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濱州發(fā)布新材料產(chǎn)業(yè)科技創(chuàng)新“路線圖”

《Nature》：金剛石中氮空位中心系綜的自旋擠壓！

西電郝躍院士、西安交大周磊簜團隊與晟光硅研楊森協(xié)同攻關(guān)丨低溫超臨界流體處理在退化β相氧化鎵基二極管中恢復與增強電學性能的應(yīng)用

晶盛機電：正式形成了12英寸SiC襯底從裝備到材料的完整閉環(huán)

IFWS2025：碳化硅材料生長及應(yīng)用分會最新報告出爐！

極鉬芯科技攜手南京大學榮登《Science》！突破二維半導體單晶制備關(guān)鍵技術(shù)

總投資5.3億元，三月科技新型光電材料高端生產(chǎn)基地開業(yè)

深圳平湖實驗室與西安理工大學合作在SiC光控晶體管研制方面取得新進展

首次！我國芯片領(lǐng)域取得新突破

IFWS&SSLCHINA 2025：氮化物材料生長及光電技術(shù)分會最新報告出爐！

成本直降98%！微合金化復合焊片：媲美燒結(jié)銀性能的功率半導體封裝新技術(shù)

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|北京大王平：新興纖鋅礦氮化物鐵電半導體材料與器件

天成半導體成功研制12英寸高純半決絕緣單晶材料

新突破│鎵仁半導體首發(fā)VB法生長最厚6英寸（010）面氧化鎵晶體

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|九州大學西澤伸一：綠色社會時代下的SiC材料技術(shù)

寬禁帶半導體超越照明材料與技術(shù)全國重點實驗室2025年度開放課題申請指南

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IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|日本國立物質(zhì)材料研究所廖梅勇：n型溝道金剛石MOSFET的演示

路明科技集團肖志國：稀土發(fā)光材料與半導體發(fā)光芯片技術(shù)突破與前沿進展

成果| 電子科大在異質(zhì)集成柔性GaN射頻功率放大器方面取得重要進展！

上海大學張建華教授、任開琳副教授與晶湛半導體合作在氮化鎵光電單片集成方面取得新進展

2025云南晶體大會|聚焦鍺及化合物半導體晶體材料最新進展

2025新一代半導體晶體材料技術(shù)及應(yīng)用大會昆明盛大開幕

參會提醒｜2025新一代半導體晶體材料技術(shù)及應(yīng)用大會9月26-28日云南昆明召開！

應(yīng)用材料與格羅方德合作加速光子技術(shù)創(chuàng)新

西電郝躍院士團隊張進成教授、周弘教授取得百安千伏級高壓氧化鎵功率器件研究突破

倒計時3天！2025新一代半導體晶體材料技術(shù)及應(yīng)用大會即將在昆明啟幕！

邀請函|博宏源邀您共赴2025新一代半導體晶體材料技術(shù)及應(yīng)用大會

邀請函|南砂晶圓邀您共赴2025新一代半導體晶體材料技術(shù)及應(yīng)用大會

邀請函|華光光電邀您共赴2025新一代半導體晶體材料技術(shù)及應(yīng)用大會

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