深圳平湖實驗室使用國產(chǎn)的全自動化激光剝離系統(tǒng)，對激光剝離的機理進行深入研究、系統(tǒng)優(yōu)化激光剝離工藝參數(shù)，2025年6月實現(xiàn)SiC激光剝離的單片總損耗≤75μm，單片成本降低約26%，達到國際先進水平，已完成三批次的小批量驗證，良率100%。
這是一項令人振奮的技術突破！核心性能指標達到國際先進水平，在關鍵技術及設備上實現(xiàn)了自主可控，保障了供應鏈安全，降低了對外依賴風險，工藝成熟可靠，可快速實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。
SiC材料及器件具有高溫、高頻、高耐壓、高功率、抗輻射等優(yōu)異性能，在新能源汽車、光伏新能源、軌道交通和智能電網(wǎng)等領域具有巨大的應用前景。
當前SiC大規(guī)?；瘧玫倪M展不如預期，主要原因在于SiC的成本還是相對較高，從SiC器件的成本模型可以發(fā)現(xiàn)，SiC襯底占比最高，達50%，是規(guī)?；瘧米铌P鍵一環(huán)。因此SiC襯底降本、提質(zhì)是促進SiC大規(guī)模應用的關鍵路徑之一。打開SiC襯底的成本來看，SiC材料占比高達70%，而且接近一半是在切割中損耗掉了，所以降低SiC材料的切割損耗，又是降低SiC襯底成本的關鍵路徑。
SiC單晶材料的高硬度、極高脆性、高化學穩(wěn)定性等特性導致其極難加工，行業(yè)主流采用多線切割技術進行SiC襯底的切割加工，單片總材料損耗在280-300 μm，而6inch的SiC襯底成品厚度在350um左右，相當于材料損耗率在46%左右。深圳平湖實驗室聚焦SiC激光剝離新技術的研究與開發(fā)，旨在大幅降低碳化硅襯底的切割損耗，從而降低碳化硅襯底的成本，促進大尺寸SiC襯底規(guī)模化產(chǎn)業(yè)應用。
深圳平湖實驗室新技術研究部使用國產(chǎn)的全自動化激光剝離系統(tǒng)，在2024年12月，實現(xiàn)了激光剝離單片總損耗≤120μm，單片切割時間30min，達到國內(nèi)領先水平。通過進一步進行激光剝離的機理研究和優(yōu)化激光剝離的工藝參數(shù)，2025年6月實現(xiàn)激光剝離的單片總損耗≤75μm，單片切割時間20min，單片成本降低約26%，達到國際先進水平，同時最佳工藝條件完成了3批次小批量驗證，良率100%。
激光剝離襯底加工后面型數(shù)據(jù)：激光剝離襯底的面型數(shù)據(jù)整體優(yōu)于行業(yè)水平；
外延驗證: 激光剝離SiC襯底與baseline襯底在有效利用面積、均勻性、缺陷密度、表面粗糙度等參數(shù)上整體相當，甚至還略優(yōu)。 參考文獻： 1）New laser slicing technology named KABRA process enables high speed and high efficiency SiC slicing； 2）Cold Split Kerf-Free Wafering Results for Doped 4H-SiC Boules; 內(nèi)容整理自 深圳平湖實驗室新技術研究部研究成果 （來源:深圳平湖實驗室）
