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國博公司硅基氮化鎵功率放大器芯片在智能移動終端實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)應(yīng)用

安森美發(fā)布垂直氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體：為人工智能（AI）與電氣化領(lǐng)域帶來突破性技術(shù)

標(biāo)準(zhǔn) | 《氮化鎵高電子遷移率晶體管閾值電壓測試　脈沖電壓法》立項(xiàng)

東微半導(dǎo)體與晶湛半導(dǎo)體攜手推進(jìn)12英寸氮化鎵（GaN）功率器件研發(fā)和應(yīng)用

最新報告出爐！IFWS2025:氮化鎵功率電子及封裝技術(shù)論壇——驅(qū)動能效革命，賦能AI芯動力

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|航芯源呂曉峰：功率氮化鎵器件在宇航電源領(lǐng)域的機(jī)遇與挑戰(zhàn)

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|名古屋大學(xué)王嘉：通過鎂插層增強(qiáng)氮化鎵中的P型摻雜、接觸性能和器件性能

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|大連理工大學(xué)黃火林：氮化鎵高壓增強(qiáng)型功率器件與可靠性技術(shù)進(jìn)展

能訊持續(xù)升級高性能氮化鎵工藝平臺，助推產(chǎn)學(xué)研融通創(chuàng)新

上海大學(xué)張建華教授、任開琳副教授與晶湛半導(dǎo)體合作在氮化鎵光電單片集成方面取得新進(jìn)展

年產(chǎn)值2.3億元，氮化鎵單晶襯底項(xiàng)目，已全面達(dá)產(chǎn)

2025云南晶體大會前瞻|山東大學(xué)張雷 :大尺寸氮化鎵和氮化鋁晶體生長研究新進(jìn)展

國新辦發(fā)布會肯定成都科創(chuàng)成果，實(shí)驗(yàn)室全球首個氮化鎵量子光源芯片獲工信部點(diǎn)名

中科大孫海定：氮化鎵基多功能集成光電突觸器件構(gòu)建高效人工視覺系統(tǒng)

2025云南晶體大會前瞻|南京大學(xué)修向前：氮化鎵襯底生長工藝及設(shè)備技術(shù)研究

英諾賽科宣布第三代700V GaN增強(qiáng)型氮化鎵功率器件系列全面上市

深圳大學(xué)寬禁帶半導(dǎo)體功率器件劉新科研究員團(tuán)隊(duì)：通過PEALD-GaO?界面工程實(shí)現(xiàn)高性能垂直氮化鎵MOS電容器

標(biāo)準(zhǔn) | 《用于HEMT功率器件的硅襯底氮化鎵外延片》發(fā)布

中國科學(xué)院蘇州納米所陸書龍團(tuán)隊(duì)在氮化鎵基單片集成器件領(lǐng)域取得進(jìn)展

1200V全垂直硅基氮化鎵MOSFET

鎵未來完成億元級B++輪融資，專注氮化鎵功率器件研發(fā)

中國科學(xué)院氮化鎵基無源太赫茲相控陣機(jī)制研究獲進(jìn)展

科普系列 | 氮化鎵：開啟科技新時代的 “魔法材料”

英諾賽科與聯(lián)合電子成立氮化鎵 (GaN) 技術(shù)聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室致力于新能源汽車電力電子系統(tǒng)開發(fā)

氮化鎵半導(dǎo)體智能制造項(xiàng)目暨芯片綜合配套項(xiàng)目簽約

蘇州納米所秦華團(tuán)隊(duì)在氮化鎵基無源太赫茲相控陣機(jī)制研究方面取得進(jìn)展

中科半導(dǎo)體發(fā)布氮化鎵機(jī)器人智能快充芯片

氮化鎵外延層中位錯輔助的電子和空穴傳輸研究取得進(jìn)展

蘇州納米所研制出氮化鎵光子晶體面發(fā)射激光器

比利時氮化鎵廠商BelGaN破產(chǎn)損失高達(dá)100萬歐元

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