工信部推廣國(guó)產(chǎn)“首臺(tái)套”ArF光刻機(jī)。9月2日，工信部印發(fā)《首臺(tái)（套）重大技術(shù)裝備推廣應(yīng)用指導(dǎo)目錄（2024年版）》，其中在“電子專用裝備”類目中包含氟化氪（KrF）光刻機(jī)、氟化氬（ArF）光刻機(jī)兩類產(chǎn)品。本次入選意味著國(guó)產(chǎn)KrF、ArF光刻機(jī)均已實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破，可用于市場(chǎng)推廣。其中，較為先進(jìn)的ArF光刻機(jī)可實(shí)現(xiàn)≤65nm分辨率，≤8nm套刻精度。

　　解讀光刻機(jī)參數(shù)與制程節(jié)點(diǎn)的對(duì)應(yīng)關(guān)系：

　　1）分制程節(jié)點(diǎn)如何命名？

　　制程節(jié)點(diǎn)的命名早期來(lái)自晶體管的關(guān)鍵尺寸。例如500nm制程節(jié)點(diǎn)的晶體管Half-Pitch與Gate Length均為500nm。但隨著制程演進(jìn)，實(shí)際的晶體管尺寸已經(jīng)與命名產(chǎn)生差異，需要考慮的是光刻機(jī)分辨率與實(shí)際尺寸之間的關(guān)系。

　　2）光刻機(jī)分辨率

　　光刻機(jī)分辨率很大程度上取決于光源波長(zhǎng)，波長(zhǎng)越短，分辨率越高。當(dāng)前主流的i-line光刻機(jī)可實(shí)現(xiàn)350nm的分辨率，KrF光刻機(jī)可實(shí)現(xiàn)150nm分辨率，ArF光刻機(jī)可實(shí)現(xiàn)65nm分辨率，ArF浸沒(méi)式光刻機(jī)可實(shí)現(xiàn)38nm分辨率。

　　3）光刻機(jī)的套刻精度

　　套刻精度指的是每一層光刻圖案與上一層光刻圖案對(duì)準(zhǔn)的平面誤差范圍，與光刻機(jī)的分辨率共同決定了能加工的制程節(jié)點(diǎn)。

　　對(duì)比海外龍頭的性能參數(shù)，本次實(shí)現(xiàn)首臺(tái)套突破的國(guó)產(chǎn)ArF光刻機(jī)在分辨率上與ASML的ArF光刻機(jī)1460K相同，但套刻精度上仍有差距。

　　三大關(guān)鍵子系統(tǒng)是國(guó)產(chǎn)化的核心難點(diǎn)。光源、光學(xué)系統(tǒng)、工件臺(tái)是光刻機(jī)的三大關(guān)鍵子系統(tǒng)，也是國(guó)產(chǎn)替代的核心難點(diǎn)。當(dāng)前，光源主要由ASML旗下Cymer壟斷市場(chǎng)，光學(xué)系統(tǒng)由德光光學(xué)巨頭蔡司領(lǐng)銜，工件臺(tái)則為各家光刻機(jī)整機(jī)廠商自主設(shè)計(jì)制造。

　　投資建議：先進(jìn)光刻機(jī)是國(guó)產(chǎn)晶圓廠發(fā)展先進(jìn)工藝制造的關(guān)鍵瓶頸，國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)的技術(shù)突破有利于未來(lái)國(guó)內(nèi)晶圓廠的擴(kuò)產(chǎn)提速，從而帶動(dòng)整個(gè)國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)需求增量。建議關(guān)注：

　　半導(dǎo)體設(shè)備：北方華創(chuàng)、中微公司、拓荊科技、中科飛測(cè)、精測(cè)電子、芯源微、華海清科等；

　　光刻機(jī)零部件：波長(zhǎng)光電、茂萊光學(xué)、晶方科技、騰景科技、炬光科技、美埃科技等。

　　風(fēng)險(xiǎn)提示：光刻機(jī)研發(fā)不及預(yù)期；國(guó)產(chǎn)替代導(dǎo)入不及預(yù)期；半導(dǎo)體行業(yè)周期性波動(dòng)。