2025年11月11-14日，第十一屆國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）&第二十二屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA）將于廈門召開。 屆時，香港大學(xué)先進半導(dǎo)與集成電路研究中心副主任、教授張宇昊將受邀出席論壇，在Short course專題技術(shù)培訓(xùn)課程中分享《面向高壓、高溫及高功率的氧化鎵器件及應(yīng)用》的主題報告，并在氮化鎵功率電子及封裝技術(shù)分會上分享《面向系統(tǒng)應(yīng)用的氮化鎵功率器件的穩(wěn)定性、可靠性和魯棒性》的主題報告，敬請關(guān)注！

嘉賓簡介

張宇昊，現(xiàn)任香港大學(xué)電氣電子工程系教授，香港大學(xué)先進半導(dǎo)體和集成電路中心的副主任。在加入香港大學(xué)之前，他曾擔(dān)任弗吉尼亞理工大學(xué)Shirish S.Sathaye副教授，領(lǐng)導(dǎo)美國最大的電力電子學(xué)術(shù)研究中心電力電子系統(tǒng)中心的電力半導(dǎo)體研究。他分別于2017年和2013年獲得麻省理工學(xué)院電氣工程博士和碩士學(xué)位，并于2011年獲得北京大學(xué)物理學(xué)學(xué)士學(xué)位。 

他撰寫了200多篇論文（包括3篇Nature系列論文、21篇IEDM論文、20多篇T-PEL論文作為通訊作者）和2本書的章節(jié)，并擁有7項美國專利。他是10多篇精彩/專題/獲獎?wù)撐牡暮现摺Ｋ淖髌繁灰昧?1000多次，h指數(shù)為57，被《自然電子》、《今日半導(dǎo)體》、《化合物半導(dǎo)體》、EE times等廣泛報道了100多次。 

他于2017年獲得麻省理工學(xué)院微系統(tǒng)技術(shù)實驗室博士論文獎，2019年和2023年獲得兩項IEEE喬治·史密斯獎（IEEE電子器件快報年度最佳論文獎），2020年、2021年、2024年和2025年IEEE國際電子器件會議的四項技術(shù)亮點，2021年獲得國家科學(xué)基金會職業(yè)獎，2021年至2022年獲得弗吉尼亞理工大學(xué)杰出新助理教授獎和教員研究員獎，2023年獲得海軍研究辦公室青年研究員獎，2025年獲得化合物半導(dǎo)體青年科學(xué)家獎，以及2025年獲得何向健科學(xué)獎。他的學(xué)生獲得了IEEE電力電子學(xué)會的博士論文演講獎和多個APEC最佳演講獎。他是IEEE電力電子匯刊的副主編，也是許多領(lǐng)先會議（如IEDM、APEC、ECCE、WiPDA）的TPC成員。 

Short course專題技術(shù)培訓(xùn)

報告題目：面向高壓、高溫及高功率的氧化鎵器件及應(yīng)用

報告摘要：得益于大直徑氧化鎵晶圓及加工技術(shù)的突破，近年來氧化鎵功率器件技術(shù)取得了飛速發(fā)展。全球范圍內(nèi)已出現(xiàn)大面積安培級氧化鎵功率器件的報道，其研究范疇已從基礎(chǔ)研究驗證拓展至器件封裝、電路級測試及耐久性評估。這些里程碑性進展使氧化鎵成為唯一達到實用化商業(yè)化及應(yīng)用關(guān)鍵階段的超寬禁帶半導(dǎo)體材料。短期課程中將全面概述用于高壓、高溫及高功率應(yīng)用的氧化鎵器件，重點展示其拓展電力電子前沿領(lǐng)域的潛力。尤其通過采用多維器件架構(gòu)，我們已成功實現(xiàn)擊穿電壓超過10千伏、工作溫度穩(wěn)定高于200°C的氧化鎵二極管與晶體管。本課程將進一步探討氧化鎵功率器件的封裝與穩(wěn)健性策略。具體而言，采用結(jié)面冷卻技術(shù)可有效緩解氧化鎵的固有熱限制，而獨特雙極異質(zhì)結(jié)的集成則實現(xiàn)了雪崩擊穿與浪涌電流的耐受性。并將介紹首款兆瓦級功率容量多芯片氧化鎵功率模塊的實驗驗證成果?？傮w而言，器件創(chuàng)新、封裝設(shè)計與可靠性提升的協(xié)同進展正在為氧化鎵在下一代電力電子系統(tǒng)中的應(yīng)用鋪平道路。 

氮化鎵功率電子及封裝技術(shù)分會

報告題目：面向系統(tǒng)應(yīng)用的氮化鎵功率器件的穩(wěn)定性、可靠性和魯棒性

報告摘要：氮化鎵器件通過在效率、開關(guān)頻率等方面實現(xiàn)前所未有的改進，正在徹底改變電力電子技術(shù)。然而，GaN的材料成分、器件架構(gòu)和操作物理與硅和碳化硅技術(shù)有著根本的不同，這些區(qū)別在穩(wěn)定性、可靠性和魯棒性方面帶來了獨特的挑戰(zhàn)，這些挑戰(zhàn)對于實際部署仍然至關(guān)重要。報告將介紹對這些挑戰(zhàn)的最新見解，特別強調(diào)動態(tài)開關(guān)行為及其對功率轉(zhuǎn)換器性能的影響。主題包括關(guān)鍵器件參數(shù)的動態(tài)不穩(wěn)定性，如導(dǎo)通電阻、閾值電壓和輸出電容，以及器件在雪崩、過電壓和短路應(yīng)力下的魯棒性。還將討論柵極和漏極開關(guān)操作的可靠性和壽命。此外，將重點介紹與新興航空航天和量子系統(tǒng)應(yīng)用相關(guān)的GaN器件在低溫下的行為研究。并將概述這些領(lǐng)域的知識差距和當(dāng)前的研究機會，以指導(dǎo)GaN電力電子的未來發(fā)展。