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日本2nm芯片項(xiàng)目已宣布啟動(dòng)測(cè)試生產(chǎn)

標(biāo)準(zhǔn) | 長(zhǎng)春光機(jī)所牽頭起草的3項(xiàng)面向光治療的柔性LED光源測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)形成委員會(huì)草案

晶合集成獲得實(shí)用新型專利授權(quán)：“一種半導(dǎo)體芯片的測(cè)試裝置”

星通半導(dǎo)體“芯片測(cè)試封裝基地項(xiàng)目”落戶佛山，計(jì)劃打造大灣區(qū)規(guī)模最大的芯片測(cè)試封裝基地

半導(dǎo)體芯片測(cè)試封裝基地落地佛山禪城

晶圓電性測(cè)試設(shè)備廠商理萬(wàn)電子完成數(shù)千萬(wàn)元A+輪融資

標(biāo)準(zhǔn) | 《半橋拓?fù)渲蠸iC MOSFET開關(guān)損耗準(zhǔn)確評(píng)估測(cè)試方法》立項(xiàng)

標(biāo)準(zhǔn) | 《三電平SiC MOSFET功率模塊開關(guān)動(dòng)態(tài)特性測(cè)試方法》立項(xiàng)

我國(guó)科研人員“以柔克剛”填補(bǔ)微型LED晶圓無(wú)損測(cè)試技術(shù)空白

標(biāo)準(zhǔn) |《UIS應(yīng)力下GaN HEMT在線測(cè)試方法》發(fā)布

國(guó)產(chǎn)集成電路測(cè)試設(shè)備企業(yè)鵬武電子完成A+輪數(shù)千萬(wàn)元融資

標(biāo)準(zhǔn) |華峰測(cè)控牽頭的3項(xiàng)SiC MOSFET UIS/單管短路/模塊短路測(cè)試方法形成征求意見稿

標(biāo)準(zhǔn) | ALN位錯(cuò)密度/吸收系數(shù) 2項(xiàng)測(cè)試方法發(fā)布

意見征集 | 北大光電院牽頭的異質(zhì)外延氮化鎵外延層厚度測(cè)試方法標(biāo)準(zhǔn)形成征求意見稿

總投資10億元，杭州芯光半導(dǎo)體集成電路先進(jìn)測(cè)試產(chǎn)線項(xiàng)目簽約富陽(yáng)

標(biāo)準(zhǔn) |華峰測(cè)控牽頭的3項(xiàng)SiC MOSFET UIS/單管短路/模塊短路測(cè)試方法形成征求意見稿

免費(fèi)報(bào)名中！4月22日九峰山實(shí)驗(yàn)室＆是德科技聯(lián)合舉辦芯片與新技術(shù)測(cè)試研討會(huì)

標(biāo)準(zhǔn) | AlN位錯(cuò)密度/吸收系數(shù)2項(xiàng)測(cè)試方法形成委員會(huì)草案

標(biāo)準(zhǔn) | 《UIS應(yīng)力下GaN HEMT在線測(cè)試方法》形成委員會(huì)草案

免費(fèi)報(bào)名| 是德科技芯片與新技術(shù)測(cè)試研討會(huì)邀您參加！——CSE2025同期活動(dòng)

史密斯集團(tuán)將半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備部分生產(chǎn)線從蘇州遷至美國(guó)

南京派格測(cè)控閃耀SEMICON China 2025：射頻與毫米波測(cè)試解決方案引燃行業(yè)熱情

韜盛科技獲數(shù)億元C輪融資，聚焦半導(dǎo)體測(cè)試賽道

華北電力大學(xué)壓接型IGBT功率循環(huán)及性能測(cè)試試驗(yàn)平臺(tái)采購(gòu)項(xiàng)目公開招標(biāo)公告

總投資20億！湖北半導(dǎo)體封裝測(cè)試項(xiàng)目跑出“芯”速度

偉測(cè)科技擬13億元投建南京二期測(cè)試項(xiàng)目，擴(kuò)大高端芯片測(cè)試產(chǎn)能

總投資10億元，芯光半導(dǎo)體集成電路先進(jìn)測(cè)試產(chǎn)線項(xiàng)目開工

嘉盛先創(chuàng)科技封裝測(cè)試新廠房正式啟用！

總投資10億！科為創(chuàng)芯集成電路封裝測(cè)試項(xiàng)目開工

高裕電子將建設(shè)第三代半導(dǎo)體可靠性測(cè)試設(shè)備生產(chǎn)基地

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