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瞻芯電子與浙江大學(xué)聯(lián)合發(fā)表10kV SiC MOSFET研發(fā)成果，助力高壓應(yīng)用技術(shù)革新

從8英寸量產(chǎn)到12英寸突破！合盛硅業(yè)全鏈條攻克SiC核心技術(shù)再攀高峰！

株洲中車8英寸SiC產(chǎn)線年底通線

年底通線！株洲中車8英寸SiC產(chǎn)線披露最新進(jìn)展

天岳先進(jìn)：上海臨港工廠二期8吋SiC襯底擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃正在推進(jìn)中

效率損耗雙領(lǐng)跑！大族半導(dǎo)體SiC晶錠激光剝片技術(shù)單片15min單耗470μm！

標(biāo)準(zhǔn) |華峰測控牽頭的3項(xiàng)SiC MOSFET UIS/單管短路/模塊短路測試方法形成征求意見稿

CSPSD 2025前瞻|復(fù)旦大學(xué)劉盼：1200V IGBT與SiC MOSFET的短路性能對比研究

CSPSD 2025前瞻|揚(yáng)杰科技施?。?span id="zketz6t" class="highlight">SiC功率器件的技術(shù)發(fā)展和應(yīng)用、挑戰(zhàn)和未來趨勢

CSPSD 2025前瞻|國聯(lián)萬眾王川寶：SiC電力電子芯片技術(shù)與SiC基GaN射頻芯片技術(shù)進(jìn)展

CSPSD 2025前瞻|南京第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心有限公司李士顏:新一代SiC功率MOSFET產(chǎn)品研制進(jìn)展

揚(yáng)杰科技10億元SiC車規(guī)級功率半導(dǎo)體模塊封裝項(xiàng)目開工

CSPSD 2025前瞻|西安電子科技大學(xué)宋慶文：高性能SiC功率器件關(guān)鍵技術(shù)研究進(jìn)展

英飛凌推出SiC溝槽型超結(jié)（TSJ）技術(shù)

英飛凌推出新型CoolSiC? JFET技術(shù)，實(shí)現(xiàn)更加智能、快速的固態(tài)配電

CSPSD 2025前瞻|昕感科技李道會(huì)：面向車規(guī)應(yīng)用的功率之”芯”SiC及封裝技術(shù)挑戰(zhàn)

連科半導(dǎo)體8吋/12吋SiC電阻爐及工藝成套技術(shù)取得突破

標(biāo)準(zhǔn) |華峰測控牽頭的3項(xiàng)SiC MOSFET UIS/單管短路/模塊短路測試方法形成征求意見稿

重磅發(fā)布 | 2項(xiàng)SiC單晶生長用等靜壓石墨標(biāo)準(zhǔn)正式發(fā)布

清純半導(dǎo)體推出第3代SiC MOSFET產(chǎn)品平臺(tái)

納微半導(dǎo)體推出全新SiCPAK?功率模塊

標(biāo)準(zhǔn) | SiC MOSFET 有功對拖/雜感/AC-溫濕度循環(huán)試驗(yàn)方法立項(xiàng)

標(biāo)準(zhǔn) | SiC MOSFET晶圓級老化及篩選試驗(yàn)方法立項(xiàng)

標(biāo)準(zhǔn) | SiC MOSFET模塊局部放電試驗(yàn)方法立項(xiàng)

意法半導(dǎo)體：未來3年聚焦12英寸Si/8英寸SiC的研發(fā)和建設(shè)

天岳先進(jìn)SiC單晶項(xiàng)目即將投產(chǎn)

士蘭微基于第Ⅳ代SiC芯片的功率模塊預(yù)計(jì)將于2025年上量

黑龍江匯芯半導(dǎo)體申請集成有SiC功率器件短路保護(hù)的智能功率模塊專利，短路保護(hù)精度和效率更高

中南大學(xué)何軍、鐘綿增，浙江大學(xué)李京波：通過調(diào)控電場分布實(shí)現(xiàn)高均勻性的耐高壓晶圓級4H-SiC紫外光電探測器

聞泰科技：公司預(yù)計(jì)包括SiC、GaN和IGBT在內(nèi)的高壓功率器件和模擬芯片產(chǎn)品將從2025年底開始逐步放量

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