氮化鎵（GaN）作為第三代半導(dǎo)體核心材料，憑借3.4eV禁帶寬度、遠(yuǎn)超硅20倍的電子遷移率，氮化鎵正在推動消費(fèi)電子、新能源、通信等行業(yè)的性能革新。2025年11月11-14日，第十一屆國際第三代半導(dǎo)體論壇&第二十二屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（IFWS&SSLCHINA 2025）將在廈門召開。作為論壇重要技術(shù)分會，以"驅(qū)動能效革命，賦能AI芯動力”為主題的“氮化鎵功率電子及封裝技術(shù)論壇”最新報(bào)告議題出爐！

論壇特邀請：電子科技大學(xué)集成電路研究中心主任張波教授、加拿大多倫多大學(xué)納米制造中心主任吳偉東教授、香港大學(xué)先進(jìn)半導(dǎo)與集成電路研究中心副主任張宇昊教授、電子科技大學(xué)集成電路學(xué)院副院長陳萬軍教授聯(lián)合主持，與來自日本名古屋大學(xué)、瑞士洛桑聯(lián)邦理工學(xué)院、北京大學(xué)、電子科技大學(xué)、復(fù)旦大學(xué)、香港大學(xué)、大連理工大學(xué)、香港科技大學(xué)、南京大學(xué)、中國科學(xué)院微電子研究所、中國科學(xué)院蘇州納米所、中國科學(xué)院近代物理研究所、九峰山實(shí)驗(yàn)室、揚(yáng)州大學(xué)、天津工業(yè)大學(xué)、中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)等國內(nèi)外專家學(xué)者一道，圍繞“材料設(shè)備—器件制造—封裝測試—終端應(yīng)用”產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)技術(shù)熱點(diǎn)，分享前沿技術(shù)動態(tài)及最新研究成果。

最新報(bào)告安排如下：