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廣東致能：全球首發(fā)硅基垂直 GaN HEMT 功率器件技術(shù)

國產(chǎn)功率半導(dǎo)體研發(fā)商，中晶微電再獲融資！

標(biāo)準(zhǔn) | “基于感性負(fù)載的SiC 功率模塊老化篩選試驗(yàn)方法”形成委員會(huì)草案

標(biāo)準(zhǔn)/“GaN HEMT開關(guān)可靠性試驗(yàn)、功率器件用硅襯底GaN外延片”2項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)形成委員會(huì)草案

中科院微電子所黃森、劉新宇團(tuán)隊(duì)在GaN外延位錯(cuò)傳導(dǎo)載流子及其導(dǎo)致功率電子器件可靠性退化機(jī)制方面取得重要進(jìn)展

YOLE：2030年碳化硅功率器件市場規(guī)模將破百億美元

晶能與中車時(shí)代半導(dǎo)體簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議，推動(dòng)功率半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新突破

廈門士蘭微8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目（一期）首臺(tái)設(shè)備提前搬入

颶芯科技獲3億元B輪融資加速大功率藍(lán)綠光激光芯片國產(chǎn)化

[誠邀英才]新加坡科技研究局（A*STAR）微電子研究所（IME）功率半導(dǎo)體團(tuán)隊(duì)

西交利物浦大學(xué)劉雯課題組招收氮化鎵功率器件方向博士生（英國利物浦大學(xué)學(xué)位）

斯達(dá)半導(dǎo)體車規(guī)級(jí)功率器件全球制造總部項(xiàng)目簽約落戶南湖

南郵郭宇鋒教授團(tuán)隊(duì)首次在功率器件領(lǐng)域國際頂級(jí)學(xué)術(shù)會(huì)議發(fā)表論文

國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃“氧化鎵單片功率電子集成器件研究”項(xiàng)目啟動(dòng)會(huì)暨實(shí)施方案論證會(huì)成功召開

輝宏激光完成千萬級(jí)的融資，系國產(chǎn)高功率超快激光器的整機(jī)系統(tǒng)和核心器件廠商

標(biāo)準(zhǔn) | 《三電平SiC MOSFET功率模塊開關(guān)動(dòng)態(tài)特性測試方法》立項(xiàng)

南京大學(xué)團(tuán)隊(duì)在國際功率半導(dǎo)體會(huì)議ISPSD上發(fā)布兩項(xiàng)宇航用氮化鎵功率器件輻照效應(yīng)研究成果

科研成果| 硅基金剛石熱沉在GaN功率放大器中的應(yīng)用

浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院PEDL團(tuán)隊(duì)五項(xiàng)重要成果在功率器件頂級(jí)會(huì)議ISPSD發(fā)表

芯聚能自主碳化硅主驅(qū)芯片成功搭載整車，樹立國產(chǎn)車規(guī)功率半導(dǎo)體新標(biāo)桿！

新成果！深圳大學(xué)在寬禁帶半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展

集成電路學(xué)院功率集成技術(shù)實(shí)驗(yàn)室第9次斬獲IEEE ISPSD 發(fā)表論文數(shù)全球第一

Wolfspeed參考設(shè)計(jì)：25kW高效率高功率密度雙向T-型逆變器

鈞聯(lián)電子完成近億元A輪融資，用于建設(shè)碳化硅功率模塊產(chǎn)線

CSPSD2025 | 近30位專家學(xué)者齊聚探討氮化鎵及超寬禁帶功率器件新未來！

CSPSD2025 | 二十余位專家學(xué)者共話硅、碳化硅器件及其他高壓功率器件新進(jìn)展！

2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議（CSPSD2025）在南京盛大召開

新微半導(dǎo)體總經(jīng)理王慶宇應(yīng)邀出席2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議并發(fā)表主旨演講

開幕在即 | 2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議（CSPSD 2025）5月22-24日南京見!

標(biāo)準(zhǔn) |“GaN HEMT DHTOL、功率器件用硅襯底GaN HEMT外延片”2項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)形成征求意見稿

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