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CSPSD 2025前瞻|西安電子科技大學宋慶文：高性能SiC功率器件關鍵技術研究進展

CSPSD 2025前瞻|江南大學黃偉：高性能宇航級SGT功率器件與輻照模型研究

TMC2025車規(guī)級功率半導體論壇劇透：破解新能源“卡脖子”技術

江南大學成果推介:氮化鎵微波功率器件

總投資超50億元，中低壓功率器件產業(yè)化（株洲）建設項目封頂

CSPSD 2025前瞻|南京大學周峰：氮化鎵功率器件輻射效應與加固技術研究

2025車用功率半導體應用技術培訓會將在廣州南沙舉辦

CSPSD 2025前瞻|新微半導體王慶宇：氮化鎵賦能未來，突破功率極限，開啟能效革命

CSPSD 2025前瞻|愛發(fā)科王鶴鳴：面向功率器件制造的先進離子注入解決方案的集成工藝與創(chuàng)新

CSPSD 2025前瞻|昕感科技李道會：面向車規(guī)應用的功率之”芯”SiC及封裝技術挑戰(zhàn)

最新報告嘉賓公布！2025功率半導體器件與集成電路會議（CSPSD2025）

CSPSD 2025前瞻|北京大學魏進：GaN功率器件動態(tài)電阻與動態(tài)閾值電壓

CSPSD 2025前瞻|廣東工業(yè)大學周賢達：功率MOSFET的非嵌位感性開關

CSPSD 2025前瞻|熾芯微電子朱正宇：功率器件封裝技術的發(fā)展及展望

CSPSD 2025前瞻|中國科學院微電子所黃森：高可靠GaN基MIS-HEMT功率器件與集成

標準 |“GaN HEMT DHTOL、功率器件用硅襯底GaN HEMT外延片”2項標準形成征求意見稿

丹佛斯南京功率模塊園區(qū)正式啟用總投資超8億元

納微半導體推出全新SiCPAK?功率模塊

九峰山實驗室推氧化鎵科研級功率單管及coupon to wafer流片平臺

重慶萬國半導體申請溝槽型功率半導體器件及其制備方法專利，提高開關速度與線性區(qū)能力

捷捷微電：6英寸功率半導體項目正處于產能爬坡期，月產出已達5萬片

總投資5100余萬芯盟高等級功率半導體廠房竣工

三安半導體“碳化硅功率器件的制備方法及其碳化硅功率器件”專利公布

2025JFSC平行論壇5丨功率電子技術，精彩議題搶先看

MaM發(fā)表深圳大學劉新科團隊綜述文章：下一代功率器件的GaN-on-diamond技術

意法半導體推出完整的低壓高功率電機控制參考設計

英飛凌科技申請功率半導體器件相關專利，提升功率半導體器件性能

納微與兆易創(chuàng)新達成戰(zhàn)略合作，打造智能、高效、高功率密度的數字電源解決方案

士蘭微基于第Ⅳ代SiC芯片的功率模塊預計將于2025年上量

黑龍江匯芯半導體申請集成有SiC功率器件短路保護的智能功率模塊專利，短路保護精度和效率更高

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