晶圓)、 涂潔磊（云師大）、王宏興（西交大）、彭燕（山東大學(xué)）、李強(qiáng)（西交大）、寧靜（西電）、修向前（南京大學(xué)）、郭杰（云師大）、王茺（云南大學(xué)）、邱峰（云南大學(xué)）、楊杰（云南大學(xué)）、謝自力（南京大學(xué)）、葛振華（昆明理工大學(xué)）、田陽（昆明理工大學(xué)）、魏同波（中科院半導(dǎo)體所）、許福軍（北京大學(xué)）、徐明升（山東大學(xué)）、孫海定（中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)）、田朋飛（復(fù)旦大學(xué)）、劉玉懷（鄭州大學(xué)）、朱振（浪潮華光）、楊曉光（中科院半導(dǎo)體所）、高娜（廈門大學(xué)）、陳飛宏（云南鍺業(yè)）、康森（天通控股）、解楠（賽迪研究院 )、房玉龍（中電科十三所）、鄧家云（昆明理工大學(xué)）、李寶學(xué)（云鍺紅外） ......等

【日程安排】

【擬參與單位】

中科院半導(dǎo)體所、鑫耀半導(dǎo)體，藍(lán)河科技，天通控股，中電科十三所，南京大學(xué)，廈門大學(xué)，士佳光子，云鍺紅外，昆明理工大學(xué)，西安電子科技大學(xué)，中科院物理所，中電科四十八所，陜西源杰，九峰山實(shí)驗(yàn)室，中微公司，矢量集團(tuán)，晶盛機(jī)電，連科半導(dǎo)體，晶澳太陽能  美科太陽能 高景太陽能   中研科精密 華夏芯智慧光子，國聯(lián)萬眾，凝慧電子，晶湛半導(dǎo)體，英諾賽科，中光睿華，連城數(shù)控，云南大學(xué)，阿特斯陽光電力，山東大學(xué)，云南師范大學(xué)，中科院技物所，隆基電磁， 晶鎵半導(dǎo)體，西安聚能超導(dǎo)，蘇州納維，中科院物理所，浙江大學(xué)，云南鍺業(yè)，通美晶體，三安光電，電子科技大學(xué)，深圳平湖實(shí)驗(yàn)室，中科院長春光機(jī)所，廣東工業(yè)大學(xué)，南方科技大學(xué)， 隆基綠能，合盛硅業(yè)，中光睿華，復(fù)旦大學(xué)，中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)， 西安交通大學(xué)，江蘇第三代半導(dǎo)體研究院， 光迅科技，鎵和半導(dǎo)體 全磊光電 新易盛  昆明物理所，科友半導(dǎo)體，STR，河北同光，香港科技大學(xué)，深圳納設(shè) 中科院蘇州納米所，中科院上海光機(jī)所，哈工大等等 

【活動(dòng)參與】

1、注冊(cè)費(fèi)：會(huì)議通票2800元；早鳥票：9月20日前注冊(cè)報(bào)名2600元；（含會(huì)議資料袋，9月27日午餐、晚宴，9月28日午餐等 ）。

2、繳費(fèi)方式：

①銀行匯款

開戶行：中國銀行北京科技會(huì)展中心支行

賬 號(hào)：336 356 029 261

名 稱：北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司 

②在線注冊(cè)

掃碼注冊(cè)報(bào)名

③現(xiàn)場繳費(fèi)（微信+支付寶）

【論文投稿及報(bào)告咨詢】

賈老師:18310277858，jiaxl@casmita.com 

李老師:18601994986，linan@casmita.com 

【參會(huì)參展及商務(wù)合作】

賈先生:18310277858,jiaxl@casmita.com 

張女士:13681329411,zhangww@casmita.com 

【會(huì)議酒店】

酒店名稱：昆明億壕城堡溫德姆至尊酒店

酒店地址：中國（云南）自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)昆明片區(qū)經(jīng)開區(qū)楓丹白露花園

協(xié)議價(jià)格：430元/晚（含雙早）

酒店預(yù)定聯(lián)系: 陳經(jīng)理，13759452505(微信同號(hào)）

郵箱：13759452505@139.com