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中科半導(dǎo)體發(fā)布氮化鎵機(jī)器人智能快充芯片

氮化鎵外延層中位錯輔助的電子和空穴傳輸研究取得進(jìn)展

蘇州納米所研制出氮化鎵光子晶體面發(fā)射激光器

比利時氮化鎵廠商BelGaN破產(chǎn)損失高達(dá)100萬歐元

武大、西電合作攻克范德華外延氮化鎵高質(zhì)量成核與生長難題，為跨材料、跨功能的寬禁帶半導(dǎo)體異構(gòu)集成掃清了關(guān)鍵障礙

安徽格恩半導(dǎo)體申請氮化鎵基半導(dǎo)體激光器元件專利，提升限制因子

ROHM 回應(yīng)合作方臺積電計劃 2027 年退出氮化鎵：暫無重大影響

國家重點研發(fā)計劃“大尺寸氮化鎵單晶制備用高溫超高壓反應(yīng)釜設(shè)計制造技術(shù)”項目啟動暨實施方案論證會召開

英飛凌宣布：在300mm氮化鎵生產(chǎn)路線圖方面取得突破！

臺積電證實：未來兩年內(nèi)逐步退出氮化鎵業(yè)務(wù)

納微半導(dǎo)體攜手力積電，啟動8英寸氮化鎵晶圓量產(chǎn)計劃

雷電微力：研制低成本低剖面氮化鎵組件部分已量產(chǎn)

氮矽科技推出TOLL封裝的增強(qiáng)型硅基氮化鎵（GaN）晶體管

英諾賽科與美的威靈合作，加速氮化鎵在空調(diào)電機(jī)應(yīng)用！

英諾賽科與美的威靈達(dá)成氮化鎵戰(zhàn)略合作

西交利物浦大學(xué)劉雯課題組招收氮化鎵功率器件方向博士生（英國利物浦大學(xué)學(xué)位）

南京大學(xué)團(tuán)隊在國際功率半導(dǎo)體會議ISPSD上發(fā)布兩項宇航用氮化鎵功率器件輻照效應(yīng)研究成果

國產(chǎn)首顆機(jī)器人關(guān)節(jié)“氮化鎵驅(qū)動器芯片”正式商用

中科院蘇州納米所孫錢團(tuán)隊與合作者在氮化鎵紫外探測領(lǐng)域取得新進(jìn)展

CSPSD2025 | 近30位專家學(xué)者齊聚探討氮化鎵及超寬禁帶功率器件新未來！

氮化鎵明星企業(yè)陷破產(chǎn)危機(jī)：聚力成半導(dǎo)體從50億項目到清算邊緣

CSPSD 2025前瞻|英諾賽科孟無忌：GaN“上車”之路——氮化鎵在電動汽車中應(yīng)用方案與優(yōu)勢

CSPSD 2025前瞻|?氮矽科技羅鵬：集成驅(qū)動氮化鎵芯片的必要性與發(fā)展趨勢

江南大學(xué)成果推介:氮化鎵微波功率器件

CSPSD 2025前瞻|南京大學(xué)周峰：氮化鎵功率器件輻射效應(yīng)與加固技術(shù)研究

CSPSD 2025前瞻|新微半導(dǎo)體王慶宇：氮化鎵賦能未來，突破功率極限，開啟能效革命

意見征集 | 北大光電院牽頭的異質(zhì)外延氮化鎵外延層厚度測試方法標(biāo)準(zhǔn)形成征求意見稿

Polar與瑞薩電子達(dá)成硅基氮化鎵技術(shù)授權(quán)協(xié)議

YS/T 1654-2023《氮化鎵化學(xué)分析方法痕量雜質(zhì)元素含量的測定輝光放電質(zhì)譜法》標(biāo)準(zhǔn)解讀

英諾賽科發(fā)布自主開發(fā)的1200V氮化鎵產(chǎn)品

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