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寬禁帶半導(dǎo)體進(jìn)軍新能源汽車，國(guó)內(nèi)業(yè)者應(yīng)如何正視差距補(bǔ)齊短板？

聚辰股份：GT8101超強(qiáng)抗負(fù)壓MOSFET半橋驅(qū)動(dòng)芯片已經(jīng)量產(chǎn)

功率器件火爆！安世半導(dǎo)體多款MOSFET產(chǎn)品交期現(xiàn)已高達(dá)69周

預(yù)計(jì)MOSFET原廠將在Q4開(kāi)啟一波漲價(jià)潮

峰岹科技科創(chuàng)板IPO申請(qǐng)獲受理，擬募資5.55億升級(jí)國(guó)產(chǎn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片

MOSFET 功率半導(dǎo)體新一輪大漲價(jià)

中電南方國(guó)基集團(tuán)李士顏：功率碳化硅MOSFET芯片及模塊研究進(jìn)展及應(yīng)用

功率半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程提速，當(dāng)前國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)格局如何？

CREE科銳John Palmour ：賦能未來(lái)，勇往直前 SiC MOSFET問(wèn)世10周年的思索

東芝推出采用TOLL封裝的650V超級(jí)結(jié)功率MOSFET 助力提高大電流設(shè)備的效率

東芝將新建 300mm 晶圓廠，用于生產(chǎn) MOSFET 和 IGBT

新一代 SiC 功率 MOSFET 器件研究進(jìn)展

東芝推出新款碳化硅MOSFET模塊，有助于提升工業(yè)設(shè)備效率和小型化

碳化硅，十四五研發(fā)的第三代半導(dǎo)體熱門(mén)材料！

安森美半導(dǎo)體發(fā)布新的650 V碳化硅 (SiC) MOSFET

聯(lián)合電子首款基于 SiC MOSFET的 6.6kW 車載充配電單元批產(chǎn)

中國(guó)公司在汽車半導(dǎo)體領(lǐng)域的發(fā)展方向

如何減少SiC MOSFET的EMI和開(kāi)關(guān)損耗

紫光國(guó)微：公司半導(dǎo)體功率器件業(yè)務(wù)的主要產(chǎn)品包括MOSFET、IGBT、IGTO等以及相關(guān)的電源管理集成電路產(chǎn)品

我國(guó)功率半導(dǎo)體行業(yè)整體發(fā)展向好 MOSFET市場(chǎng)規(guī)?？焖僭鲩L(zhǎng)

青銅劍科技董事長(zhǎng)汪之涵：用心打造中國(guó)“芯”

華潤(rùn)微發(fā)漲價(jià)函！打響2021年，MOSFET漲價(jià)第一槍

日本豐田汽車公司Kimimori HAMADA：超窄體（UNB）MOSFET和接地窄而深p（GND）MOSFET的4H-SiC MOSFET的新挑戰(zhàn)性結(jié)構(gòu)

中電科55所李士顏博士：碳化硅功率MOSFET研究進(jìn)展

東芝推出1200V碳化硅MOSFET！適用于高效率電源

8吋晶圓產(chǎn)能緊缺，MOSFET價(jià)格加速上漲

六步挑選一個(gè)碳化硅MOSFET

晶圓產(chǎn)能緊張需求暴漲 MOSFET價(jià)格或飆升20%

減少開(kāi)關(guān)損耗：儒卓力提供來(lái)自羅姆的節(jié)能SiC-MOSFET

SiC MOSFET應(yīng)用技術(shù)在雪崩條件下的魯棒性評(píng)估

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