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Cree加速打造全球最大的SiC制造工廠

Microchip推出業(yè)界唯一低電感碳化硅（SiC）功率模塊和可編程柵極驅(qū)動器工具包，助力逆變器設(shè)計人員

科銳推進(jìn)建造全球最大SiC器件制造工廠和擴(kuò)大SiC產(chǎn)能

減少開關(guān)損耗：儒卓力提供來自羅姆的節(jié)能SiC-MOSFET

?Cree加速擴(kuò)充SiC產(chǎn)能

SiC MOSFET應(yīng)用技術(shù)在雪崩條件下的魯棒性評估

采用Wolfspeed 第三代 650V SiC MOSFET，突破電源效率屏障

解析GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場格局的變化

Atmosic Technologies超低功耗藍(lán)牙?連接解決方案延長TraceSafe AllSafe手環(huán)電池壽命和續(xù)航時間，實現(xiàn)可靠的接觸者追蹤

碳化硅(sic)功率器件及其在航天電子產(chǎn)品中的應(yīng)用前景展望

碳化硅SiC：純電動汽車BEV動力總成邁向成功的基石

用于下一代汽車專用集成電路（ASIC）的嵌入式現(xiàn)場可編程邏輯門陣列（eFPGA）

安森美半導(dǎo)體的碳化硅(SiC)功率模塊將支持臺達(dá)的太陽能光伏逆變器

2020年Q2的SiC、GaN電力電子產(chǎn)品最新進(jìn)展

安森美半導(dǎo)體的碳化硅(SiC)功率模塊將支持臺達(dá)的太陽能光伏逆變器

國內(nèi)首列碳化硅(SiC)變流技術(shù)永磁直驅(qū)地鐵列車開始動車調(diào)試

英飛凌推出62mm CoolSiC?模塊，為碳化硅開辟新應(yīng)用領(lǐng)域

特斯拉1年要用50萬片6寸SiC

功率器件需求暴增，SiC前景看好

碳化硅基氮化鎵GaN-on-SiC助力降低5G基站成本

碳化硅基氮化鎵GaN-on-SiC為 5G 鋪平道路

宇通客車與斯達(dá)半導(dǎo)體合作開發(fā)基于SiC技術(shù)的商用車電機(jī)控制器系統(tǒng)解決方案

聚焦“寬禁帶”半導(dǎo)體：SiC與GaN的興起與未來

緯湃科技和羅姆攜手打造SiC電源解決方案

Cree股價漲幅已超90%，外資看好 SiC 材料／電源模塊

第三代半導(dǎo)體SIC晶圓的激光內(nèi)部改質(zhì)切割技術(shù)

智原成功導(dǎo)入其顯示接口IP至多項新興顯示器ASIC

成型體積密度對氮化硅結(jié)合碳化硅磚性能的影響

第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料SiC和GaN 的研究現(xiàn)狀

專訪UnitedSiC CEO：看見碳化硅的未來10年

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