9月26-28日，“2025新一代半導(dǎo)體晶體材料技術(shù)及應(yīng)用大會(huì)”將于云南昆明舉辦。屆時(shí)，浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心科創(chuàng)百人計(jì)劃研究員韓學(xué)峰將受邀出席論壇，并帶來了《PVT法生長(zhǎng)4H-SiC晶體的缺陷形成與摻雜機(jī)理研究》的主題報(bào)告，敬請(qǐng)關(guān)注！

嘉賓簡(jiǎn)介

韓學(xué)峰，浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心“科創(chuàng)百人”計(jì)劃研究員。2016年博士畢業(yè)于首爾大學(xué)，曾在日本九州大學(xué)、法國格勒諾布爾阿爾卑斯大學(xué)開展博士后研究。長(zhǎng)期從事大尺寸硅及碳化硅單晶生長(zhǎng)過程中傳熱傳質(zhì)現(xiàn)象與數(shù)據(jù)科學(xué)研究，與國內(nèi)外領(lǐng)先半導(dǎo)體材料企業(yè)建立了深入的合作關(guān)系。創(chuàng)新開發(fā)出偏角生長(zhǎng)計(jì)算模型，基于該模型首先提出使用大籽晶降低基平面位錯(cuò)策略。同時(shí)研發(fā)了多段式電阻加熱技術(shù)，助力合作企業(yè)入選杭州獨(dú)角獸企業(yè)。發(fā)表SCI論文40余篇，第一及通訊作者30余篇。獲得授權(quán)發(fā)明專利6項(xiàng)。作為負(fù)責(zé)人承擔(dān)國家自然科學(xué)基金項(xiàng)目，作為參與單位負(fù)責(zé)人承擔(dān)浙江省科技廳“尖兵”研發(fā)攻關(guān)計(jì)劃項(xiàng)目，浙江省自然基金重大項(xiàng)目，杭州市“西湖明珠工程” 領(lǐng)軍型創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)項(xiàng)目。入選浙江省海外高層次人才。擔(dān)任晶體生長(zhǎng)領(lǐng)域權(quán)威SCI期刊《Journal of Crystal Growth》客座編輯，SCI期刊《Crystals》客座編輯，中文核心期刊《人工晶體學(xué)報(bào)》青年編委、碳化硅及相關(guān)材料國際會(huì)議（ICSCRM）組委會(huì)成員、第二十一屆國際晶體生長(zhǎng)大會(huì)（ICCGE-21）分會(huì)主席、第九屆亞洲晶體生長(zhǎng)技術(shù)大會(huì)（CGCT-9）分會(huì)主席、2025年第八屆機(jī)器學(xué)習(xí)與機(jī)器智能國際會(huì)議（MLMI2025）分會(huì)主席。 

單位簡(jiǎn)介

浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心成立于2019年9月20日，是新時(shí)代杭州市和浙江大學(xué)全面深化市校合作共建的重大創(chuàng)新平臺(tái)，是建設(shè)高水平創(chuàng)新型省份、打造區(qū)域科創(chuàng)高地的重大工程，是服務(wù)浙江打造“重要窗口”推進(jìn)“兩個(gè)先行”的重要舉措。浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心依托研究院、創(chuàng)新工坊在內(nèi)的23個(gè)創(chuàng)新平臺(tái)，系統(tǒng)搭建“3全國重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室+1省技術(shù)創(chuàng)新中心+1省制造業(yè)創(chuàng)新中心+1省級(jí)研究院+9省重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室（4個(gè)牽頭、5個(gè)參與）+3省工程研究中心+3省國際聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室+1省國際合作基地”創(chuàng)新體系。 

報(bào)告前瞻

報(bào)告題目：PVT法生長(zhǎng)4H-SiC晶體的缺陷形成與摻雜機(jī)理研究

報(bào)告摘要：本研究采用PVT法制備4H-SiC晶體，系統(tǒng)研究了晶體中的雜質(zhì)與位錯(cuò)行為。通過三維建模分析發(fā)現(xiàn)，工業(yè)上廣泛使用的4度偏軸籽晶是導(dǎo)致基面位錯(cuò)（BPD）呈四重對(duì)稱分布的主要原因，模擬計(jì)算得到的BPD密度與實(shí)驗(yàn)測(cè)量結(jié)果高度吻合。實(shí)驗(yàn)進(jìn)一步揭示了電學(xué)性質(zhì)的空間分布規(guī)律：p型和n型碳化硅在軸向與徑向上表現(xiàn)出截然相反的電阻率分布趨勢(shì)。此外，研究還發(fā)現(xiàn)過小的徑向溫度梯度極易誘發(fā)多型夾雜現(xiàn)象。通過建立二維全局計(jì)算模型，本研究深入分析了生長(zhǎng)界面溫度、C/Si比和氮摻雜量隨晶體生長(zhǎng)的動(dòng)態(tài)演化規(guī)律，并綜合考慮了坩堝內(nèi)氣體交換過程與腐蝕反應(yīng)的影響，闡明了這些因素對(duì)晶體生長(zhǎng)速率、溫度場(chǎng)分布、C/Si比及氮?dú)鉂舛确植嫉恼{(diào)控機(jī)制。計(jì)算結(jié)果與實(shí)驗(yàn)觀測(cè)一致，基于此提出了PVT生長(zhǎng)過程中氮摻雜效率的估算值。

附會(huì)議信息： 

【會(huì)議時(shí)間】 2025年9月26-28日

【會(huì)議地點(diǎn)】云南·昆明 

【指導(dǎo)單位】

  第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）

  中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）

【主辦單位】

  云南臨滄鑫圓鍺業(yè)股份有限公司

 極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)（www.huizhouyinshua.cn）

 半導(dǎo)體照明網(wǎng)(www.china-led.net)

 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

【承辦單位】

云南鑫耀半導(dǎo)體材料有限公司

北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司

【支持單位】

賽迪智庫集成電路研究所

 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所

 云南大學(xué)

 山東大學(xué)

 云南師范大學(xué)

 昆明理工大學(xué)

 晶體材料全國重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室

.....

【關(guān)鍵材料】

1、鍺、硅、砷化鎵、磷化銦等半導(dǎo)體材料生長(zhǎng)與加工關(guān)鍵技術(shù)、器件工藝及應(yīng)用研究；

2、氮化鎵、碳化硅等第三代半導(dǎo)體材料生長(zhǎng)與加工關(guān)鍵技術(shù)、器件工藝及應(yīng)用研究；

3、氮化鋁、金剛石、氧化鎵等超寬禁帶半導(dǎo)體材料生長(zhǎng)與加工關(guān)鍵技術(shù)、器件工藝及應(yīng)用研究；

【主要方向】

1.化合物半導(dǎo)體單晶與外延材料

（砷化鎵，磷化銦，氮化鎵，碳化硅，氮化鋁，氧化鎵，氮化硼，藍(lán)寶石，鈮酸鋰等晶體、外延生長(zhǎng)及模擬設(shè)計(jì)等）

2. 硅、高純鍺及鍺基材料

（大硅片生長(zhǎng)及及應(yīng)用，直拉法或區(qū)熔法等單晶生長(zhǎng)，原料提純，GeSi、GeSn、GeC 等多元單晶薄膜，切片與機(jī)械拋光，摻雜調(diào)控離子注入等） 

3.高純金屬、原輔料制備及晶體外延生長(zhǎng)與加工關(guān)鍵裝備

（高純前驅(qū)體，高純?cè)噭?，高純氣體，高純粉體， 長(zhǎng)晶爐，MOCVD,  MBE, LPE，PVT 等外延生長(zhǎng)裝備，Mo源，MBE 源， 石墨，切割，研磨及拋光設(shè)備與材料，檢測(cè)設(shè)備等）

4.測(cè)試評(píng)價(jià)及AI for Science

（AI 驅(qū)動(dòng)的測(cè)試評(píng)價(jià)革新， 缺陷工程與摻雜策略、晶體生長(zhǎng)智能調(diào)控、缺陷實(shí)時(shí)檢測(cè)與修復(fù)，多尺度建模，綠色制造優(yōu)化 等）

5.光電子器件工藝與應(yīng)用

（發(fā)光二極管，激光二極管，光電探測(cè)器件，太陽能電池，照明與顯示，激光雷達(dá)，光通信，量子技術(shù)等）

6.通訊射頻器件工藝與應(yīng)用

（功率放大器，低噪聲放大器，濾波器，開關(guān)器件，移動(dòng)通信，衛(wèi)星通信，低空飛行器，無人機(jī)，射頻能量等）

7.能源電子及應(yīng)用

（風(fēng)電&光伏&儲(chǔ)能新能源，電動(dòng)汽車，數(shù)據(jù)中心，工業(yè)電源，電機(jī)節(jié)能，軌道交通，智能電網(wǎng)，航空航天，工業(yè)控制，變頻家電，消費(fèi)電子，儀器儀表等）

8.綠色廠務(wù)及質(zhì)量管控

（潔凈廠房，高純水制備，化學(xué)品供應(yīng)，特氣供應(yīng)，廢氣處理及排放，廢液處理，大宗氣體供應(yīng)及質(zhì)量管控等）

【程序委員會(huì)】

大會(huì)主席：惠峰 （云南鍺業(yè)）

副主席：陳秀芳（山東大學(xué)）、趙璐冰（CASA)

委員：趙德剛（中科院半導(dǎo)體所）、康俊勇（廈門大學(xué)）、 徐寶強(qiáng)（昆明理工）、皮孝東（浙江大學(xué)）、耿博（CASA)、王軍喜（中科院半導(dǎo)體所）、孫錢（中科院蘇州納米所）、王垚浩（南砂晶圓)、 涂潔磊（云師大）、王宏興（西交大）、彭燕（山東大學(xué)）、李強(qiáng)（西交大）、寧靜（西電）、修向前（南京大學(xué)）、郭杰（云師大）、王茺（云南大學(xué)）、邱峰（云南大學(xué)）、楊杰（云南大學(xué)）、謝自力（南京大學(xué)）、葛振華（昆明理工大學(xué)）、田陽（昆明理工大學(xué)）、魏同波（中科院半導(dǎo)體所）、許福軍（北京大學(xué)）、徐明升（山東大學(xué)）、孫海定（中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)）、田朋飛（復(fù)旦大學(xué)）、劉玉懷（鄭州大學(xué)）、朱振（浪潮華光）、楊曉光（中科院半導(dǎo)體所）、高娜（廈門大學(xué)）、陳飛宏（云南鍺業(yè)）、康森（天通控股）、解楠（賽迪研究院 )、房玉龍（中電科十三所）、鄧家云（昆明理工大學(xué)）、李寶學(xué)（云鍺紅外） ......等

【日程安排】

【擬參與單位】

中科院半導(dǎo)體所、鑫耀半導(dǎo)體，南砂晶圓，藍(lán)河科技，天通控股，中電科十三所，南京大學(xué)，廈門大學(xué)，士佳光子，云鍺紅外，昆明理工大學(xué)，西安電子科技大學(xué)，中科院物理所，中電科四十八所，陜西源杰，九峰山實(shí)驗(yàn)室，中微公司，矢量集團(tuán)，晶盛機(jī)電，連科半導(dǎo)體，晶澳太陽能  美科太陽能 高景太陽能   中研科精密 華夏芯智慧光子，國聯(lián)萬眾，凝慧電子，晶湛半導(dǎo)體，英諾賽科，中光睿華，連城數(shù)控，云南大學(xué)，阿特斯陽光電力，山東大學(xué)，云南師范大學(xué)，中科院技物所，隆基電磁， 晶鎵半導(dǎo)體，南砂晶圓、西安聚能超導(dǎo)，蘇州納維，中科院物理所，浙江大學(xué)，云南鍺業(yè)，通美晶體，三安光電，電子科技大學(xué)，深圳平湖實(shí)驗(yàn)室，中科院長(zhǎng)春光機(jī)所，廣東工業(yè)大學(xué)，南方科技大學(xué)， 隆基綠能，合盛硅業(yè)，中光睿華，復(fù)旦大學(xué)，中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)， 西安交通大學(xué)，江蘇第三代半導(dǎo)體研究院， 光迅科技，鎵和半導(dǎo)體 全磊光電 新易盛  昆明物理所，科友半導(dǎo)體，STR，河北同光，香港科技大學(xué)，深圳納設(shè) 中科院蘇州納米所，中科院上海光機(jī)所，哈工大等等 

【活動(dòng)參與】

1、注冊(cè)費(fèi)：會(huì)議通票2800元；早鳥票：9月20日前注冊(cè)報(bào)名2600元；（含會(huì)議資料袋，9月27日午餐、晚宴，9月28日午餐等 ）。

2、繳費(fèi)方式：

①銀行匯款

開戶行：中國銀行北京科技會(huì)展中心支行

賬 號(hào)：336 356 029 261

名 稱：北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司 

②在線注冊(cè)

掃碼注冊(cè)報(bào)名

③現(xiàn)場(chǎng)繳費(fèi)（微信+支付寶）

【論文投稿及報(bào)告咨詢】

賈老師:18310277858，jiaxl@casmita.com 

李老師:18601994986，linan@casmita.com 

【參會(huì)參展及商務(wù)合作】

賈先生:18310277858,jiaxl@casmita.com 

張女士:13681329411,zhangww@casmita.com 

【會(huì)議酒店】

酒店名稱：昆明億壕城堡溫德姆至尊酒店

酒店地址：中國（云南）自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)昆明片區(qū)經(jīng)開區(qū)楓丹白露花園

協(xié)議價(jià)格：430元/晚（含雙早）

酒店預(yù)定聯(lián)系: 陳經(jīng)理，13759452505(微信同號(hào)）

郵箱：13759452505@139.com