9月26-28日，“2025新一代半導(dǎo)體晶體材料技術(shù)及應(yīng)用大會(huì)”將在云南昆明舉辦。屆時(shí)，云南大學(xué)材料與能源學(xué)院（研究員，云南省重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室副主任）、云南中科鑫圓晶體材料有限公司科技副總經(jīng)理王茺受邀將出席會(huì)議，并帶來(lái)《GaSb基異質(zhì)薄膜的磁控濺射生長(zhǎng)機(jī)理及其光電探測(cè)性能研究》的主題報(bào)告，分享最新相關(guān)趨勢(shì)，敬請(qǐng)關(guān)注！

嘉賓簡(jiǎn)介

王茺，云南大學(xué)博士生導(dǎo)師，研究員（三級(jí)崗），云南中科鑫圓晶體材料有限公司科技副總經(jīng)理，長(zhǎng)期從事半導(dǎo)體材料與器件的教學(xué)、研究和產(chǎn)業(yè)化推廣工作，曾先后開(kāi)展InAs/GaAs量子阱&量子點(diǎn)、Ge/Si量子點(diǎn)、鍺基合金、Ge單晶、InAs單晶、GaAs單晶和GaSb單晶等多種新型半導(dǎo)體材料技術(shù)研發(fā)。主持國(guó)家自然科學(xué)基金、云南省應(yīng)用基礎(chǔ)研究重點(diǎn)、教育部科學(xué)研究重點(diǎn)以及云南省重大科技計(jì)劃專項(xiàng)子課題等重大科研任務(wù)16項(xiàng)。以第一和通訊作者發(fā)表高水平SCI論文90余篇，代表性論文刊登在Adv. Mater., J. Energy Chem., ACS Photonics, Small和Nano Lett.等國(guó)際頂級(jí)期刊上。作為副主編在高等教育出版社出版《光電功能材料與器件》教材1部；共獲得中國(guó)發(fā)明專利授權(quán)17項(xiàng)。先后 4 次獲得云南省科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)勵(lì)特等獎(jiǎng)、一等獎(jiǎng)和二等獎(jiǎng)。入選云南省引進(jìn)高層次人才、云南省中青年學(xué)術(shù)技術(shù)帶頭人、云南省萬(wàn)人計(jì)劃和云南省產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新人才，擔(dān)任《紅外技術(shù)》期刊青年編委、中國(guó)微米納米技術(shù)學(xué)會(huì)以及中國(guó)材料研究學(xué)會(huì)的青年工作委員會(huì)理事。 

單位簡(jiǎn)介

云南大學(xué)材料與能源學(xué)院建有國(guó)家光電子能源材料國(guó)際聯(lián)合研究中心、云南省微納材料與技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、云南省先進(jìn)能源材料國(guó)際聯(lián)合研究中心、云南省碳中和綠色低碳技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室等10個(gè)國(guó)家級(jí)和省部級(jí)學(xué)術(shù)科研平臺(tái)，在光功能材料與器件、稀貴金屬與電磁材料、新能源器件與技術(shù)等方向的研發(fā)具有優(yōu)勢(shì)和特色。云南大學(xué)光電子與能源材料團(tuán)隊(duì)一直圍繞非制冷探測(cè)材料與器件、Si基光電器件、鈣鈦礦太陽(yáng)電池與探測(cè)器、III-V族晶片及紅外探測(cè)材料開(kāi)展研究，形成了一支富有創(chuàng)新力的研究團(tuán)隊(duì)，承擔(dān)了多項(xiàng)國(guó)家自然科學(xué)基金項(xiàng)目和云南省重大科技專項(xiàng)項(xiàng)目，在光電材料和器件的研究方面分別獲得了云南省科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)自然科學(xué)類一、二、三等獎(jiǎng)。 

云南中科鑫圓晶體材料有限公司是一家專門(mén)生產(chǎn)低位錯(cuò)、高性能4-6英寸VGF法高效率太陽(yáng)能電池用鍺單晶片的國(guó)家級(jí)高新技術(shù)企業(yè)，已經(jīng)成為國(guó)內(nèi)外最穩(wěn)定的鍺襯底生產(chǎn)廠家之一。先后承擔(dān)了國(guó)家科技部重大科技支撐計(jì)劃、國(guó)家發(fā)改委電子信息產(chǎn)業(yè)振興計(jì)劃項(xiàng)目、云南省科技廳科技計(jì)劃項(xiàng)目等國(guó)家和省部級(jí)重大科技項(xiàng)目。建成了年產(chǎn)4-6英寸50萬(wàn)片太陽(yáng)能電池用鍺晶片生產(chǎn)線，成功研制出8英寸高效太陽(yáng)電池用鍺單晶片。獲得國(guó)家級(jí)專精特新“小巨人”、國(guó)家級(jí)“綠色工廠”榮譽(yù)，主持編制了4項(xiàng)的國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)。項(xiàng)目產(chǎn)品突破國(guó)外關(guān)鍵技術(shù)封鎖，實(shí)現(xiàn)了自主可控、進(jìn)口產(chǎn)品國(guó)產(chǎn)化替代，解決了國(guó)家急需新材料的“卡脖子”問(wèn)題。 

報(bào)告前瞻

報(bào)告題目：GaSb基異質(zhì)薄膜的磁控濺射生長(zhǎng)機(jī)理及其光電探測(cè)性能研究

報(bào)告摘要：GaSb與InAs因其高的光吸收系數(shù)和載流子遷移率以及易形成II型能帶結(jié)構(gòu)等特性，在光電探測(cè)器應(yīng)用領(lǐng)域引起極大關(guān)注。然而，MBE和CVD法因制備的高成本限制了器件的應(yīng)用。磁控濺射法作為物相沉積法具有高濺射速率、規(guī)?；?、低成本的優(yōu)點(diǎn)，對(duì)于GaSb基光電子器件應(yīng)用具有廣闊的潛力。由于GaSb與InAs薄膜的晶格常數(shù)相匹配，采用GaSb襯底進(jìn)行InAs薄膜的外延可以極大幅度降低薄膜內(nèi)的缺陷與位錯(cuò)數(shù)量。綜上，本團(tuán)隊(duì)利用GaSb襯底晶格常數(shù)與InAs材料晶格常數(shù)相近的特點(diǎn)，通過(guò)磁控濺射法，制備了GaSb薄膜材料作為緩沖層，開(kāi)展了非晶GaSb薄膜退火晶化研究，通過(guò)分析生長(zhǎng)參數(shù)對(duì)于GaSb薄膜結(jié)晶與退火晶化的影響，制備了高質(zhì)量、均勻平整的GaSb薄膜。首次通過(guò)磁控濺射法在GaSb襯底表面外延出（111）取向的多晶InAs薄膜，通過(guò)探究InAs薄膜退火氧化效應(yīng)的影響，采用磁控儀在襯底解析溫度以制備出大晶粒尺寸、低晶界密度的InAs薄膜。磁控共濺射法制備GaInAsSb薄膜，并研究了不同生長(zhǎng)溫度的影響。為磁控濺射法生長(zhǎng)Ⅲ-Ⅴ族半導(dǎo)體薄膜開(kāi)辟了新的研究途徑。

 附會(huì)議信息： 

【會(huì)議時(shí)間】 2025年9月26-28日

【會(huì)議地點(diǎn)】云南·昆明 

【指導(dǎo)單位】

  第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）

  中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）

【主辦單位】

  云南臨滄鑫圓鍺業(yè)股份有限公司

 極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)（www.huizhouyinshua.cn）

 半導(dǎo)體照明網(wǎng)(www.china-led.net)

 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

【承辦單位】

云南鑫耀半導(dǎo)體材料有限公司

北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司

【支持單位】

賽迪智庫(kù)集成電路研究所

 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所

 云南大學(xué)

 山東大學(xué)

 云南師范大學(xué)

 昆明理工大學(xué)

 晶體材料全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室

.....

【關(guān)鍵材料】

1、鍺、硅、砷化鎵、磷化銦等半導(dǎo)體材料生長(zhǎng)與加工關(guān)鍵技術(shù)、器件工藝及應(yīng)用研究；

2、氮化鎵、碳化硅等第三代半導(dǎo)體材料生長(zhǎng)與加工關(guān)鍵技術(shù)、器件工藝及應(yīng)用研究；

3、氮化鋁、金剛石、氧化鎵等超寬禁帶半導(dǎo)體材料生長(zhǎng)與加工關(guān)鍵技術(shù)、器件工藝及應(yīng)用研究；

【主要方向】

1.化合物半導(dǎo)體單晶與外延材料

（砷化鎵，磷化銦，氮化鎵，碳化硅，氮化鋁，氧化鎵，氮化硼，藍(lán)寶石，鈮酸鋰等晶體、外延生長(zhǎng)及模擬設(shè)計(jì)等）

2. 硅、高純鍺及鍺基材料

（大硅片生長(zhǎng)及及應(yīng)用，直拉法或區(qū)熔法等單晶生長(zhǎng)，原料提純，GeSi、GeSn、GeC 等多元單晶薄膜，切片與機(jī)械拋光，摻雜調(diào)控離子注入等） 

3.高純金屬、原輔料制備及晶體外延生長(zhǎng)與加工關(guān)鍵裝備

（高純前驅(qū)體，高純?cè)噭?，高純氣體，高純粉體， 長(zhǎng)晶爐，MOCVD,  MBE, LPE，PVT 等外延生長(zhǎng)裝備，Mo源，MBE 源， 石墨，切割，研磨及拋光設(shè)備與材料，檢測(cè)設(shè)備等）

4.測(cè)試評(píng)價(jià)及AI for Science

（AI 驅(qū)動(dòng)的測(cè)試評(píng)價(jià)革新， 缺陷工程與摻雜策略、晶體生長(zhǎng)智能調(diào)控、缺陷實(shí)時(shí)檢測(cè)與修復(fù)，多尺度建模，綠色制造優(yōu)化 等）

5.光電子器件工藝與應(yīng)用

（發(fā)光二極管，激光二極管，光電探測(cè)器件，太陽(yáng)能電池，照明與顯示，激光雷達(dá)，光通信，量子技術(shù)等）

6.通訊射頻器件工藝與應(yīng)用

（功率放大器，低噪聲放大器，濾波器，開(kāi)關(guān)器件，移動(dòng)通信，衛(wèi)星通信，低空飛行器，無(wú)人機(jī)，射頻能量等）

7.能源電子及應(yīng)用

（風(fēng)電&光伏&儲(chǔ)能新能源，電動(dòng)汽車，數(shù)據(jù)中心，工業(yè)電源，電機(jī)節(jié)能，軌道交通，智能電網(wǎng)，航空航天，工業(yè)控制，變頻家電，消費(fèi)電子，儀器儀表等）

8.綠色廠務(wù)及質(zhì)量管控

（潔凈廠房，高純水制備，化學(xué)品供應(yīng)，特氣供應(yīng)，廢氣處理及排放，廢液處理，大宗氣體供應(yīng)及質(zhì)量管控等）

【程序委員會(huì)】

大會(huì)主席：惠峰 （云南鍺業(yè)）

副主席：陳秀芳（山東大學(xué)）、趙璐冰（CASA)

委員：趙德剛（中科院半導(dǎo)體所）、康俊勇（廈門(mén)大學(xué)）、 徐寶強(qiáng)（昆明理工）、皮孝東（浙江大學(xué)）、耿博（CASA)、王軍喜（中科院半導(dǎo)體所）、孫錢(qián)（中科院蘇州納米所）、王垚浩（南砂晶圓)、 涂潔磊（云師大）、王宏興（西交大）、彭燕（山東大學(xué)）、李強(qiáng)（西交大）、寧?kù)o（西電）、修向前（南京大學(xué)）、郭杰（云師大）、王茺（云南大學(xué)）、邱峰（云南大學(xué)）、楊杰（云南大學(xué)）、謝自力（南京大學(xué)）、葛振華（昆明理工大學(xué)）、田陽(yáng)（昆明理工大學(xué)）、魏同波（中科院半導(dǎo)體所）、許福軍（北京大學(xué)）、徐明升（山東大學(xué)）、孫海定（中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)）、田朋飛（復(fù)旦大學(xué)）、劉玉懷（鄭州大學(xué)）、朱振（浪潮華光）、楊曉光（中科院半導(dǎo)體所）、高娜（廈門(mén)大學(xué)）、陳飛宏（云南鍺業(yè)）、康森（天通控股）、解楠（賽迪研究院 )、房玉龍（中電科十三所）、鄧家云（昆明理工大學(xué)）、李寶學(xué)（云鍺紅外） ......等

【日程安排】

【活動(dòng)參與】

1、注冊(cè)費(fèi)：會(huì)議通票2800元；早鳥(niǎo)票：9月20日前注冊(cè)報(bào)名2600元；（含會(huì)議資料袋，9月27日午餐、晚宴，9月28日午餐等 ）。

2、繳費(fèi)方式：

①銀行匯款

開(kāi)戶行：中國(guó)銀行北京科技會(huì)展中心支行

賬 號(hào)：336 356 029 261

名 稱：北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司 

②在線注冊(cè)

掃碼注冊(cè)報(bào)名

③現(xiàn)場(chǎng)繳費(fèi)（微信+支付寶）

【論文投稿及報(bào)告咨詢】

賈老師:18310277858，jiaxl@casmita.com 

李老師:18601994986，linan@casmita.com 

【參會(huì)參展及商務(wù)合作】

賈先生:18310277858,jiaxl@casmita.com 

張女士:13681329411,zhangww@casmita.com 

【會(huì)議酒店】

酒店名稱：昆明億壕城堡溫德姆至尊酒店

酒店地址：中國(guó)（云南）自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)昆明片區(qū)經(jīng)開(kāi)區(qū)楓丹白露花園

協(xié)議價(jià)格：430元/晚（含雙早）

酒店預(yù)定聯(lián)系: 陳經(jīng)理，13759452505(微信同號(hào)）

郵箱：13759452505@139.com