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廣東致能：全球首發(fā)硅基垂直 GaN HEMT 功率器件技術

標準/“GaN HEMT開關可靠性試驗、功率器件用硅襯底GaN外延片”2項標準形成委員會草案

中科院微電子所黃森、劉新宇團隊在GaN外延位錯傳導載流子及其導致功率電子器件可靠性退化機制方面取得重要進展

比利時氮化鎵廠商BelGaN破產損失高達100萬歐元

《GaN半導體激光器產業(yè)發(fā)展藍皮書》啟動編制工作，征集業(yè)內機構及企業(yè)參編單位！

氮矽科技推出TOLL封裝的增強型硅基氮化鎵（GaN）晶體管

科研成果| 硅基金剛石熱沉在GaN功率放大器中的應用

國產突破！無錫先為科技首臺GaN MOCVD外延設備成功發(fā)貨

深圳平湖實驗室GaN課題組劉軒博士研究成果亮相國際頂級學術會議ISPSD2025

CSA半導體激光器專委會啟動半導體激光器團體標準制定與GaN激光器產業(yè)發(fā)展藍皮書編制工作

標準 |《UIS應力下GaN HEMT在線測試方法》發(fā)布

北京大學團隊成功研制無閾值電壓負漂650V/10A增強型GaN器件

京東方華燦GaN電力電子突破：消費級可靠性1000H突破，工業(yè)級JEDEC蓄勢待發(fā)

標準 |“GaN HEMT DHTOL、功率器件用硅襯底GaN HEMT外延片”2項標準形成征求意見稿

1250mW、BLG 展示創(chuàng)世界紀錄的單模 GaN 激光器

CSPSD 2025前瞻|上海大學任開琳：E型GaN HEMT和pFET的穩(wěn)定性增強研究

科研成果| p-GaN柵HEMT器件在負柵壓阻斷態(tài)下的重離子輻照可靠性實驗研究

CSPSD 2025前瞻|中國科學技術大學楊樹：高壓低阻垂直型GaN功率電子器件研究

CSPSD 2025前瞻|英諾賽科孟無忌：GaN“上車”之路——氮化鎵在電動汽車中應用方案與優(yōu)勢

CSPSD 2025前瞻|香港大學張宇昊：GaN和Ga2O3中的多維器件超結、多溝道和FinFET

CSPSD 2025前瞻|電子科技大學明鑫：面向AI服務器電源的低壓GaN驅動電路設計挑戰(zhàn)

CSPSD 2025前瞻|國聯(lián)萬眾王川寶：SiC電力電子芯片技術與SiC基GaN射頻芯片技術進展

CSPSD 2025前瞻|南京大學陳敦軍：p-NiO/AlGaN/GaN HEMT功率器件及其載流子輸運與調控

CSPSD 2025前瞻|山東大學劉超：1.5 kV全垂直GaN-on-Si功率MOSFET

CSPSD 2025前瞻|?深圳大學劉新科：低成本GaN基GaN功率器件

CSPSD 2025前瞻| 西安電子科技大學趙勝雷：GaN HEMT器件擊穿機理多維度分析與探討

CSPSD 2025前瞻|工信部第五研究所施宜軍：P-GaN HEMT柵極ESD魯棒性及改進方法

CSPSD 2025前瞻|北京大學魏進：GaN功率器件動態(tài)電阻與動態(tài)閾值電壓

中國科學院寧波材料技術與工程研究所郭煒研究員在GaN HEMT器件研究中取得新進展

CSPSD 2025前瞻|中國科學院微電子所黃森：高可靠GaN基MIS-HEMT功率器件與集成

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