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標(biāo)準(zhǔn) |《UIS應(yīng)力下GaN HEMT在線測試方法》發(fā)布

北京大學(xué)團(tuán)隊(duì)成功研制無閾值電壓負(fù)漂650V/10A增強(qiáng)型GaN器件

京東方華燦GaN電力電子突破：消費(fèi)級可靠性1000H突破，工業(yè)級JEDEC蓄勢待發(fā)

標(biāo)準(zhǔn) |“GaN HEMT DHTOL、功率器件用硅襯底GaN HEMT外延片”2項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)形成征求意見稿

1250mW、BLG 展示創(chuàng)世界紀(jì)錄的單模 GaN 激光器

CSPSD 2025前瞻|上海大學(xué)任開琳：E型GaN HEMT和pFET的穩(wěn)定性增強(qiáng)研究

科研成果| p-GaN柵HEMT器件在負(fù)柵壓阻斷態(tài)下的重離子輻照可靠性實(shí)驗(yàn)研究

CSPSD 2025前瞻|中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)楊樹：高壓低阻垂直型GaN功率電子器件研究

CSPSD 2025前瞻|英諾賽科孟無忌：GaN“上車”之路——氮化鎵在電動汽車中應(yīng)用方案與優(yōu)勢

CSPSD 2025前瞻|香港大學(xué)張宇昊：GaN和Ga2O3中的多維器件超結(jié)、多溝道和FinFET

CSPSD 2025前瞻|電子科技大學(xué)明鑫：面向AI服務(wù)器電源的低壓GaN驅(qū)動電路設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)

CSPSD 2025前瞻|國聯(lián)萬眾王川寶：SiC電力電子芯片技術(shù)與SiC基GaN射頻芯片技術(shù)進(jìn)展

CSPSD 2025前瞻|南京大學(xué)陳敦軍：p-NiO/AlGaN/GaN HEMT功率器件及其載流子輸運(yùn)與調(diào)控

CSPSD 2025前瞻|山東大學(xué)劉超：1.5 kV全垂直GaN-on-Si功率MOSFET

CSPSD 2025前瞻|?深圳大學(xué)劉新科：低成本GaN基GaN功率器件

CSPSD 2025前瞻| 西安電子科技大學(xué)趙勝雷：GaN HEMT器件擊穿機(jī)理多維度分析與探討

CSPSD 2025前瞻|工信部第五研究所施宜軍：P-GaN HEMT柵極ESD魯棒性及改進(jìn)方法

CSPSD 2025前瞻|北京大學(xué)魏進(jìn)：GaN功率器件動態(tài)電阻與動態(tài)閾值電壓

中國科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所郭煒研究員在GaN HEMT器件研究中取得新進(jìn)展

CSPSD 2025前瞻|中國科學(xué)院微電子所黃森：高可靠GaN基MIS-HEMT功率器件與集成

標(biāo)準(zhǔn) |“GaN HEMT DHTOL、功率器件用硅襯底GaN HEMT外延片”2項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)形成征求意見稿

國家工程研究中心最新突破：磁控濺射AlN覆蓋層提升p-GaN HEMT器件性能

法國AlN創(chuàng)企EasyGaN宣布倒閉

山東大學(xué)/晶鎵半導(dǎo)體成功研發(fā)4英寸高質(zhì)量GaN單晶襯底

納微GaNSafe?正式通過車規(guī)認(rèn)證

MaM發(fā)表深圳大學(xué)劉新科團(tuán)隊(duì)綜述文章：下一代功率器件的GaN-on-diamond技術(shù)

晶湛半導(dǎo)體發(fā)布第二代Full Color GaN?全彩系列外延片，攜ZDP?平臺助力AR眼鏡商業(yè)化進(jìn)程

比利時(shí)氮化鎵廠商BelGaN擬被2.5億歐元收購，計(jì)劃生產(chǎn)光芯片

標(biāo)準(zhǔn) | 《UIS應(yīng)力下GaN HEMT在線測試方法》形成委員會草案

中科大微電子學(xué)院在GaN器件輻照效應(yīng)研究方向取得重要進(jìn)展

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