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應(yīng)用
晶越半導(dǎo)體研制出高品質(zhì)12英寸
SiC
晶錠
評(píng)論 ?
2025-07-23 15:16
標(biāo)準(zhǔn) | “基于感性負(fù)載的
SiC
功率模塊老化篩選試驗(yàn)方法”形成委員會(huì)草案
評(píng)論 ?
2025-07-21 14:35
瞻芯電子第3代1200V 35mΩ
SiC
MOSFET量產(chǎn)交付應(yīng)用,贏得市場(chǎng)認(rèn)可
評(píng)論 ?
2025-07-14 09:33
深圳平湖實(shí)驗(yàn)室在
SiC
激光剝離技術(shù)領(lǐng)域取得新進(jìn)展,性能指標(biāo)達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平
評(píng)論 ?
2025-07-08 15:32
晶盛機(jī)電馬來(lái)西亞
SiC
工廠啟動(dòng)!
評(píng)論 ?
2025-07-08 09:03
斯達(dá)半導(dǎo)擬再融資15億元,投向
SiC
等3大車規(guī)器件項(xiàng)目
評(píng)論 ?
2025-06-30 11:51
中電化合物與甬江實(shí)驗(yàn)室簽署戰(zhàn)略合作框架協(xié)議,推動(dòng)
SiC
材料在AR領(lǐng)域的創(chuàng)新應(yīng)用
評(píng)論 ?
2025-06-19 15:49
標(biāo)準(zhǔn) | 《半橋拓?fù)渲?span id="n4dq9pu" class="highlight">SiC MOSFET開(kāi)關(guān)損耗準(zhǔn)確評(píng)估測(cè)試方法》立項(xiàng)
評(píng)論 ?
2025-06-18 14:26
標(biāo)準(zhǔn) | 《三電平
SiC
MOSFET功率模塊開(kāi)關(guān)動(dòng)態(tài)特性測(cè)試方法》立項(xiàng)
評(píng)論 ?
2025-06-18 14:22
某單位SIC光刻版采購(gòu)項(xiàng)目公開(kāi)招標(biāo)公告
評(píng)論 ?
2025-06-17 13:50
年產(chǎn)100萬(wàn)只!這個(gè)
SiC
模塊產(chǎn)線落戶廣東省
評(píng)論 ?
2025-06-11 14:22
瞻芯電子與浙江大學(xué)聯(lián)合發(fā)表10kV
SiC
MOSFET研發(fā)成果,助力高壓應(yīng)用技術(shù)革新
評(píng)論 ?
2025-06-06 16:24
從8英寸量產(chǎn)到12英寸突破!合盛硅業(yè)全鏈條攻克
SiC
核心技術(shù)再攀高峰!
評(píng)論 ?
2025-06-03 09:53
株洲中車8英寸
SiC
產(chǎn)線年底通線
評(píng)論 ?
2025-05-28 10:00
年底通線!株洲中車8英寸
SiC
產(chǎn)線披露最新進(jìn)展
評(píng)論 ?
2025-05-26 14:22
天岳先進(jìn):上海臨港工廠二期8吋
SiC
襯底擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃正在推進(jìn)中
評(píng)論 ?
2025-05-22 07:25
效率損耗雙領(lǐng)跑!大族半導(dǎo)體
SiC
晶錠激光剝片技術(shù)單片15min單耗470μm!
評(píng)論 ?
2025-05-20 15:33
標(biāo)準(zhǔn) |華峰測(cè)控牽頭的3項(xiàng)
SiC
MOSFET UIS/單管短路/模塊短路測(cè)試方法形成征求意見(jiàn)稿
評(píng)論 ?
2025-05-20 13:54
CSPSD 2025前瞻|復(fù)旦大學(xué)劉盼:1200V IGBT與
SiC
MOSFET的短路性能對(duì)比研究
評(píng)論 ?
2025-05-15 15:03
CSPSD 2025前瞻|揚(yáng)杰科技施俊:
SiC
功率器件的技術(shù)發(fā)展和應(yīng)用、挑戰(zhàn)和未來(lái)趨勢(shì)
評(píng)論 ?
2025-05-13 13:49
CSPSD 2025前瞻|國(guó)聯(lián)萬(wàn)眾王川寶:
SiC
電力電子芯片技術(shù)與
SiC
基GaN射頻芯片技術(shù)進(jìn)展
評(píng)論 ?
2025-05-13 10:35
CSPSD 2025前瞻|南京第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心有限公司李士顏:新一代
SiC
功率MOSFET產(chǎn)品研制進(jìn)展
評(píng)論 ?
2025-05-12 11:11
揚(yáng)杰科技10億元
SiC
車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體模塊封裝項(xiàng)目開(kāi)工
評(píng)論 ?
2025-05-12 11:03
CSPSD 2025前瞻|西安電子科技大學(xué)宋慶文:高性能
SiC
功率器件關(guān)鍵技術(shù)研究進(jìn)展
評(píng)論 ?
2025-05-09 10:15
英飛凌推出
SiC
溝槽型超結(jié)(TSJ)技術(shù)
評(píng)論 ?
2025-05-09 10:03
英飛凌推出新型Cool
SiC
? JFET技術(shù),實(shí)現(xiàn)更加智能、快速的固態(tài)配電
評(píng)論 ?
2025-05-07 17:12
CSPSD 2025前瞻|昕感科技李道會(huì):面向車規(guī)應(yīng)用的功率之”芯”
SiC
及封裝技術(shù)挑戰(zhàn)
評(píng)論 ?
2025-05-07 11:07
連科半導(dǎo)體8吋/12吋
SiC
電阻爐及工藝成套技術(shù)取得突破
評(píng)論 ?
2025-04-29 20:10
標(biāo)準(zhǔn) |華峰測(cè)控牽頭的3項(xiàng)
SiC
MOSFET UIS/單管短路/模塊短路測(cè)試方法形成征求意見(jiàn)稿
評(píng)論 ?
2025-04-29 17:20
重磅發(fā)布 | 2項(xiàng)
SiC
單晶生長(zhǎng)用等靜壓石墨標(biāo)準(zhǔn)正式發(fā)布
評(píng)論 ?
2025-04-24 08:53
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