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總投資規(guī)模20億元，重慶新陵微6寸功率半導體廠房及配套設(shè)施項目將于10月投用

碳化硅功率器件的性能與應用前景-國晶微半導體

派瑞股份與西電所簽署合作協(xié)議，研發(fā)制造中高壓IGBT功率器件

悉智科技寬禁帶功率模組生產(chǎn)基地項目簽約落戶!

標準 | 《用于HEMT功率器件的硅襯底氮化鎵外延片》發(fā)布

總投資20億元悉智科技寬禁帶功率模組生產(chǎn)基地項目簽約杭州

新潔能延期包括第三代半導體SiC/GaN功率器件及封測等三個募投項目

總投資超5億元！賽英電子功率半導體模塊散熱基板項目正式開工

IEEE電力電子學會(PELS)國際寬禁帶功率半導體技術(shù)路線圖委員會（ITRW）會議在北京成功舉辦

鎵未來完成億元級B++輪融資，專注氮化鎵功率器件研發(fā)

北京大學在IEEE ISPSD發(fā)表2項寬禁帶半導體功率器件重要技術(shù)進展

英飛凌在馬投資300億令吉，建全球最大200毫米碳化硅功率半導體工廠

重磅議程更新 | IPF 2025功率器件制造測試與應用大會最新議程揭曉，速來圍觀！

廣東致能：全球首發(fā)硅基垂直 GaN HEMT 功率器件技術(shù)

國產(chǎn)功率半導體研發(fā)商，中晶微電再獲融資！

標準 | “基于感性負載的SiC 功率模塊老化篩選試驗方法”形成委員會草案

標準/“GaN HEMT開關(guān)可靠性試驗、功率器件用硅襯底GaN外延片”2項標準形成委員會草案

中科院微電子所黃森、劉新宇團隊在GaN外延位錯傳導載流子及其導致功率電子器件可靠性退化機制方面取得重要進展

YOLE：2030年碳化硅功率器件市場規(guī)模將破百億美元

晶能與中車時代半導體簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議，推動功率半導體技術(shù)創(chuàng)新突破

廈門士蘭微8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線項目（一期）首臺設(shè)備提前搬入

颶芯科技獲3億元B輪融資加速大功率藍綠光激光芯片國產(chǎn)化

[誠邀英才]新加坡科技研究局（A*STAR）微電子研究所（IME）功率半導體團隊

西交利物浦大學劉雯課題組招收氮化鎵功率器件方向博士生（英國利物浦大學學位）

斯達半導體車規(guī)級功率器件全球制造總部項目簽約落戶南湖

南郵郭宇鋒教授團隊首次在功率器件領(lǐng)域國際頂級學術(shù)會議發(fā)表論文

國家重點研發(fā)計劃“氧化鎵單片功率電子集成器件研究”項目啟動會暨實施方案論證會成功召開

輝宏激光完成千萬級的融資，系國產(chǎn)高功率超快激光器的整機系統(tǒng)和核心器件廠商

標準 | 《三電平SiC MOSFET功率模塊開關(guān)動態(tài)特性測試方法》立項

南京大學團隊在國際功率半導體會議ISPSD上發(fā)布兩項宇航用氮化鎵功率器件輻照效應研究成果

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