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晶盛機電：正式形成了12英寸SiC襯底從裝備到材料的完整閉環(huán)

激光隱形切割SiC晶錠效率大幅提升！國創(chuàng)中心（蘇州）大尺寸碳化硅激光切割技術(shù)取得突破性進展

深圳平湖實驗室與西安理工大學合作在SiC光控晶體管研制方面取得新進展

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|香港科技大學張薇葭：SiC功率MOSFET有源柵極驅(qū)動器綜述

機構(gòu)：十年內(nèi)車用SiC、GaN功率半導(dǎo)體市場規(guī)模將增長兩倍，至420億美元

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|九州大學西澤伸一：綠色社會時代下的SiC材料技術(shù)

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|韓國東義大學WON-JAE LEE：SiC晶體高質(zhì)量、低成本體生長研究進展

晶盛機電12英寸SiC中試線通線

晶盛機電12英寸SiC中試線通線

英飛凌與羅姆簽署合作備忘錄，攜手推進SiC功率器件封裝兼容性

SiC 新型功率 MOS 器件結(jié)構(gòu)以及柵驅(qū)動電路的設(shè)計與研究

2025云南晶體大會前瞻|浙江大學杭州國際科創(chuàng)中心韓學峰：PVT法生長4H-SiC晶體的缺陷形成與摻雜機理研究

三安宣布湖南8英寸SiC芯片生產(chǎn)線投產(chǎn)運營

新潔能延期包括第三代半導(dǎo)體SiC/GaN功率器件及封測等三個募投項目

天岳先進開啟招股，擬募資約18億擴張大尺寸SiC襯底產(chǎn)能

羅姆第一財季營業(yè)利潤驟降84.6%，承認中國SiC基板功能已達到頂級水平

國際首發(fā)！深圳平湖實驗室研制8英寸4°傾角4H-SiC上高質(zhì)量GaN外延

九峰山實驗室新型SiC Trench MOSFET科研級器件樣品發(fā)布！

小米YU7電動SUV車型將搭載安森美EliteSiC M3e技術(shù)的先進800V驅(qū)動平臺

英飛凌推出采用Q-DPAK 封裝的CoolSiC? MOSFET 1200V G2

廣州粵升8英寸SiC外延設(shè)備完成研發(fā)并出貨

安森美和舍弗勒擴大合作，推出基于EliteSiC的新型插電式混合動力汽車平臺

晶越半導(dǎo)體研制出高品質(zhì)12英寸SiC晶錠

標準 | “基于感性負載的SiC 功率模塊老化篩選試驗方法”形成委員會草案

瞻芯電子第3代1200V 35mΩ SiC MOSFET量產(chǎn)交付應(yīng)用，贏得市場認可

深圳平湖實驗室在SiC激光剝離技術(shù)領(lǐng)域取得新進展，性能指標達到國際先進水平

晶盛機電馬來西亞 SiC 工廠啟動！

斯達半導(dǎo)擬再融資15億元，投向SiC等3大車規(guī)器件項目

中電化合物與甬江實驗室簽署戰(zhàn)略合作框架協(xié)議，推動SiC材料在AR領(lǐng)域的創(chuàng)新應(yīng)用

標準 | 《半橋拓撲中SiC MOSFET開關(guān)損耗準確評估測試方法》立項

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