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2025年武漢紡織大學(xué)超寬禁帶半導(dǎo)體與光電器件團(tuán)隊(duì)平臺(tái)建設(shè)項(xiàng)目招標(biāo)公告

IFWS2025：碳化硅功率電子器件及其封裝技術(shù)分會(huì)最新報(bào)告出爐！

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|香港大學(xué)張宇昊：面向高壓、高溫及高功率的氧化鎵器件及應(yīng)用

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|電子科技大學(xué)鄧小川：高壓碳化硅MOSFET器件性能提升技術(shù)的發(fā)展及其挑戰(zhàn)

Allegro MicroSystems推出業(yè)界首款量產(chǎn)級(jí)10 MHz TMR電流傳感器為寬禁帶功率電子器件提供精準(zhǔn)保護(hù)與控制

東微半導(dǎo)體與晶湛半導(dǎo)體攜手推進(jìn)12英寸氮化鎵（GaN）功率器件研發(fā)和應(yīng)用

總投資11.5億元，浩納光電高精度光學(xué)元器件及超精密模具項(xiàng)目開(kāi)工

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|復(fù)旦大學(xué)田朋飛：面向空間引力波探測(cè)的深紫外micro-LED器件與可靠性研究

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|西安電子科技大學(xué)任澤陽(yáng)：金剛石表面終端電導(dǎo)器件和散熱應(yīng)用研究

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|航芯源呂曉峰：功率氮化鎵器件在宇航電源領(lǐng)域的機(jī)遇與挑戰(zhàn)

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|名古屋大學(xué)王嘉：通過(guò)鎂插層增強(qiáng)氮化鎵中的P型摻雜、接觸性能和器件性能

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|北京大王平：新興纖鋅礦氮化物鐵電半導(dǎo)體材料與器件

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|大連理工大學(xué)黃火林：氮化鎵高壓增強(qiáng)型功率器件與可靠性技術(shù)進(jìn)展

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)楊樹(shù)：GaN功率電子器件動(dòng)態(tài)性能提升與抗輻照加固技術(shù)

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|山東大學(xué)劉超：垂直氮化物功率器件

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|名城大學(xué)教授Satoshi Kamiyama：GaN納米線(xiàn)和GaInN基多量子殼晶體生長(zhǎng)和光子器件應(yīng)用

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|瑞士洛桑聯(lián)邦理工學(xué)院Elison Matioli：邁向高性能GaN功率器件-新興解決方案和創(chuàng)新

Imec啟動(dòng)300mm GaN項(xiàng)目，專(zhuān)注低壓和高壓功率電子器件的300mm GaN技術(shù)

突發(fā)！美國(guó)將16家中企列入實(shí)體清單，含多家電子元器件分銷(xiāo)商

華科大戴江南教授、彭洋副教授團(tuán)隊(duì)在最短波長(zhǎng)毫瓦級(jí)遠(yuǎn)紫外Micro-LED器件取得突破

英飛凌與羅姆簽署合作備忘錄，攜手推進(jìn)SiC功率器件封裝兼容性

西電郝躍院士團(tuán)隊(duì)張進(jìn)成教授、周弘教授取得百安千伏級(jí)高壓氧化鎵功率器件研究突破

2025云南晶體大會(huì)前瞻|廈門(mén)大學(xué)林光楊：硅基IV族半導(dǎo)體材料異質(zhì)集成及其光電器件

2025云南晶體大會(huì)前瞻|北京大學(xué)王新強(qiáng)：氮化物半導(dǎo)體的大失配外延及其器件研究

解析 Wolfspeed 頂部散熱 (TSC) 碳化硅功率器件

2025云南晶體大會(huì)前瞻|?北京大學(xué)孫棟：外爾半導(dǎo)體Te--新一代中紅外半導(dǎo)體器件材料

2025云南晶體大會(huì)前瞻| 劉紀(jì)美院士：用于集成的硅基III-V器件

中科大孫海定：氮化鎵基多功能集成光電突觸器件構(gòu)建高效人工視覺(jué)系統(tǒng)

2025云南晶體大會(huì)前瞻|中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體所徐馳：從氣體源到器件：面向下一代信息技術(shù)的硅-鍺-錫類(lèi)半導(dǎo)體全流程研究

2025云南晶體大會(huì)前瞻|廈門(mén)大學(xué)盧衛(wèi)芳：GaN/InGaN基核-殼納米結(jié)構(gòu)選區(qū)外延及其Micro-LED器件制備研究

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