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安森美發(fā)布垂直氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體：為人工智能（AI）與電氣化領(lǐng)域帶來突破性技術(shù)

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|晶湛半導(dǎo)體程凱：MOVPE GaN外延技術(shù)

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|英國(guó)巴斯大學(xué)王望南：基于UVC和InGaN的紅光LED 的挑戰(zhàn)與最新進(jìn)展

機(jī)構(gòu)：十年內(nèi)車用SiC、GaN功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將增長(zhǎng)兩倍，至420億美元

東微半導(dǎo)體與晶湛半導(dǎo)體攜手推進(jìn)12英寸氮化鎵（GaN）功率器件研發(fā)和應(yīng)用

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|英飛凌宋清亮：基于英飛凌GaN晶體管的高壓直流中間總線變換器的參考設(shè)計(jì)

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|北京大學(xué)鞠光旭：基于同步輻射X射線的OMVPE條件下 (In)GaN生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)原位研究

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)楊樹：GaN功率電子器件動(dòng)態(tài)性能提升與抗輻照加固技術(shù)

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|臺(tái)灣陽(yáng)明交通大學(xué)郭浩中：GaN基UVC和Micro LED技術(shù)最新進(jìn)展

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|名城大學(xué)教授Satoshi Kamiyama：GaN納米線和GaInN基多量子殼晶體生長(zhǎng)和光子器件應(yīng)用

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|瑞典隆德大學(xué)Anders GUSTASFSSON：用于RGB顯示器的微米級(jí)InGaN發(fā)光二極管高光譜陰極發(fā)光成像研究

英諾賽科為800 VDC電源架構(gòu)提供全GaN電源解決方案，賦能新一代AI Factories

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|瑞士洛桑聯(lián)邦理工學(xué)院Elison Matioli：邁向高性能GaN功率器件-新興解決方案和創(chuàng)新

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|名古屋大學(xué)特聘教授Tohru Oka：基于SPICE模擬的垂直GaN MOSFET性能預(yù)測(cè)和損耗分析

Imec啟動(dòng)300mm GaN項(xiàng)目，專注低壓和高壓功率電子器件的300mm GaN技術(shù)

成果| 電子科大在異質(zhì)集成柔性GaN射頻功率放大器方面取得重要進(jìn)展！

漢驊半導(dǎo)體2025四大突破！國(guó)內(nèi)首個(gè)3DIC異構(gòu)集成GaN Plus平臺(tái) 超越摩爾

再傳捷報(bào)！先為科技首臺(tái)常壓型GaN MOCVD設(shè)備正式發(fā)貨

2025云南晶體大會(huì)前瞻|國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（蘇州）梁劍波：GaAs與Si及GaN的常溫異質(zhì)接合研究

攻克行業(yè)空白！中鎵半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)6/8英寸GaN襯底制備

2025云南晶體大會(huì)前瞻|?廈門大學(xué)梅洋：GaN基VCSEL技術(shù)進(jìn)展

2025云南晶體大會(huì)前瞻|廈門大學(xué)盧衛(wèi)芳：GaN/InGaN基核-殼納米結(jié)構(gòu)選區(qū)外延及其Micro-LED器件制備研究

2025云南晶體大會(huì)前瞻|廣東工業(yè)大學(xué)張紫輝：GaN功率半導(dǎo)體器件仿真建模與制備研究

2025云南晶體大會(huì)前瞻|北京大學(xué)王嘉銘：III族氮化物AlGaN基紫外發(fā)光器件結(jié)構(gòu)堆垛研究

英諾賽科宣布第三代700V GaN增強(qiáng)型氮化鎵功率器件系列全面上市

標(biāo)準(zhǔn) | 《高頻開關(guān)應(yīng)用下GaN HEMT開關(guān)可靠性試驗(yàn)方法》發(fā)布

新潔能延期包括第三代半導(dǎo)體SiC/GaN功率器件及封測(cè)等三個(gè)募投項(xiàng)目

納微雙向GaN激活微逆單級(jí)“芯”突破

英諾賽科發(fā)布100V低邊驅(qū)動(dòng)IC，拓展VGaN?生態(tài)系統(tǒng)

國(guó)際首發(fā)！深圳平湖實(shí)驗(yàn)室研制8英寸4°傾角4H-SiC上高質(zhì)量GaN外延

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