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廣東致能：全球首發(fā)硅基垂直 GaN HEMT 功率器件技術

標準/“GaN HEMT開關可靠性試驗、功率器件用硅襯底GaN外延片”2項標準形成委員會草案

YOLE：2030年碳化硅功率器件市場規(guī)模將破百億美元

廈門士蘭微8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線項目（一期）首臺設備提前搬入

西交利物浦大學劉雯課題組招收氮化鎵功率器件方向博士生（英國利物浦大學學位）

斯達半導體車規(guī)級功率器件全球制造總部項目簽約落戶南湖

南郵郭宇鋒教授團隊首次在功率器件領域國際頂級學術會議發(fā)表論文

南京大學團隊在國際功率半導體會議ISPSD上發(fā)布兩項宇航用氮化鎵功率器件輻照效應研究成果

浙江大學電氣工程學院PEDL團隊五項重要成果在功率器件頂級會議ISPSD發(fā)表

新成果！深圳大學在寬禁帶半導體功率器件領域取得突破性進展

CSPSD2025 | 近30位專家學者齊聚探討氮化鎵及超寬禁帶功率器件新未來！

CSPSD2025 | 二十余位專家學者共話硅、碳化硅器件及其他高壓功率器件新進展！

標準 |“GaN HEMT DHTOL、功率器件用硅襯底GaN HEMT外延片”2項標準形成征求意見稿

CSPSD 2025前瞻|西安電子科技大學張進成:鎵系半導體功率器件研究進展

CSPSD 2025前瞻|中國科學技術大學徐光偉：基于摻雜調控和缺陷工程的氧化鎵功率器件研究

CSPSD 2025前瞻|浙江大學王珩宇：碳化硅功率器件空間電荷補償技術

CSPSD 2025前瞻|揚杰科技施?。篠iC功率器件的技術發(fā)展和應用、挑戰(zhàn)和未來趨勢

CSPSD 2025前瞻|南京大學陳敦軍：p-NiO/AlGaN/GaN HEMT功率器件及其載流子輸運與調控

CSPSD 2025前瞻|九峰山實驗室袁?。盒滦投嗉墱喜垩趸?span id="yickq2s" class="highlight">功率器件的研究

CSPSD 2025前瞻|?深圳大學劉新科：低成本GaN基GaN功率器件

CSPSD 2025前瞻|西安電子科技大學宋慶文：高性能SiC功率器件關鍵技術研究進展

CSPSD 2025前瞻|江南大學黃偉：高性能宇航級SGT功率器件與輻照模型研究

江南大學成果推介:氮化鎵微波功率器件

總投資超50億元，中低壓功率器件產(chǎn)業(yè)化（株洲）建設項目封頂

CSPSD 2025前瞻|南京大學周峰：氮化鎵功率器件輻射效應與加固技術研究

CSPSD 2025前瞻|愛發(fā)科王鶴鳴：面向功率器件制造的先進離子注入解決方案的集成工藝與創(chuàng)新

CSPSD 2025前瞻|北京大學魏進：GaN功率器件動態(tài)電阻與動態(tài)閾值電壓

CSPSD 2025前瞻|熾芯微電子朱正宇：功率器件封裝技術的發(fā)展及展望

CSPSD 2025前瞻|中國科學院微電子所黃森：高可靠GaN基MIS-HEMT功率器件與集成

標準 |“GaN HEMT DHTOL、功率器件用硅襯底GaN HEMT外延片”2項標準形成征求意見稿

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