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IFWS2025：碳化硅功率電子器件及其封裝技術(shù)分會(huì)最新報(bào)告出爐！

Allegro MicroSystems推出業(yè)界首款量產(chǎn)級(jí)10 MHz TMR電流傳感器為寬禁帶功率電子器件提供精準(zhǔn)保護(hù)與控制

最新報(bào)告出爐！IFWS2025:氮化鎵功率電子及封裝技術(shù)論壇——驅(qū)動(dòng)能效革命，賦能AI芯動(dòng)力

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)楊樹(shù)：GaN功率電子器件動(dòng)態(tài)性能提升與抗輻照加固技術(shù)

Imec啟動(dòng)300mm GaN項(xiàng)目，專(zhuān)注低壓和高壓功率電子器件的300mm GaN技術(shù)

中科院微電子所黃森、劉新宇團(tuán)隊(duì)在GaN外延位錯(cuò)傳導(dǎo)載流子及其導(dǎo)致功率電子器件可靠性退化機(jī)制方面取得重要進(jìn)展

國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃“氧化鎵單片功率電子集成器件研究”項(xiàng)目啟動(dòng)會(huì)暨實(shí)施方案論證會(huì)成功召開(kāi)

CSPSD 2025前瞻|中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)楊樹(shù)：高壓低阻垂直型GaN功率電子器件研究

2025JFSC平行論壇5丨功率電子技術(shù)，精彩議題搶先看

北京大學(xué)團(tuán)隊(duì)在GaN基功率電子器件研究上取得系列重要進(jìn)展

北大集成電路學(xué)院研究團(tuán)隊(duì)在GaN基功率電子器件研究上取得系列重要進(jìn)展

氮化鎵功率電子器件技術(shù)進(jìn)展探討（三）?|IFWS&SSLCHINA2024

氮化鎵功率電子器件技術(shù)進(jìn)展探討（二）|IFWS&SSLCHINA2024

氮化鎵功率電子器件技術(shù)進(jìn)展探討（一） |IFWS&SSLCHINA2024

Victor Veliadis教授：加速碳化硅芯片和功率電子的商業(yè)化進(jìn)程

氮化鎵功率電子器件技術(shù)分會(huì)日程出爐|IFWS 2024前瞻

中國(guó)科大微電子學(xué)院在GaN功率電子器件浪涌特性研究方向取得新進(jìn)展

CASICON晶體大會(huì)前瞻 |廣東工業(yè)大學(xué)張紫輝：界面缺陷效應(yīng)對(duì) GaN功率電子器件的影響研究

2024九峰山論壇報(bào)告公布！平行論壇5：功率電子技術(shù)

Yole：盡管當(dāng)前全球經(jīng)濟(jì)面臨挑戰(zhàn)，但功率電子用碳化硅的增長(zhǎng)軌跡依然未變

IFWS 2023│追蹤氮化鎵功率電子器件技術(shù)新進(jìn)展

IFWS 2023前瞻│氮化鎵功率電子器件技術(shù)分會(huì)日程出爐

2023 先進(jìn)IGBT及第三代半導(dǎo)體功率電子技術(shù)與應(yīng)用論壇上海舉行

江蘇宏微科技受邀將出席2023 先進(jìn)IGBT及第三代半導(dǎo)體功率電子技術(shù)與應(yīng)用論壇

重要！中車(chē)時(shí)代電氣/清純半導(dǎo)體/中電科/快克智能/宏微科技/賽米卡爾等單位齊聚上海IGBT功率電子論壇

日程出爐 2023先進(jìn)IGBT及第三代半導(dǎo)體功率電子技術(shù)與應(yīng)用論壇即將啟程

復(fù)旦大學(xué)研究員雷光寅受邀將出席2023先進(jìn)IGBT及第三代半導(dǎo)體功率電子技術(shù)與應(yīng)用論壇并做主題報(bào)告

中電科55所李赟受邀將出席2023先進(jìn)IGBT及第三代半導(dǎo)體功率電子技術(shù)與應(yīng)用論壇并做主題報(bào)告

共創(chuàng)未來(lái)，引領(lǐng)IGBT及第三代半導(dǎo)體功率電子技術(shù)與應(yīng)用

中國(guó)科大在功率電子器件領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

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