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瞻芯電子與浙江大學(xué)聯(lián)合發(fā)表10kV SiC MOSFET研發(fā)成果，助力高壓應(yīng)用技術(shù)革新

中國科大研制出一種全方向表面等離子體波照明器件

從8英寸量產(chǎn)到12英寸突破！合盛硅業(yè)全鏈條攻克SiC核心技術(shù)再攀高峰！

半導(dǎo)體所在植入式腦機接口器件研究方面取得新進展

TMC2025 國際汽車動力系統(tǒng)技術(shù)年會終版日程發(fā)布

全國首個TGV技術(shù)產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟成立

大連理工大學(xué)團隊：通過提高晶體質(zhì)量增強 β-Ga?O? 薄膜的光電突觸可塑性

中科院蘇州納米所孫錢團隊與合作者在氮化鎵紫外探測領(lǐng)域取得新進展

科研成果|?高整流、超低漏p-Si/n-AlN異質(zhì)結(jié)PN二極管

北京大學(xué)團隊成功研制無閾值電壓負(fù)漂650V/10A增強型GaN器件

邁為技術(shù)珠海半導(dǎo)體裝備產(chǎn)業(yè)園這一項目正式開工

效率損耗雙領(lǐng)跑！大族半導(dǎo)體SiC晶錠激光剝片技術(shù)單片15min單耗470μm！

CSPSD 2025前瞻|南京郵電大學(xué)陳靜：智能TCAD技術(shù)—AI賦能微納電子器件的仿真、建模與設(shè)計

1250mW、BLG 展示創(chuàng)世界紀(jì)錄的單模 GaN 激光器

2025車用功率半導(dǎo)體應(yīng)用技術(shù)培訓(xùn)會在廣州南沙成功舉辦

CSPSD 2025前瞻|東南大學(xué)魏家行：碳化硅功率MOSFET關(guān)鍵技術(shù)新進展

科研成果| p-GaN柵HEMT器件在負(fù)柵壓阻斷態(tài)下的重離子輻照可靠性實驗研究

CSPSD 2025前瞻|中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)楊樹：高壓低阻垂直型GaN功率電子器件研究

友達光電執(zhí)行長暨總經(jīng)理柯富仁：Micro LED顯示技術(shù)將成主宰AI應(yīng)用終極武器

CSPSD 2025前瞻|東南大學(xué)劉斯揚：功率半導(dǎo)體集成技術(shù)研究進展

CSPSD 2025前瞻|中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)徐光偉：基于摻雜調(diào)控和缺陷工程的氧化鎵功率器件研究

英飛凌與美的簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議：聚焦技術(shù)創(chuàng)新與智能綠色生活

CSPSD 2025前瞻|浙江大學(xué)王珩宇：碳化硅功率器件空間電荷補償技術(shù)

CSPSD 2025前瞻|揚杰科技施?。篠iC功率器件的技術(shù)發(fā)展和應(yīng)用、挑戰(zhàn)和未來趨勢

CSPSD 2025前瞻|國聯(lián)萬眾王川寶：SiC電力電子芯片技術(shù)與SiC基GaN射頻芯片技術(shù)進展

CSPSD 2025前瞻|電子科技大學(xué)章文通：基于電荷場調(diào)制機理的高溫高壓車規(guī)SOI超結(jié)BCD技術(shù)

CSPSD 2025前瞻|南京第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心有限公司李士顏:新一代SiC功率MOSFET產(chǎn)品研制進展

CSPSD 2025前瞻|超芯星劉欣宇：破界·賦能·引領(lǐng)——化學(xué)氣相法碳化硅襯底技術(shù)創(chuàng)新開啟未來產(chǎn)業(yè)新紀(jì)元

CSPSD 2025前瞻| 中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)所程新紅：寬禁帶半導(dǎo)體3D集成技術(shù)

CSPSD 2025前瞻|西安電子科技大學(xué)宋慶文：高性能SiC功率器件關(guān)鍵技術(shù)研究進展

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