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吾拾微 “ 12寸超薄晶圓(20-30um)解鍵后清洗機 ” 榮獲江蘇省 “兩新” 技術(shù)產(chǎn)品

氮化鎵外延層中位錯輔助的電子和空穴傳輸研究取得進展

科研新進展 | 廈大周偉教授團隊在激光精密制造領(lǐng)域取得突破進展

廣東致能：全球首發(fā)硅基垂直 GaN HEMT 功率器件技術(shù)

關(guān)于申報2025年度國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（蘇州）“揭榜掛帥”的通知

北大電子學(xué)院王興軍、舒浩文團隊在超高速光互連領(lǐng)域取得重要進展

盛美上海與華東理工大學(xué)攜手共建高端半導(dǎo)體裝備聯(lián)合技術(shù)創(chuàng)新轉(zhuǎn)移中心

中科院微電子所黃森、劉新宇團隊在GaN外延位錯傳導(dǎo)載流子及其導(dǎo)致功率電子器件可靠性退化機制方面取得重要進展

長春光機所聯(lián)合東方理工大學(xué)研究團隊在寬禁帶氮化物載流子動力學(xué)研究方面取得重要進展

半導(dǎo)體所在低維半導(dǎo)體偏振光探測方面取得系列進展

西電集成電路學(xué)部聯(lián)合武漢大學(xué)在寬禁帶半導(dǎo)體材料領(lǐng)域取得突破性進展

中國科學(xué)院微電子研究所在EUV光刻收集鏡紅外輻射抑制方面取得新進展

商務(wù)部調(diào)整發(fā)布《中國禁止出口限制出口技術(shù)目錄》新增關(guān)鍵技術(shù)出口限制

蘇州納米所研制出氮化鎵光子晶體面發(fā)射激光器

《計量支撐產(chǎn)業(yè)新質(zhì)生產(chǎn)力發(fā)展行動方案（2025—2030年）》印發(fā) 聚焦集成電路核心計量技術(shù)支撐等

北京大學(xué)王新強、王平、王濤團隊在纖鋅礦氮化物鐵電半導(dǎo)體研究上取得重要進展

晶能與中車時代半導(dǎo)體簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議，推動功率半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新突破

華潤微電子與華南理工大學(xué)共建射頻微電子技術(shù)聯(lián)合實驗室

武大、西電合作攻克范德華外延氮化鎵高質(zhì)量成核與生長難題，為跨材料、跨功能的寬禁帶半導(dǎo)體異構(gòu)集成掃清了關(guān)鍵障礙

深圳平湖實驗室在SiC激光剝離技術(shù)領(lǐng)域取得新進展，性能指標達到國際先進水平

西湖儀器：超薄片單晶金剛石加工技術(shù)新突破！

中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所在低維半導(dǎo)體偏振光探測方面取得系列進展

國家重點研發(fā)計劃“大尺寸氮化鎵單晶制備用高溫超高壓反應(yīng)釜設(shè)計制造技術(shù)”項目啟動暨實施方案論證會召開

Wolfspeed 1700V MOSFET技術(shù)，助力重塑輔助電源系統(tǒng)的耐用性和成本

中國科學(xué)院半導(dǎo)體所集體導(dǎo)模共振手性激光器研發(fā)取得進展

Wolfspeed與紐約州立大學(xué)理工學(xué)院加強教育研究合作，助力推動碳化硅技術(shù)創(chuàng)新發(fā)展

東京大學(xué)研發(fā)“摻鎵氧化銦晶體”取代硅材料

填補新技術(shù)領(lǐng)域標準空白 12項新能源汽車團體標準解讀

LG Innotek全球首創(chuàng)移動半導(dǎo)體基板用“銅柱”技術(shù)

雷軍官宣：未來五年，核心技術(shù)研發(fā)再投入2000億元

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