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晶盛機(jī)電：正式形成了12英寸SiC襯底從裝備到材料的完整閉環(huán)

激光隱形切割SiC晶錠效率大幅提升！國創(chuàng)中心（蘇州）大尺寸碳化硅激光切割技術(shù)取得突破性進(jìn)展

深圳平湖實(shí)驗(yàn)室與西安理工大學(xué)合作在SiC光控晶體管研制方面取得新進(jìn)展

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|香港科技大學(xué)張薇葭：SiC功率MOSFET有源柵極驅(qū)動器綜述

機(jī)構(gòu)：十年內(nèi)車用SiC、GaN功率半導(dǎo)體市場規(guī)模將增長兩倍，至420億美元

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|九州大學(xué)西澤伸一：綠色社會時(shí)代下的SiC材料技術(shù)

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|韓國東義大學(xué)WON-JAE LEE：SiC晶體高質(zhì)量、低成本體生長研究進(jìn)展

晶盛機(jī)電12英寸SiC中試線通線

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英飛凌與羅姆簽署合作備忘錄，攜手推進(jìn)SiC功率器件封裝兼容性

SiC 新型功率 MOS 器件結(jié)構(gòu)以及柵驅(qū)動電路的設(shè)計(jì)與研究

2025云南晶體大會前瞻|浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心韓學(xué)峰：PVT法生長4H-SiC晶體的缺陷形成與摻雜機(jī)理研究

三安宣布湖南8英寸SiC芯片生產(chǎn)線投產(chǎn)運(yùn)營

新潔能延期包括第三代半導(dǎo)體SiC/GaN功率器件及封測等三個(gè)募投項(xiàng)目

天岳先進(jìn)開啟招股，擬募資約18億擴(kuò)張大尺寸SiC襯底產(chǎn)能

羅姆第一財(cái)季營業(yè)利潤驟降84.6%，承認(rèn)中國SiC基板功能已達(dá)到頂級水平

國際首發(fā)！深圳平湖實(shí)驗(yàn)室研制8英寸4°傾角4H-SiC上高質(zhì)量GaN外延

九峰山實(shí)驗(yàn)室新型SiC Trench MOSFET科研級器件樣品發(fā)布！

小米YU7電動SUV車型將搭載安森美EliteSiC M3e技術(shù)的先進(jìn)800V驅(qū)動平臺

英飛凌推出采用Q-DPAK 封裝的CoolSiC? MOSFET 1200V G2

廣州粵升8英寸SiC外延設(shè)備完成研發(fā)并出貨

安森美和舍弗勒擴(kuò)大合作，推出基于EliteSiC的新型插電式混合動力汽車平臺

晶越半導(dǎo)體研制出高品質(zhì)12英寸SiC晶錠

標(biāo)準(zhǔn) | “基于感性負(fù)載的SiC 功率模塊老化篩選試驗(yàn)方法”形成委員會草案

瞻芯電子第3代1200V 35mΩ SiC MOSFET量產(chǎn)交付應(yīng)用，贏得市場認(rèn)可

深圳平湖實(shí)驗(yàn)室在SiC激光剝離技術(shù)領(lǐng)域取得新進(jìn)展，性能指標(biāo)達(dá)到國際先進(jìn)水平

晶盛機(jī)電馬來西亞 SiC 工廠啟動！

斯達(dá)半導(dǎo)擬再融資15億元，投向SiC等3大車規(guī)器件項(xiàng)目

中電化合物與甬江實(shí)驗(yàn)室簽署戰(zhàn)略合作框架協(xié)議，推動SiC材料在AR領(lǐng)域的創(chuàng)新應(yīng)用

標(biāo)準(zhǔn) | 《半橋拓?fù)渲?span id="o4vnoat" class="highlight">SiC MOSFET開關(guān)損耗準(zhǔn)確評估測試方法》立項(xiàng)

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