面對(duì)AI計(jì)算需求的指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)，傳統(tǒng)數(shù)據(jù)中心電力架構(gòu)正面臨前所未有的挑戰(zhàn), 千瓦級(jí)的供電標(biāo)準(zhǔn)早已無(wú)法匹配AI模型對(duì)能耗的極端需求，全球數(shù)據(jù)中心的供電方式將發(fā)生革命性變革。在功率電子與AI計(jì)算深度融合的關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)，蘇州東微半導(dǎo)體股份有限公司（“東微半導(dǎo)體”，證券代碼：688261）與蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司（“晶湛半導(dǎo)體”）于10月17日聯(lián)合宣布，雙方已達(dá)成戰(zhàn)略合作，共同推進(jìn)12英寸氮化鎵技術(shù)與產(chǎn)品的研發(fā)與應(yīng)用。

 氮化鎵功率器件正處于從消費(fèi)電子快充"單點(diǎn)爆發(fā)"向多領(lǐng)域擴(kuò)張的轉(zhuǎn)折期。未來(lái)2-3年，在AI服務(wù)器電源、新能源汽車、人形機(jī)器人、光伏逆變器、工業(yè)電源等新興領(lǐng)域的需求將進(jìn)入加速放量階段，尤其是AI數(shù)據(jù)中心需求愈發(fā)迫切，例如英偉達(dá)將于2027年為其下一代Rubin系列全面部署800V高壓直流（HVDC）架構(gòu)。全新的高壓直流集中供電方式，高度依賴于高性能功率半導(dǎo)體材料的支撐，需要硅、碳化硅和氮化鎵為高壓直流系統(tǒng)提供從電網(wǎng)到芯片供電的全鏈路解決方案；尤其是基于氮化鎵的多相DC/DC轉(zhuǎn)換器產(chǎn)品，為超大規(guī)模AI數(shù)據(jù)中心提供靈活且高效的電源系統(tǒng)；同時(shí)，氮化鎵功率器件還將為人形機(jī)器人、無(wú)人機(jī)等應(yīng)用帶來(lái)更高效率的電機(jī)驅(qū)動(dòng)性能，提供節(jié)能高效的驅(qū)動(dòng)方案。國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新者東微半導(dǎo)體與氮化鎵外延材料的技術(shù)先驅(qū)晶湛半導(dǎo)體合作，發(fā)揮各自優(yōu)勢(shì)，采用主流的12英寸CMOS實(shí)驗(yàn)線研發(fā)12寸硅基氮化鎵HEMT晶體管，共同推進(jìn)12寸硅基氮化鎵功率器件的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。此項(xiàng)產(chǎn)業(yè)技術(shù)的成功開(kāi)發(fā)，不僅可以大幅降低制造成本，而且可以利用12寸先進(jìn)的前后道工藝的技術(shù)，充分挖掘氮化鎵材料在高能效、高功率密度方面的潛力，使這一技術(shù)為上述應(yīng)用領(lǐng)域提供更具成本效益和性能優(yōu)勢(shì)的解決方案。

 “協(xié)同創(chuàng)新”成為本次合作的核心關(guān)鍵詞。在半導(dǎo)體技術(shù)快速迭代的背景下，產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)的協(xié)同創(chuàng)新顯得尤為重要。東微半導(dǎo)體作為功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的創(chuàng)新者，其在器件設(shè)計(jì)與市場(chǎng)應(yīng)用方面有著豐富經(jīng)驗(yàn)。晶湛半導(dǎo)體在氮化鎵外延材料領(lǐng)域擁有深厚技術(shù)積累，是全球范圍內(nèi)第一家掌握12英寸硅基氮化鎵外延技術(shù)的企業(yè)。兩家企業(yè)的攜手，將打通從材料到器件工藝的關(guān)鍵技術(shù)鏈條，加速國(guó)產(chǎn)氮化鎵功率器件的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。雙方表示，通過(guò)本次合作，將致力于解決大尺寸氮化鎵外延材料在器件制造過(guò)程中的關(guān)鍵技術(shù)難題，包括材料與工藝的匹配優(yōu)化，可靠性測(cè)試等全流程技術(shù)開(kāi)發(fā)，為國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)提供完整的解決方案。

兩家公司的高層均對(duì)合作前景充滿信心。雙方共同認(rèn)為，這一合作將為國(guó)內(nèi)氮化鎵產(chǎn)業(yè)鏈的完善和提升注入強(qiáng)勁動(dòng)力。合作項(xiàng)目將分階段推進(jìn)，初期專注于基礎(chǔ)外延工藝和器件結(jié)構(gòu)工藝平臺(tái)的搭建與優(yōu)化，中期目標(biāo)是在特定應(yīng)用領(lǐng)域推出原型產(chǎn)品。長(zhǎng)期來(lái)看，雙方希望建立起完整的12英寸氮化鎵技術(shù)生態(tài)系統(tǒng)，包括材料、設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)和應(yīng)用等全產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)。此次合作將結(jié)合東微半導(dǎo)體在功率器件設(shè)計(jì)與制造方面的豐富經(jīng)驗(yàn)，以及晶湛半導(dǎo)體在氮化鎵外延材料領(lǐng)域的領(lǐng)先技術(shù)，達(dá)到產(chǎn)業(yè)鏈上下游強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合的效果，有力推進(jìn)12英寸氮化鎵技術(shù)在不久的將來(lái)成為電力電子領(lǐng)域的核心技術(shù)之一，推動(dòng)中國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的高質(zhì)量發(fā)展。

蘇州東微半導(dǎo)體股份有限公司（證券代碼：688261）在功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域有著深厚的技術(shù)積累和豐富的市場(chǎng)經(jīng)驗(yàn)，產(chǎn)品覆蓋高壓超級(jí)結(jié)MOSFET、中低壓屏蔽柵MOSFET、超級(jí)硅MOSFET、TGBT以及SiC MOSFET等，展現(xiàn)了強(qiáng)大的器件研發(fā)能力。產(chǎn)品已廣泛應(yīng)用于新能源汽車充電樁、5G基站電源、數(shù)據(jù)中心和算力服務(wù)器電源等領(lǐng)域，與12英寸氮化鎵的潛力應(yīng)用市場(chǎng)高度重合，為未來(lái)技術(shù)落地提供了市場(chǎng)基礎(chǔ)。公司在高壓超結(jié)MOSFET等產(chǎn)品上已完成了從8英寸代工廠到12英寸代工廠的擴(kuò)展，積累了12英寸工藝平臺(tái)迭代升級(jí)的經(jīng)驗(yàn)。蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司擁有國(guó)際先進(jìn)的氮化鎵外延材料研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化基地，是國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的知識(shí)產(chǎn)權(quán)優(yōu)勢(shì)企業(yè)，致力于為電力電子以及微顯示等領(lǐng)域提供高品質(zhì)氮化鎵外延材料解決方案，也是目前國(guó)際上極少數(shù)可供應(yīng)12英寸硅基氮化鎵外延產(chǎn)品的先鋒廠商，技術(shù)實(shí)力處于國(guó)際領(lǐng)軍地位。