9月26日，晶盛機電（300316）消息稱，旗下浙江晶瑞SuperSiC首條12英寸碳化硅襯底加工中試線正式通線，實現(xiàn)了從晶體生長、加工到檢測環(huán)節(jié)的全線設備自主研發(fā)與100%國產(chǎn)化。此舉標志著公司在全球SiC襯底技術上已由“并跑”邁向“領跑”，進入高效智造新階段。

據(jù)介紹，SiC作為第三代半導體材料的核心代表，具備耐高壓、高頻、高效等特性，廣泛應用于新能源汽車、智能電網(wǎng)和5G通信等領域，并逐漸在AR設備、先進封裝等新興應用場景中發(fā)揮關鍵作用。相較8英寸產(chǎn)品，12英寸SiC襯底單片晶圓產(chǎn)出量提升約2.5倍，可顯著降低長晶、加工和拋光等環(huán)節(jié)的單位成本，被視為推動下游應用降本增效的重要路徑。

晶盛機電方面表示，此次貫通的中試線覆蓋晶體加工、切割、減薄、倒角、研磨、拋光、清洗及檢測全流程工藝，所有環(huán)節(jié)均采用國產(chǎn)設備與自主技術。其中，高精密減薄機、倒角機、雙面精密研磨機等核心設備均由公司多年研發(fā)攻關完成，性能指標達到行業(yè)領先水平。至此，晶盛機電已形成12英寸SiC襯底從裝備到材料的完整閉環(huán)，徹底解決了關鍵裝備“卡脖子”風險，為下游產(chǎn)業(yè)提供了新的成本與效率基準。