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標(biāo)準(zhǔn) | 《高頻開關(guān)應(yīng)用下GaN HEMT開關(guān)可靠性試驗(yàn)方法》發(fā)布

標(biāo)準(zhǔn)/“GaN HEMT開關(guān)可靠性試驗(yàn)、功率器件用硅襯底GaN外延片”2項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)形成委員會(huì)草案

標(biāo)準(zhǔn) | 《半橋拓?fù)渲蠸iC MOSFET開關(guān)損耗準(zhǔn)確評(píng)估測(cè)試方法》立項(xiàng)

標(biāo)準(zhǔn) | 《三電平SiC MOSFET功率模塊開關(guān)動(dòng)態(tài)特性測(cè)試方法》立項(xiàng)

上海積塔半導(dǎo)體取得半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)專利，提升開關(guān)驅(qū)動(dòng)效率

CSPSD 2025前瞻|廣東工業(yè)大學(xué)周賢達(dá)：功率MOSFET的非嵌位感性開關(guān)

重慶萬國(guó)半導(dǎo)體申請(qǐng)溝槽型功率半導(dǎo)體器件及其制備方法專利，提高開關(guān)速度與線性區(qū)能力

杭州芯邁半導(dǎo)體技術(shù)申請(qǐng)一種功率開關(guān)器件專利，提高了器件的功率密度

無錫博通申請(qǐng)半橋GaN增強(qiáng)型開關(guān)器件及其制備方法專利，保證器件的高速開關(guān)

中國(guó)科大微電子學(xué)院在GaN HEMT開關(guān)瞬態(tài)建模方向取得新進(jìn)展

捷捷微電取得降低開關(guān)損耗的分離柵MOSFET器件及其制造方法專利，降低了開關(guān)損耗

CASA立項(xiàng)GaN HEMT非鉗位感性負(fù)載開關(guān)魯棒性測(cè)試方法1項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)

CSPSD 2024成都前瞻 |中國(guó)科學(xué)院微電子研究所蔣其夢(mèng)：氮化鎵功率器件開關(guān)安全工作區(qū)的研究

日本開發(fā)在磁場(chǎng)下實(shí)現(xiàn)電阻開關(guān)效應(yīng)的半導(dǎo)體器件

中國(guó)西電獲得發(fā)明專利授權(quán)：“基于大容量電力電子開關(guān)施加故障電流裝置及試驗(yàn)方法”

聞泰科技、重慶大學(xué)聯(lián)合提案的SiC MOSFET開關(guān)動(dòng)態(tài)測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)提案立項(xiàng)

簡(jiǎn)述通過柵極驅(qū)動(dòng)器提高開關(guān)電源功率密度

問卷 | SiC MOSFET開關(guān)測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)預(yù)研問卷

標(biāo)準(zhǔn) | 電子五所牽頭的T/CASAS 005《用于硬開關(guān)電路的GaN HEMT動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻測(cè)試方法》形成委員會(huì)草案

Wolfspeed：先進(jìn)碳化硅技術(shù)賦能離線式開關(guān)電源的優(yōu)勢(shì)

意法半導(dǎo)體雙通道高邊開關(guān)為容性負(fù)載驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)帶來更多靈活性

R&S聯(lián)合FormFactor為得克薩斯大學(xué)奧斯汀分校研究5G和6G改進(jìn)型射頻開關(guān)提供支持

【CASICON 2021】西安交通大學(xué)李強(qiáng)：大面積hBN薄膜制備及電阻開關(guān)特性研究

【CASICON 2021】美國(guó)弗吉尼亞理工大學(xué)張宇昊:SiC MOSFET和GaN HEMT在過壓開關(guān)中的魯棒性

【CASICON 2021】南京工業(yè)職業(yè)技術(shù)大學(xué)雷建明：GaN功率開關(guān)器件及其高頻電源應(yīng)用

CASICON 2021前瞻：南京大學(xué)陳敦軍教授將出席南京功率與射頻半導(dǎo)體應(yīng)用峰會(huì)

南京集芯光電雷建明：氮化鎵功率開關(guān)器件及其在超輕薄開關(guān)電源領(lǐng)域的應(yīng)用研究

碳化硅如何能夠提升開關(guān)電源設(shè)計(jì)？

如何減少SiC MOSFET的EMI和開關(guān)損耗

新聞發(fā)布 | 超低導(dǎo)通阻抗USB C受電接口保護(hù)開關(guān)，可提供140W的高功率

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