2025年11月11-14日，第十一屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）&第二十二屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA）將于廈門(mén)召開(kāi)。 屆時(shí)，香港科技大學(xué)教授張薇葭將受邀出席論壇，并在Short course培訓(xùn)課程中分享《SiC功率MOSFET有源柵極驅(qū)動(dòng)器綜述》的主題報(bào)告，敬請(qǐng)關(guān)注！

嘉賓簡(jiǎn)介

張薇葭，分別于2012年、2015年和2019年獲得不列顛哥倫比亞大學(xué)和多倫多大學(xué)電氣工程學(xué)士、碩士和博士學(xué)位。2021年，加入位于科羅拉多斯普林斯的Analog Device Inc控制器IC設(shè)計(jì)小組，作為高級(jí)IC設(shè)計(jì)工程師，從事自動(dòng)測(cè)試設(shè)備（ATE）應(yīng)用的電源IC設(shè)計(jì)。她的學(xué)術(shù)生涯始于2025年香港科技大學(xué)電氣工程系。研究興趣廣泛，從智能電源IC、電源管理IC、集成DC-DC轉(zhuǎn)換器、智能柵極驅(qū)動(dòng)器IC、人工智能輔助電源應(yīng)用、封裝和熱管理、高級(jí)電源控制器。自2022年起擔(dān)任IEEE ISPSD ICD軌道的技術(shù)委員會(huì)成員。

報(bào)告摘要

有源柵極驅(qū)動(dòng)器（AGD）已成為一個(gè)有前景的領(lǐng)域，通過(guò)動(dòng)態(tài)調(diào)節(jié)硬開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換速率來(lái)提高功率MOSFET的效率和性能，實(shí)現(xiàn)效率和EMI抑制之間的校準(zhǔn)權(quán)衡，并提供器件保護(hù)。報(bào)告將回顧碳化硅功率MOSFET的AGD拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，涵蓋分段柵極驅(qū)動(dòng)策略、轉(zhuǎn)換速率調(diào)整技術(shù)和可靠性保護(hù)方案。將主要關(guān)注并聯(lián)電力系統(tǒng)中的短路保護(hù)、電流平衡和熱管理等主題。對(duì)每種方法的優(yōu)點(diǎn)、局限性和應(yīng)用進(jìn)行了比較和分析。