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CSPSD2025 | 近30位專家學(xué)者齊聚探討氮化鎵及超寬禁帶功率器件新未來！

CSPSD2025 | 二十余位專家學(xué)者共話硅、碳化硅器件及其他高壓功率器件新進(jìn)展！

標(biāo)準(zhǔn) |“GaN HEMT DHTOL、功率器件用硅襯底GaN HEMT外延片”2項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)形成征求意見稿

CSPSD 2025前瞻|西安電子科技大學(xué)張進(jìn)成:鎵系半導(dǎo)體功率器件研究進(jìn)展

CSPSD 2025前瞻|中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)徐光偉：基于摻雜調(diào)控和缺陷工程的氧化鎵功率器件研究

CSPSD 2025前瞻|浙江大學(xué)王珩宇：碳化硅功率器件空間電荷補(bǔ)償技術(shù)

CSPSD 2025前瞻|揚(yáng)杰科技施俊：SiC功率器件的技術(shù)發(fā)展和應(yīng)用、挑戰(zhàn)和未來趨勢(shì)

CSPSD 2025前瞻|南京大學(xué)陳敦軍：p-NiO/AlGaN/GaN HEMT功率器件及其載流子輸運(yùn)與調(diào)控

CSPSD 2025前瞻|九峰山實(shí)驗(yàn)室袁?。盒滦投嗉?jí)溝槽氧化鎵功率器件的研究

CSPSD 2025前瞻|?深圳大學(xué)劉新科：低成本GaN基GaN功率器件

CSPSD 2025前瞻|西安電子科技大學(xué)宋慶文：高性能SiC功率器件關(guān)鍵技術(shù)研究進(jìn)展

CSPSD 2025前瞻|江南大學(xué)黃偉：高性能宇航級(jí)SGT功率器件與輻照模型研究

江南大學(xué)成果推介:氮化鎵微波功率器件

總投資超50億元，中低壓功率器件產(chǎn)業(yè)化（株洲）建設(shè)項(xiàng)目封頂

CSPSD 2025前瞻|南京大學(xué)周峰：氮化鎵功率器件輻射效應(yīng)與加固技術(shù)研究

CSPSD 2025前瞻|愛發(fā)科王鶴鳴：面向功率器件制造的先進(jìn)離子注入解決方案的集成工藝與創(chuàng)新

CSPSD 2025前瞻|北京大學(xué)魏進(jìn)：GaN功率器件動(dòng)態(tài)電阻與動(dòng)態(tài)閾值電壓

CSPSD 2025前瞻|熾芯微電子朱正宇：功率器件封裝技術(shù)的發(fā)展及展望

CSPSD 2025前瞻|中國科學(xué)院微電子所黃森：高可靠GaN基MIS-HEMT功率器件與集成

標(biāo)準(zhǔn) |“GaN HEMT DHTOL、功率器件用硅襯底GaN HEMT外延片”2項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)形成征求意見稿

三安半導(dǎo)體“碳化硅功率器件的制備方法及其碳化硅功率器件”專利公布

MaM發(fā)表深圳大學(xué)劉新科團(tuán)隊(duì)綜述文章：下一代功率器件的GaN-on-diamond技術(shù)

黑龍江匯芯半導(dǎo)體申請(qǐng)集成有SiC功率器件短路保護(hù)的智能功率模塊專利，短路保護(hù)精度和效率更高

魯晶半導(dǎo)體與山東大學(xué)共建碳化硅功率器件產(chǎn)學(xué)研合作新生態(tài)

聞泰科技：公司預(yù)計(jì)包括SiC、GaN和IGBT在內(nèi)的高壓功率器件和模擬芯片產(chǎn)品將從2025年底開始逐步放量

西電張進(jìn)成教授等在金剛石高壓功率器件領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

泰克科技張欣：新型功率器件的特性表征?|CASICON重慶站

報(bào)告前瞻| 陽光電動(dòng)力萬富翔：新一代功率器件并聯(lián)技術(shù)在電驅(qū)系統(tǒng)的應(yīng)用

CASA立項(xiàng)《HEMT功率器件用硅襯底氮化鎵外延片》1項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)

長(zhǎng)飛先進(jìn)半導(dǎo)體申請(qǐng)功率器件及相關(guān)專利，降低功耗

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