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長(zhǎng)川科技內(nèi)江集成電路封測(cè)設(shè)備研發(fā)制造基地二期項(xiàng)目開工

長(zhǎng)川科技內(nèi)江集成電路封測(cè)設(shè)備研發(fā)制造基地二期項(xiàng)目開工

立芯光電成功研發(fā)1940nm高功率半導(dǎo)體激光器芯片

東微半導(dǎo)體與晶湛半導(dǎo)體攜手推進(jìn)12英寸氮化鎵（GaN）功率器件研發(fā)和應(yīng)用

中微公司成都研發(fā)及生產(chǎn)基地暨西南總部項(xiàng)目正式開工

中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所鄭婉華院士團(tuán)隊(duì)自組織拓?fù)浼す馄?span id="zoicib7" class="highlight">研發(fā)取得新進(jìn)展

弘景光電擬投建研發(fā)制造總部基地總投資15.33億元強(qiáng)化光電產(chǎn)業(yè)布局

芯屏并舉，粵啟新程 | 中微公司華南總部研發(fā)及生產(chǎn)基地項(xiàng)目盛大開工

中微公司華南總部研發(fā)及生產(chǎn)基地項(xiàng)目盛大開工

英科迪微電子完成數(shù)千萬元A輪融資，研發(fā)半導(dǎo)體顯示控制芯片

2025云南晶體大會(huì)前瞻| 富加鎵業(yè)陳端陽(yáng)：氧化鎵單晶襯底及外延技術(shù)研發(fā)進(jìn)展

派瑞股份與西電所簽署合作協(xié)議，研發(fā)制造中高壓IGBT功率器件

中國(guó)科學(xué)院微電子所研發(fā)成功互補(bǔ)單晶硅垂直溝道晶體管（CVFET）

牛津儀器 | 硅基芯片研發(fā)加速器：物性測(cè)量與顯微表征一站式服務(wù)

鎵未來完成億元級(jí)B++輪融資，專注氮化鎵功率器件研發(fā)

廣州粵升8英寸SiC外延設(shè)備完成研發(fā)并出貨

天成半導(dǎo)體成功研發(fā)12英寸N型碳化硅單晶材料！

國(guó)內(nèi)先進(jìn)封測(cè)研發(fā)商芯德半導(dǎo)體獲近4億元融資

國(guó)產(chǎn)功率半導(dǎo)體研發(fā)商，中晶微電再獲融資！

國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃“大尺寸氮化鎵單晶制備用高溫超高壓反應(yīng)釜設(shè)計(jì)制造技術(shù)”項(xiàng)目啟動(dòng)暨實(shí)施方案論證會(huì)召開

新增！芯特思半導(dǎo)體總部及研發(fā)制造基地項(xiàng)目

中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體所集體導(dǎo)模共振手性激光器研發(fā)取得進(jìn)展

摩爾線程擬募資80億元投資多個(gè)芯片研發(fā)項(xiàng)目，IPO已獲受理

東京大學(xué)研發(fā)“摻鎵氧化銦晶體”取代硅材料

青島思銳智能半導(dǎo)體先進(jìn)裝備研發(fā)制造中心投產(chǎn)

光谷簽約10個(gè)項(xiàng)目投資167億，將建設(shè)多個(gè)總部、研發(fā)中心涵蓋半導(dǎo)體等多個(gè)領(lǐng)域

總投資2.4億元上海良薇科拓森總部研發(fā)生產(chǎn)基地項(xiàng)目順利封頂

雷軍官宣：未來五年，核心技術(shù)研發(fā)再投入2000億元

總投資50億元芯慧聯(lián)集成電路工藝設(shè)備研發(fā)制造基地項(xiàng)目奠基

長(zhǎng)川科技擬定向增發(fā)募資31.32億元，用于半導(dǎo)體設(shè)備研發(fā)項(xiàng)目

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