2025年7月，杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司(以下簡稱“鎵仁半導(dǎo)體”) 8英寸氧化鎵襯底通過了國內(nèi)/國外知名機(jī)構(gòu)的檢測，并聯(lián)合發(fā)布檢測結(jié)果。

第三方檢測結(jié)果表明，8英寸襯底XRD搖擺曲線半高寬<30 arcsec，達(dá)到國際領(lǐng)先水平。8英寸高質(zhì)量氧化鎵襯底的問世，標(biāo)志著氧化鎵產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用邁入全面加速落地階段，是產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要里程碑。

深圳平湖實(shí)驗(yàn)室檢測結(jié)果

本次測試樣品為氧化鎵8英寸襯底，取點(diǎn)共計(jì)5個(gè)，XRD搖擺曲線半高寬測試結(jié)果：22~26 arcsec。

8英寸襯底XRD搖擺曲線半高寬第三方測試結(jié)果-（深圳平湖實(shí)驗(yàn)室）

馬爾文帕納科亞太卓越應(yīng)用中心檢測結(jié)果

本次測試樣品為氧化鎵8英寸襯底，取點(diǎn)共計(jì)5個(gè)，XRD搖擺曲線半高寬測試結(jié)果分別為：16.7 arcsec、16.2 arcsec、15.4 arcsec、15.3 arcsec、12.4 arcsec。

8英寸襯底XRD搖擺曲線半高寬第三方測試結(jié)果-（馬爾文帕納科亞太卓越應(yīng)用中心）

一、8英寸的產(chǎn)業(yè)意義

2025年3月，鎵仁半導(dǎo)體發(fā)布全球首顆第四代半導(dǎo)體氧化鎵8英寸單晶，并加工出8英寸襯底，刷新了氧化鎵單晶尺寸的全球紀(jì)錄。中國氧化鎵率先進(jìn)入8英寸時(shí)代，具有深遠(yuǎn)的產(chǎn)業(yè)意義：

首先，8英寸氧化鎵能夠與現(xiàn)有硅基芯片廠的8英寸產(chǎn)線兼容，這將會顯著加快其產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用的步伐。

其次，氧化鎵襯底尺寸增大可提升其利用率，單片晶圓可制造芯片數(shù)量呈幾何級增長，降低生產(chǎn)成本、提升生產(chǎn)效率。

最后，中國率先突破8英寸技術(shù)壁壘，不僅標(biāo)志著我國在超寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)進(jìn)步，更為我國氧化鎵產(chǎn)業(yè)在全球半導(dǎo)體競爭中搶占了先機(jī)，有力推動我國在全球半導(dǎo)體競爭格局中占據(jù)優(yōu)勢地位。

二、8英寸已實(shí)現(xiàn)銷售出貨

目前在售的氧化鎵襯底晶圓主要以2英寸和4英寸為主，難以與主流的Fab場產(chǎn)線設(shè)備兼容，這提高了下游器件廠商研發(fā)的難度與成本，導(dǎo)致氧化鎵應(yīng)用推進(jìn)緩慢。

本次質(zhì)量檢測結(jié)果充分證明，鎵仁半導(dǎo)體8英寸晶圓襯底質(zhì)量優(yōu)異，能夠滿足硅基8英寸產(chǎn)線生產(chǎn)要求，這將大幅降低下游應(yīng)用端研發(fā)的難度與成本，促進(jìn)產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用的快速落地。

鎵仁半導(dǎo)體氧化鎵襯底已逐步實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化，為下游客戶提供大尺寸高質(zhì)量的氧化鎵單晶襯底產(chǎn)品。目前，鎵仁半導(dǎo)體8英寸襯底已實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品銷售出貨。

鎵仁半導(dǎo)體自研氧化鎵專用

VB法晶體生長設(shè)備全面開放銷售

鎵仁半導(dǎo)體不僅提供氧化鎵單晶襯底產(chǎn)品，還全面開放氧化鎵專用VB法晶體生長設(shè)備及配套工藝包的銷售。

2024年9月，鎵仁半導(dǎo)體推出了首臺自研氧化鎵專用晶體生長設(shè)備，不僅能夠滿足氧化鎵生長對高溫和高氧環(huán)境的需求，而且能夠進(jìn)行全自動化晶體生長，減少了人工干預(yù)，顯著提高了生產(chǎn)效率和晶體質(zhì)量。

該設(shè)備通過工藝控制可獲得多種不同晶面的大尺寸單晶，且支持向更大尺寸單晶的升級，滿足高校、科研院所、企業(yè)客戶對氧化鎵晶體生長的科研、生產(chǎn)等各項(xiàng)需求。該型氧化鎵VB法長晶設(shè)備及其工藝包已全面開放銷售。