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國(guó)產(chǎn)首顆機(jī)器人關(guān)節(jié)“氮化鎵驅(qū)動(dòng)器芯片”正式商用

中科院蘇州納米所孫錢團(tuán)隊(duì)與合作者在氮化鎵紫外探測(cè)領(lǐng)域取得新進(jìn)展

CSPSD2025 | 近30位專家學(xué)者齊聚探討氮化鎵及超寬禁帶功率器件新未來！

氮化鎵明星企業(yè)陷破產(chǎn)危機(jī)：聚力成半導(dǎo)體從50億項(xiàng)目到清算邊緣

CSPSD 2025前瞻|英諾賽科孟無(wú)忌：GaN“上車”之路——氮化鎵在電動(dòng)汽車中應(yīng)用方案與優(yōu)勢(shì)

CSPSD 2025前瞻|?氮矽科技羅鵬：集成驅(qū)動(dòng)氮化鎵芯片的必要性與發(fā)展趨勢(shì)

江南大學(xué)成果推介:氮化鎵微波功率器件

CSPSD 2025前瞻|南京大學(xué)周峰：氮化鎵功率器件輻射效應(yīng)與加固技術(shù)研究

CSPSD 2025前瞻|新微半導(dǎo)體王慶宇：氮化鎵賦能未來，突破功率極限，開啟能效革命

意見征集 | 北大光電院牽頭的異質(zhì)外延氮化鎵外延層厚度測(cè)試方法標(biāo)準(zhǔn)形成征求意見稿

Polar與瑞薩電子達(dá)成硅基氮化鎵技術(shù)授權(quán)協(xié)議

YS/T 1654-2023《氮化鎵化學(xué)分析方法痕量雜質(zhì)元素含量的測(cè)定輝光放電質(zhì)譜法》標(biāo)準(zhǔn)解讀

英諾賽科發(fā)布自主開發(fā)的1200V氮化鎵產(chǎn)品

比利時(shí)氮化鎵廠商BelGaN擬被2.5億歐元收購(gòu)，計(jì)劃生產(chǎn)光芯片

江西譽(yù)鴻錦取得亞垂直結(jié)構(gòu)氮化鎵肖特基勢(shì)壘二極管及其制造方法專利

意法半導(dǎo)體與英諾賽科簽署氮化鎵技術(shù)開發(fā)與制造協(xié)議

鎵特半導(dǎo)體取得一種HVPE大尺寸氮化鎵晶圓鎵舟反應(yīng)器專利，能夠提升氮化鎵晶圓片生長(zhǎng)尺寸

全球首創(chuàng)！九峰山實(shí)驗(yàn)室在氮極性氮化鎵材料制備領(lǐng)域取得新突破

重磅發(fā)布｜九峰山實(shí)驗(yàn)室GaN系列成果首次發(fā)布！

山東晶鎵申請(qǐng)一種紫外光催化輔助的氮化鎵晶圓拋光方法專利，提高了氮化鎵晶圓的拋光效率

國(guó)星光電：子公司風(fēng)華芯電氮化鎵器件實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)并開始接單

安徽格恩半導(dǎo)體申請(qǐng)氮化鎵基化合物半導(dǎo)體激光器專利，提升遠(yuǎn)場(chǎng)圖像FFP質(zhì)量、光束質(zhì)量因子和激光相干性

中企競(jìng)標(biāo)收購(gòu)比利時(shí)氮化鎵廠商BelGaN

新微半導(dǎo)體宣布推出650V E-mode氮化鎵功率工藝代工平臺(tái)

廣東芯賽威取得電源管理芯片及電路專利，可提高氮化鎵器件在電源應(yīng)用中的可靠性

賽微電子：公司已開展深圳產(chǎn)線建設(shè)，氮化鎵芯片仍處于工藝開發(fā)階段

CASICON重慶站：全面聚焦氮化鎵、氧化鎵、金剛石功率半導(dǎo)體技術(shù)及應(yīng)用發(fā)展

Navitas預(yù)計(jì)2025年人工智能和電動(dòng)汽車的氮化鎵需求增加

浙江大學(xué)柯徐剛研究員團(tuán)隊(duì)發(fā)布應(yīng)用于大功率AI數(shù)據(jù)中心的第三代半導(dǎo)體氮化鎵高效率智能供電芯片

CASA立項(xiàng)《HEMT功率器件用硅襯底氮化鎵外延片》1項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)

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