5月23-24日，2025功率半導體器件與集成電路會議（CSPSD 2025）在南京舉辦。會議圍繞寬禁帶碳化硅和氮化鎵為代表的高壓及低壓等電力電子器件、功率集成電路、封裝等產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)中的諸多關(guān)鍵問題，多方優(yōu)勢力量強強聯(lián)合，專家齊聚，攜手促進功率半導體全產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同發(fā)展。

 從硅到寬禁帶半導體材料，不斷提升性能和應(yīng)用范圍，推動半導體行業(yè)的不斷進步。技術(shù)創(chuàng)新驅(qū)動性能迭代，國產(chǎn)碳化硅器件的市場應(yīng)用也已從單一領(lǐng)域向多行業(yè)擴展，碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈正加速國產(chǎn)化替代進程，展現(xiàn)出強勁的發(fā)展?jié)摿褪袌龈偁幜?。隨著材料科學和制造工藝的持續(xù)進步，功率半導體器件將進一步邁向高性能、高可靠性的境界。GaN和SiC材料的應(yīng)用將更加廣泛。 

 氮化鎵作為第三代半導體的核心材料之一，憑借大禁帶寬度、高電子遷移率和良好熱導率等諸多優(yōu)異特性，在功率器件領(lǐng)域正展現(xiàn)出前所未有的巨大應(yīng)用潛力。特別是在新能源汽車和AI數(shù)據(jù)中心等前沿領(lǐng)域，氮化鎵技術(shù)已成為實現(xiàn)電能高效轉(zhuǎn)換的關(guān)鍵突破口。與此同時，超寬禁帶功率器件作為新一代半導體技術(shù)的核心方向，憑借其大禁帶寬度、高擊穿電場、低能耗等優(yōu)勢在多個高精尖領(lǐng)域有巨大應(yīng)用潛力，發(fā)展備受關(guān)注，器件性能、關(guān)鍵技術(shù)等在不斷進步。 

  5月22-24日，2025功率半導體器件與集成電路會議（CSPSD 2025）將于南京舉辦。會議設(shè)有開幕大會&主旨報告以及4個平行論壇，將覆蓋晶圓造、芯片設(shè)計、芯片加工、模塊封裝、測試分析、軟件工具、設(shè)備制造、整機應(yīng)用等產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)。累計超60位嘉賓&報告人參與分享，目前詳細日程出爐！

 5月22-24日， “2025功率半導體器件與集成電路會議（CSPSD 2025）”將于南京舉辦。會議設(shè)有開幕大會&主旨報告，以及硅及寬禁帶半導體材料、器件及集成應(yīng)用，超寬禁帶材料、器件及集成應(yīng)用，功率集成交叉與應(yīng)用，先進封裝與異構(gòu)集成等4個平行論壇，將覆蓋晶圓造、芯片設(shè)計、芯片加工、模塊封裝、測試分析、軟件工具、設(shè)備制造、整機應(yīng)用等產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)。截至目前，已確認累計超60位嘉賓&報告人參與分享，目前詳細日程出爐！詳情如下：

2025年5月22-24日，“2025中國功率半導體器件與集成電路會議 （CSPSD 2025)”將在中國南京舉辦。會議設(shè)有開幕大會&主旨報告，以及硅及寬禁帶半導體材料、器件及集成應(yīng)用，超寬禁帶材料、器件及集成應(yīng)用，功率集成交叉與應(yīng)用，先進封裝與異構(gòu)集成等4個平行論壇，將覆蓋晶圓造、芯片設(shè)計、芯片加工、模塊封裝、測試分析、軟件工具、設(shè)備制造、整機應(yīng)用等產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)。目前最新報告嘉賓公布，會議詳情如下：

 β-Ga₂O₃在材料方面優(yōu)越的特性使其在電力電子器件等諸多領(lǐng)域有著重要的應(yīng)用價值。但在功率器件應(yīng)用中β-Ga₂O₃材料仍然存在著p型β-Ga₂O₃材料的研究沒有獲得有效的進展，且理論預測其p型摻雜難以實現(xiàn)，以及熱導率較低等問題需要解決。

 屆時，南京郵電大學副教授將受邀出席會議，并帶來《智能TCAD技術(shù)—AI賦能微納電子器件的仿真、建模與設(shè)計》的主題報告，將分享最新研究進展與成果，敬請關(guān)注！ 

 上海大學微電子學院副教授任開琳將受邀出席會議，并帶來《E型GaN HEMT和pFET的穩(wěn)定性增強研究》的主題報告，將分享最新研究進展與成果，敬請關(guān)注！ 

 東南大學副教授魏家行將受邀出席會議，并帶來《碳化硅功率MOSFET關(guān)鍵技術(shù)新進展》的主題報告，報告將從產(chǎn)品結(jié)構(gòu)、制造工藝、可靠性、典型應(yīng)用等方面出發(fā)，介紹當下SiC功率MOSFET器件關(guān)鍵技術(shù)的最新進展，并對未來的發(fā)展趨勢做出展望，敬請關(guān)注！ 

 屆時，復旦大學智能機器人與先進制造創(chuàng)新學院副教授劉盼將受邀出席會議，并帶來《1200V IGBT與SiC MOSFET的短路性能對比研究》的主題報告，將分享最新研究進展，敬請關(guān)注！

 屆時，中國科學技術(shù)大學教授楊樹將受邀出席會議，并帶來《高壓低阻垂直型GaN功率電子器件研究》的主題報告，將分享最新研究進展，敬請關(guān)注！ 

 西安電子科技大學副校長張進成將受邀出席會議，并帶來《鎵系半導體功率器件研究進展》的大會報告，將分享最新研究進展，敬請關(guān)注！

 東南大學集成電路學院教授劉斯揚將受邀出席會議，并帶來《功率半導體集成技術(shù)研究進展》的大會報告，將分享最新研究進展，敬請關(guān)注！

 香港大學教授張宇昊將受邀出席會議，并帶來《GaN和Ga2O3中的多維器件：超結(jié)、多溝道和FinFET》的主題報告，將分享最新研究進展，敬請關(guān)注！ 

 英諾賽科（蘇州）半導體有限公司產(chǎn)品應(yīng)用經(jīng)理孟無忌將受邀出席會議，并帶來《Inno GaN“上車”之路——氮化鎵在電動汽車中應(yīng)用方案與優(yōu)勢》的主題報告，將分享最新研究進展，敬請關(guān)注！ 

 電子科技大學集成電路科學與工程學院  教授/博導明鑫將受邀出席論壇，并帶來《面向AI服務(wù)器電源的低壓GaN驅(qū)動電路設(shè)計挑戰(zhàn)》的大會報告，報告將重點圍繞低壓GaN的驅(qū)動應(yīng)用展開討論，敬請關(guān)注！

 山東大學新一代半導體材料研究院研究員、博士生導師、泰山學者特聘專家，山東大學仲英青年學者彭燕將受邀出席論壇，并帶來《基于金剛石/碳化硅新型異質(zhì)散熱結(jié)構(gòu)的器件應(yīng)用研究》的大會報告，將分享最新研究成果，敬請關(guān)注！

 中國科學技術(shù)大學研究員徐光偉將受邀出席會議，并帶來《  基于摻雜調(diào)控和缺陷工程的氧化鎵功率器件研究》的主題報告，基于氧化鎵（β-Ga₂O₃）的功率器件研究近年來圍繞摻雜調(diào)控與缺陷工程取得顯著進展，報告將分享最新研究成果，敬請關(guān)注！

 浙江大學電氣工程學院研究員王珩宇將受邀出席論壇，并帶來《碳化硅功率器件空間電荷補償技術(shù)》的大會報告，將探討碳化硅器件中電荷補償技術(shù)的實現(xiàn)路徑、關(guān)鍵挑戰(zhàn)和研究進展，敬請關(guān)注！

 中國電子科技集團公司第四十六研究所研究員蘭飛飛將受邀出席論壇，并帶來《金剛石材料研究進展》的大會報告，分享最新研究成果，敬請關(guān)注！

 揚州揚杰電子科技股份有限公司功率器件事業(yè)部副總經(jīng)理施俊將受邀出席論壇，并帶來《SiC功率器件的技術(shù)發(fā)展和應(yīng)用，面臨挑戰(zhàn)和未來趨勢》的大會報告，分享最新趨勢，敬請關(guān)注！

 北京國聯(lián)萬眾半導體科技有限公司總經(jīng)理助理王川寶將受邀出席論壇，并帶來《SiC電力電子芯片技術(shù)與SiC基GaN射頻芯片技術(shù)進展》的大會報告，國聯(lián)萬眾主要在晶圓加工和模塊封裝測試進行布局，具備完善的6英寸SiC功率芯片量產(chǎn)生產(chǎn)線，8英寸芯片研發(fā)線也將在2025年第四季度完成升級通線。

 北京智慧能源研究院功率半導體研究所測試研究室主任陳中圓將受邀出席論壇，并帶來《基于正向壓降表征的碳化硅MOSFET結(jié)溫測量方法研究》的大會報告，分享最新研究成果，敬請關(guān)注！

 鎵和半導體董事長、南京郵電大學教授唐為華將受邀出席論壇，并帶來《超寬禁帶半導體氧化鎵材料與器件研究進展》的大會報告，分享最新研究成果，敬請關(guān)注！

 南京大學電子科學與工程學院，教授/副院長陳敦軍將受邀出席論壇，并帶來《p-NiO/AlGaN/GaN HEMT功率器件及其載流子輸運與調(diào)控》的主題報告，分享最新研究成果，敬請關(guān)注！

 山東大學集成電路學院/晶體材料全國重點實驗室教授、博士生導師劉超將受邀出席論壇，并帶來《1.5 kV全垂直GaN-on-Si功率MOSFET》的主題報告，分享最新研究成果，敬請關(guān)注！

 電子科技大學教授章文通將受邀出席論壇，并帶來《基于電荷場調(diào)制機理的高溫高壓車規(guī)SOI超結(jié)BCD技術(shù)》的主題報告。分享最新研究成果，敬請關(guān)注！

 九峰山實驗室功率器件負責人、碳化硅首席專家袁俊將受邀出席論壇，并帶來《新型多級溝槽氧化鎵功率器件的研究》的主題報告。

 南京氮矽科技有限公司/總經(jīng)理羅鵬將受邀出席論壇，并帶來《集成驅(qū)動氮化鎵芯片的必要性與發(fā)展趨勢》的主題報告。

 深圳大學功率半導體器件及AI能源監(jiān)測工程技術(shù)研究所所長，材料學院、射頻異質(zhì)異構(gòu)集成全國重點實驗研究員劉新科將受邀出席論壇，并帶來《低成本GaN基GaN功率器件》的主題報告。

 南京第三代半導體技術(shù)創(chuàng)新中心有限公司研發(fā)總監(jiān)李士顏將受邀出席論壇，并帶來《新一代SiC功率MOSFET產(chǎn)品研制進展》的主題報告。報告將介紹國際上SiC電力電子芯片及模塊的研究現(xiàn)狀及趨勢

 江蘇超芯星半導體有限公司創(chuàng)始人兼董事長劉欣宇將受邀出席論壇，并帶來《破界·賦能·引領(lǐng)——化學氣相法碳化硅襯底技術(shù)創(chuàng)新開啟未來產(chǎn)業(yè)新紀元》的主題報告，敬請關(guān)注！

 中國科學院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所研究員程新紅將受邀出席論壇，并帶來《寬禁帶半導體3D集成技術(shù)》的主題報。報告將圍繞材料異質(zhì)集成、器件3D集成與功能模塊3D集成三大方向展開分析，分享最新研究成果，敬請關(guān)注！

 西安電子科技大學教授趙勝雷將受邀出席論壇，并帶來《GaN HEMT器件擊穿機理多維度分析與探討》的主題報告，分享最新研究成果，敬請關(guān)注！

 西安電子科技大學集成電路學部/教授、芯豐澤半導體創(chuàng)始人宋慶文將受邀出席論壇，并帶來《高性能SiC功率器件關(guān)鍵技術(shù)研究進展》的主題報。介紹高性能平面和Trench 柵型SiC功率MOSFET等代表性器件的現(xiàn)狀和最新進展，討論高性能SiC功率器件關(guān)鍵性能提升和可靠性等方面熱點問題，敬請關(guān)注！

江南大學教授/博導黃偉將受邀出席論壇，并帶來《高性能宇航級SGT功率器件與輻照模型研究》的主題報告，將聚焦宇航電子領(lǐng)域?qū)Ω呖煽抗β势骷钠惹行枨?，分享相關(guān)最新研究成果，敬請關(guān)注！

 濟南大學信息科學與工程學院，系主任張春偉將受邀出席論壇，并分享《場板技術(shù)中的電場調(diào)制機制：基于電荷的視角》的主題報告，從電荷的角度研究場板的工作機理，提高場板技術(shù)的效果，分享最新研究成果，敬請關(guān)注！

 工業(yè)和信息化部電子第五研究所高級工程師施宜軍將受邀出席論壇，并分享《P-GaN HEMT柵極ESD魯棒性及改進方法》的主題報告，分享最新研究成果，敬請關(guān)注！

 南京大學副研究員周峰將受邀出席論壇，并分享《氮化鎵功率器件輻射效應(yīng)與加固技術(shù)研究》的主題報告，分享最新研究成果以及思路探索，敬請關(guān)注！

 南京大學電子科學與工程學院副院長、教授葉建東將受邀出席論壇，并分享《氧化鎵異質(zhì)結(jié)構(gòu)與器件》的主題報告，將介紹南京大學團隊在氧化鎵超寬禁帶半導體材料與器件方面的研究進展，同時展望超寬禁帶半導體領(lǐng)域的關(guān)鍵挑戰(zhàn)，敬請關(guān)注！

 上海新微半導體有限公司總經(jīng)理王慶宇將受邀出席論壇，并分享《氮化鎵賦能未來：突破功率極限，開啟能效革命》的主題報告，將聚焦于 GaN 在能效提升進程中的關(guān)鍵角色，深度剖析如何借助這一技術(shù)，開啟各類終端應(yīng)用能源管理的革新之旅敬請關(guān)注！

 愛發(fā)科（蘇州）技術(shù)研究開發(fā)有限公司研究員王鶴鳴將受邀出席論壇，并分享《面向功率器件制造的先進離子注入解決方案的集成工藝與創(chuàng)新》的主題報告，敬請關(guān)注！

 北京昕感科技（集團）副總、功率模塊事業(yè)部負責人李道會將受邀出席論壇，并分享《面向車規(guī)應(yīng)用的功率之”芯”SiC及封裝技術(shù)挑戰(zhàn)》的主題報告，敬請關(guān)注！

 北京大學研究員、博士生導師魏進將受邀出席論壇，并分享《GaN功率器件動態(tài)電阻與動態(tài)閾值電壓》的主題報告，將討論抑制動態(tài)電阻漂移的主要手段及一種新型思路，并將探討動態(tài)閾值電壓對電路可靠性帶來的巨大挑戰(zhàn)及其解決方案等內(nèi)容，敬請關(guān)注！

 廣東工業(yè)大學副教授周賢達將受邀出席論壇，并分享《功率MOSFET的非嵌位感性開關(guān)》的主題報告，敬請關(guān)注！

 通富微電子股份有限公司/通富研究院Power技術(shù)中心負責人邢衛(wèi)兵受邀將出席論壇，并分享《新能源時代半導體封測技術(shù)與趨勢》的主題報告，將圍繞汽車半導體封裝趨勢等分享探討。敬請關(guān)注！

 熾芯微電子科技（蘇州）有限公司董事長&總經(jīng)理朱正宇受邀將出席論壇，并分享《功率器件封裝技術(shù)的發(fā)展及展望》的主題報告，將分享涉及散熱性能、可靠性、智能化等相關(guān)最新趨勢，敬請關(guān)注！

 中國科學院微電子研究所，研究員黃森將受邀出席論壇，并分享《高可靠GaN基MIS-HEMT功率器件與集成》的主題報告。報告將詳細介紹如何提高自主超薄勢壘AlGaN(<6 nm)/GaN增強型MIS-HEMT的可靠性，同時探討其與GaN基功率和驅(qū)動控制電路集成的可行性，敬請關(guān)注！

 電子科技大學，教授喬明將受邀出席論壇，并分享《用于XPU供電的DrMOS器件發(fā)展趨勢與技術(shù)挑戰(zhàn)》的主題報告。報告將面向DrMOS的發(fā)展趨勢與技術(shù)挑戰(zhàn)，分析DrMOS中核心的硅基功率分立器件、集成器件以及第三代半導體氮化鎵的電學特性，探討載流子濃度、遷移率、寄生電容等參數(shù)的折衷關(guān)系，延續(xù)摩爾定律在高頻、高效與高可靠功率器件及集成技術(shù)領(lǐng)域的發(fā)展。敬請關(guān)注。 

 江蘇超芯星半導體有限公司將亮相此次會議。屆時，超芯星半導體創(chuàng)始人兼董事長劉欣宇將受邀出席會議，并帶來《破界·賦能·引領(lǐng)——化學氣相法碳化硅襯底技術(shù)創(chuàng)新開啟未來產(chǎn)業(yè)新紀元》的主題報告！值此，誠摯邀請第三代半導體產(chǎn)業(yè)同仁共聚盛會，蒞臨展位參觀交流、洽談合作。 

 蘇州鎵和半導體有限公司作為協(xié)辦單位將亮相會議。屆時，鎵和半導體董事長、南京郵電大學唐為華教授將受邀出席論壇，并帶來《超寬禁帶半導體氧化鎵材料與器件研究進展》的大會報告。值此，誠摯邀請第三代半導體產(chǎn)業(yè)同仁共聚盛會，蒞臨展位參觀交流、洽談合作。

 揚州揚杰電子科技股份有限公司作為協(xié)辦單位將亮相此次會議。屆時，揚杰科技功率器件事業(yè)部副總經(jīng)理施俊將受邀出席會議，并帶來《SiC功率器件的技術(shù)發(fā)展和應(yīng)用，面臨挑戰(zhàn)和未來趨勢》的大會報告！值此，誠摯邀請第三代半導體產(chǎn)業(yè)同仁共聚論壇，蒞臨展位參觀交流、洽談合作。

 ULVAC愛發(fā)科集團將亮相此次會議。屆時，愛發(fā)科（蘇州）技術(shù)研究開發(fā)有限公司研究員王鶴鳴將受邀出席論壇，并分享《面向功率器件制造的先進離子注入解決方案的集成工藝與創(chuàng)新》的主題報告！值此，誠摯邀請第三代半導體產(chǎn)業(yè)同仁共聚盛會，蒞臨展位參觀交流、洽談合作。  

 南京郵電大學南通研究院作為協(xié)辦單位將亮相此次會議。屆時，南京郵電大學南通研究院執(zhí)行副院長姚佳飛將分享《碳化硅功率器件高K介質(zhì)調(diào)制技術(shù)》主題報告。值此，誠摯邀請第三代半導體產(chǎn)業(yè)同仁共聚省會，蒞臨展位參觀交流、洽談合作。

 北京國聯(lián)萬眾半導體科技有限公司將攜多款產(chǎn)品亮相此次會議。屆時，北京國聯(lián)萬眾半導體科技有限公司總經(jīng)理助理王川寶將出席會議，并帶來《SiC電力電子芯片技術(shù)與SiC基GaN射頻芯片技術(shù)進展 》的主題報告。值此，誠摯邀請第三代半導體產(chǎn)業(yè)同仁共聚盛會，蒞臨展位參觀交流、洽談合作。  

 深圳市矢量科學儀器有限公司是集半導體儀器裝備代理及技術(shù)服務(wù)的國家級高新技術(shù)企業(yè)。致力于提供半導體前道制程工藝裝備、后道封裝裝備、半導體分析測試設(shè)備、半導體光電測試儀表及相關(guān)儀器裝備維護、保養(yǎng)、售后技術(shù)支持及實驗室整體服務(wù)。公司目前已授權(quán)專利 29 項，軟件著作權(quán) 14 項，是國家級高新技術(shù)企業(yè)、創(chuàng)新型中小企業(yè)、科技型中小企業(yè)、規(guī)模以上工業(yè)企業(yè)。

 2025年5月22-24日 “2025中國功率半導體器件與集成電路會議 （CSPSD 2025)”，論壇會議內(nèi)容將涵蓋寬禁帶碳化硅和氮化鎵為代表的高壓及低壓等電力電子器件、功率集成電路、封裝等幾大主題，將覆蓋晶圓造、芯片設(shè)計、芯片加工、模塊封裝、測試分析、軟件工具、設(shè)備制造、整機應(yīng)用等產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)。