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清純半導(dǎo)體推出第3代SiC MOSFET產(chǎn)品平臺

納微半導(dǎo)體推出全新SiCPAK?功率模塊

標(biāo)準(zhǔn) | SiC MOSFET 有功對拖/雜感/AC-溫濕度循環(huán)試驗(yàn)方法立項(xiàng)

標(biāo)準(zhǔn) | SiC MOSFET晶圓級老化及篩選試驗(yàn)方法立項(xiàng)

標(biāo)準(zhǔn) | SiC MOSFET模塊局部放電試驗(yàn)方法立項(xiàng)

意法半導(dǎo)體：未來3年聚焦12英寸Si/8英寸SiC的研發(fā)和建設(shè)

天岳先進(jìn)SiC單晶項(xiàng)目即將投產(chǎn)

士蘭微基于第Ⅳ代SiC芯片的功率模塊預(yù)計(jì)將于2025年上量

黑龍江匯芯半導(dǎo)體申請集成有SiC功率器件短路保護(hù)的智能功率模塊專利，短路保護(hù)精度和效率更高

中南大學(xué)何軍、鐘綿增，浙江大學(xué)李京波：通過調(diào)控電場分布實(shí)現(xiàn)高均勻性的耐高壓晶圓級4H-SiC紫外光電探測器

聞泰科技：公司預(yù)計(jì)包括SiC、GaN和IGBT在內(nèi)的高壓功率器件和模擬芯片產(chǎn)品將從2025年底開始逐步放量

標(biāo)準(zhǔn) | “基于感性負(fù)載的SiC 功率模塊老化篩選試驗(yàn)方法”征求意見

中信證券：建議關(guān)注SiC器件領(lǐng)軍廠商以及襯底環(huán)節(jié)的本土龍頭

芯聯(lián)集成：公司SiC MOSFET系列工藝平臺方面實(shí)現(xiàn)了650V到2000V系列的全面布局

英飛凌推出CoolSiC?肖特基二極管2000V的TO-247-2封裝，在提升效率的同時(shí)簡化設(shè)計(jì)

總投資約70億！蘇州又一碳化硅（SiC）項(xiàng)目建成

瞻芯電子推出1200V SiC 半橋1B封裝模塊，助力高頻高效應(yīng)用

蘇州創(chuàng)芯致尚取得一種SIC MOSFET芯片生產(chǎn)用切割裝置專利，提高切割穩(wěn)定性和精準(zhǔn)度

浙江大學(xué)任娜：基于P型碳化硅襯底材料的結(jié)勢壘肖特基二極管|CASICON重慶站

天通銀廈康森：大尺寸藍(lán)寶石晶圓技術(shù)發(fā)展及其在半導(dǎo)體領(lǐng)域的應(yīng)用?|CASICON重慶站

泰克科技張欣：新型功率器件的特性表征?|CASICON重慶站

賽邁科吳厚政：精細(xì)石墨元件化合物半導(dǎo)體高質(zhì)量產(chǎn)業(yè)化的關(guān)鍵支撐?|CASICON重慶站

鎵仁半導(dǎo)體董事長張輝：大尺寸高質(zhì)量氧化鎵單晶材料進(jìn)展 | CASICON重慶站

中宜創(chuàng)芯董事長孫毅：碳化硅半導(dǎo)體粉體進(jìn)展 | CASICON重慶站

瞻芯電子推出2000V SiC 4相升壓模塊，3B封裝提升系統(tǒng)功率密度

CASICON重慶站：全面聚焦氮化鎵、氧化鎵、金剛石功率半導(dǎo)體技術(shù)及應(yīng)用發(fā)展

CASICON重慶站：眾專家齊聚探討8英寸碳化硅晶圓智能制造新進(jìn)展

智新半導(dǎo)體SiC模塊封裝產(chǎn)線迎最新進(jìn)展

某單位SIC2024年第五批服務(wù)公開招標(biāo)采購項(xiàng)目（二次）公開招標(biāo)公告

報(bào)告前瞻|湖南三安半導(dǎo)體許志維：SiC MOSFET器件技術(shù)之發(fā)展與挑戰(zhàn)

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