2025年11月11-14日，第十一屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）&第二十二屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA）將于廈門(mén)召開(kāi)。 屆時(shí)，中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)教授楊樹(shù)將受邀出席論壇，并在Short course培訓(xùn)課程中分享《GaN功率電子器件動(dòng)態(tài)性能提升與抗輻照加固技術(shù)》的主題報(bào)告，敬請(qǐng)關(guān)注！
嘉賓簡(jiǎn)介
楊樹(shù)，中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院教授，國(guó)家青年人才計(jì)劃入選者。于復(fù)旦大學(xué)獲學(xué)士學(xué)位，于香港科技大學(xué)獲博士學(xué)位；先后在香港科技大學(xué)任研究助理教授、英國(guó)劍橋大學(xué)從事博士后研究。主要從事寬禁帶半導(dǎo)體氮化鎵（GaN）功率電子器件研究，研制出1.4kV/2.0mΩ·cm2 GaN溝槽柵晶體管和2kV/0.5mΩ·cm2 GaN二極管，功率品質(zhì)因數(shù)國(guó)際較為領(lǐng)先；研制了國(guó)際上首個(gè)無(wú)電流崩塌的GaN器件，攻克了困擾GaN器件的動(dòng)態(tài)性能退化難題。主持國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃課題、國(guó)家自然科學(xué)基金委項(xiàng)目3項(xiàng)、功率半導(dǎo)體企業(yè)合作項(xiàng)目等。獲得達(dá)摩院青橙獎(jiǎng)、MIT TR35、IEEE ISPSD Charitat Young Researcher Award（全球每年1~2位獲獎(jiǎng)?wù)撸?、中?guó)電源學(xué)會(huì)科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)、企業(yè)產(chǎn)品線(xiàn)優(yōu)秀合作項(xiàng)目獎(jiǎng)。擔(dān)任IEEE EDS功率器件與集成電路技術(shù)委員會(huì)委員、IEEE ISPSD和ECCE技術(shù)委員會(huì)委員、IEEE T-ED和IEEE JESTPE客座編委。
報(bào)告題目：GaN功率電子器件動(dòng)態(tài)性能提升與抗輻照加固技術(shù)
報(bào)告摘要：寬禁帶半導(dǎo)體氮化鎵（GaN）功率電子器件能夠在電力電子應(yīng)用中提供高能效、高功率密度、高頻小型化、耐受極端環(huán)境等優(yōu)異性能，在消費(fèi)類(lèi)電子、數(shù)據(jù)中心、新能源汽車(chē)充電、激光雷達(dá)及航空航天等領(lǐng)域具有廣闊應(yīng)用前景。然而，常關(guān)型GaN功率電子器件在高頻高速開(kāi)關(guān)過(guò)程中仍面臨由于多重陷阱效應(yīng)導(dǎo)致的動(dòng)態(tài)性能退化問(wèn)題，在空間輻照等極端條件下還存在性能漂移甚至器件失效的挑戰(zhàn)。本次報(bào)告中將討論在高壓、軟/硬開(kāi)關(guān)、高溫、輻照條件下GaN功率電子器件動(dòng)態(tài)性能退化機(jī)制，并探討通過(guò)陷阱抑制/補(bǔ)償、器件結(jié)構(gòu)與工藝優(yōu)化來(lái)提升GaN功率電子器件的動(dòng)態(tài)性能與抗輻照能力。
附：會(huì)議信息
第十一屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇&第二十二屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（IFWS&SSLCHINA 2025）將于2025年11月11-14日在廈門(mén)召開(kāi)。
國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）主辦，是國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域規(guī)模最大、人數(shù)最多、出席嘉賓規(guī)格最高的年度盛會(huì)，優(yōu)秀論文被IEEE電子圖書(shū)館收錄。會(huì)議以加強(qiáng)第三代半導(dǎo)體電力電子技術(shù)、移動(dòng)通信技術(shù)、紫外探測(cè)技術(shù)和應(yīng)用的國(guó)際交流與合作，引領(lǐng)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展為宗旨，內(nèi)容全面覆蓋基礎(chǔ)研究、襯底外延工藝、電力電子器件、電路與模塊、下游應(yīng)用等各環(huán)節(jié)，促進(jìn)相關(guān)產(chǎn)業(yè)、技術(shù)、人才、資金、政策合力發(fā)展，是全球范圍內(nèi)的全產(chǎn)業(yè)鏈合作交流的重要平臺(tái)與高層次綜合性論壇。
中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA）由中關(guān)村半導(dǎo)體照明研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟主辦，是國(guó)內(nèi)LED行業(yè)最早、最具規(guī)模的全球性專(zhuān)業(yè)論壇，優(yōu)秀論文被IEEE電子圖書(shū)館收錄。論壇自2004年首屆伊始，至今已連續(xù)成功舉辦了二十一屆，內(nèi)容涵蓋LED全產(chǎn)業(yè)鏈及細(xì)分應(yīng)用領(lǐng)域，見(jiàn)證了我國(guó)LED產(chǎn)業(yè)的飛速發(fā)展，樹(shù)立了“中國(guó)半導(dǎo)體照明行業(yè)第一論壇”的良好聲譽(yù)和國(guó)際形象。
自2015年開(kāi)始，IFWS與SSLCHINA兩大國(guó)際盛會(huì)強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合同期舉行，融合聚集了產(chǎn)、學(xué)、研、用、政、金等多維度資源，通過(guò)論壇搭建的平臺(tái)，實(shí)現(xiàn)信息互通和資源聚集，共同推動(dòng)了我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，論壇已成為集技術(shù)交流、產(chǎn)業(yè)合作、成果轉(zhuǎn)化為一體的重要平臺(tái)。至今，論壇共邀請(qǐng)了包括諾貝爾獎(jiǎng)得主在內(nèi)的全球最頂級(jí)專(zhuān)家陣容百余位，舉辦了400余場(chǎng)峰會(huì)，呈現(xiàn)了超過(guò)3700個(gè)專(zhuān)業(yè)報(bào)告，累計(jì)參會(huì)代表覆蓋全球90多個(gè)國(guó)家逾46,200人次。
本屆論壇以“鏈通全球·芯動(dòng)未來(lái)”為主題，聚焦第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域國(guó)際科技交流與互信合作。由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）、廈門(mén)大學(xué)（XMU）共同主辦，惠新（廈門(mén)）科技創(chuàng)新研究院、北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司承辦。 今年論壇全新升級(jí)，除了數(shù)十場(chǎng)前沿主題論壇，2025先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用創(chuàng)新展(CASTAS2025) 、short course、校友會(huì)、芯友薈、City walk等豐富多彩的系列活動(dòng)。同時(shí)，還將發(fā)布"2025年度中國(guó)第三代半導(dǎo)體技術(shù)十大進(jìn)展"結(jié)果，重要簽約&發(fā)布等，現(xiàn)場(chǎng)令人期待。
截至目前，大會(huì)已經(jīng)收到210余篇學(xué)術(shù)論文投稿。論壇與IEEE長(zhǎng)期合作，經(jīng)過(guò)專(zhuān)家審稿錄取的論文，會(huì)被遴選在IEEE Xplore 電子圖書(shū)館發(fā)表，IEEE是EI檢索系統(tǒng)的合作數(shù)據(jù)庫(kù)。今年大會(huì)宣布現(xiàn)場(chǎng)特別設(shè)置“POSTER學(xué)術(shù)交流專(zhuān)區(qū)”，誠(chéng)摯歡迎行業(yè)內(nèi)專(zhuān)家學(xué)者蒞臨大會(huì)現(xiàn)場(chǎng)，與POSTER作者現(xiàn)場(chǎng)交流研討！
論壇還將聚焦我國(guó)“十五五”產(chǎn)業(yè)發(fā)展新機(jī)遇，圍繞技術(shù)創(chuàng)新、應(yīng)用拓展、生態(tài)構(gòu)建等關(guān)鍵議題展開(kāi)深入探討，推動(dòng)“創(chuàng)新鏈、產(chǎn)業(yè)鏈、資金鏈、人才鏈”深度融合，加速第三代半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同創(chuàng)新與高質(zhì)量發(fā)展。論壇組委會(huì)誠(chéng)邀海內(nèi)外第三代半導(dǎo)體產(chǎn)、學(xué)、研、用、資不同環(huán)節(jié)的業(yè)界同仁，11月相聚美麗溫暖的鷺島廈門(mén)，共探產(chǎn)業(yè)發(fā)展“芯”機(jī)會(huì)，共創(chuàng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展新未來(lái)。
IFWS&SSLCHINA 2025日程總覽
CASTAS2024現(xiàn)場(chǎng)
【征文方向】
【征集流程】
1. 作者提交信息表和摘要或全文，按規(guī)定提交至指定平臺(tái)。投稿人可掃描下方二維碼投稿。
（掃描二維碼投稿）
投稿鏈接：https://app.zhundao.net/pingshen/index.html?id=238
2.通知作者投稿錄用方式：口頭報(bào)告、POSTER與入刊會(huì)議論文集等。
3.作者需準(zhǔn)備如下材料：
1)口頭報(bào)告：作者需準(zhǔn)備論文與演示文件（PPT/PDF）；
2)POSTER：作者需準(zhǔn)備論文與POSTER文件（POSTER需要顯示給予的投稿論文編號(hào)。作者攜帶制作好的POSTER至?xí)h舉辦地點(diǎn)并在POSTER展示區(qū)域自行張貼）
3)入刊會(huì)議論文集：作者需準(zhǔn)備論文。作者需要根據(jù)論文模板準(zhǔn)備論文全文。
注：1)官方網(wǎng)站（http://www.sslchina.org或www.ifws.org.cn）提供更多詳盡信息，請(qǐng)作者務(wù)必按照相應(yīng)規(guī)定和時(shí)間要求準(zhǔn)備材料，以便順利通過(guò)論文審核。
2)投稿的錄取論文會(huì)被遴選在IEEE Xplore 電子圖書(shū)館發(fā)表，IEEE是EI檢索系統(tǒng)的合作數(shù)據(jù)庫(kù)。
【征文要求】
1.基本要求：
1) 尚未在國(guó)內(nèi)外公開(kāi)刊物或其他學(xué)術(shù)會(huì)議上發(fā)表過(guò)的論文;
2) 主題突出，內(nèi)容層次分明，數(shù)據(jù)準(zhǔn)確，論述嚴(yán)謹(jǐn)，結(jié)論明確，采用法定計(jì)量單位;
3) 按照組委會(huì)提供的模板排版全文，論文全文格式要求為WORD，內(nèi)容不超過(guò)4頁(yè);
4) 論文全文需符合APA撰寫(xiě)規(guī)范并符合模板排版格式
2.語(yǔ)言要求：
1) 作者須提交文體規(guī)范的英文論文；
2) 演講語(yǔ)言可以使用中文或英文，但必須用英文演示（PPT或PDF文檔）。
注：含有商業(yè)性宣傳內(nèi)容的論文，不予安排在論壇演講。
【重要日期及提交方式】
1.論文摘要截止日期：2025年9月5日
2.論文摘要錄用通知：2025年9月15日
3.全文提交截止日期：2025年10月8日
4.論文全文錄用通知：2025年10月13日
5.口頭報(bào)告演示文件（PPT或PDF）提交截止日：2025年11月7日
6.POSTER電子版文件提交截止日：2025年11月7日
【注冊(cè)費(fèi)用權(quán)益表】
備注：
＊第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）或中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）成員單位在此基礎(chǔ)上再享受10%優(yōu)惠；
＊學(xué)生參會(huì)需提交相關(guān)證件；
＊會(huì)議現(xiàn)場(chǎng)報(bào)到注冊(cè)不享受各種優(yōu)惠政策；
＊若由于某些原因，您繳費(fèi)后無(wú)法參會(huì)，可辦理退款事宜，組委會(huì)將扣除已繳費(fèi)金額的5%作為退款手續(xù)費(fèi)；
＊IFWS相關(guān)會(huì)議：開(kāi)幕大會(huì)，碳化硅電子技術(shù)I-Ⅲ，氮化鎵功率電子I-Ⅳ，超寬禁帶半導(dǎo)體I-Ⅲ，氮化鎵射頻電子器件，新能源應(yīng)用大會(huì)-車(chē)用&電源，第三代半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)與檢測(cè)研討會(huì)，POSTER交流；
＊SSL相關(guān)會(huì)議：開(kāi)幕大會(huì)，新型顯示大會(huì)I-Ⅲ，固態(tài)紫外技術(shù)，健康照明技術(shù)，生物農(nóng)業(yè)技術(shù)，光醫(yī)療技術(shù)，新能源應(yīng)用大會(huì)-車(chē)用&電源，POSTER交流；
＊會(huì)議用餐包含：12日自助午餐和晚餐、13日自助午餐和晚餐、14日自助午餐；
＊Short Course用餐包含：11日晚餐及12日自助午餐。
【在線(xiàn)注冊(cè)】
掃碼即刻注冊(cè)報(bào)名參會(huì)
【征文投稿聯(lián)系方式】
尹利瑛（YIN Liying）/ 李楠 (LI Nan)
電話(huà):18811765341 / 18601994986
郵箱：papersubmission@china-led.net
【贊助/參展/商務(wù)合作】
張女士：13681329411，zhangww@casmita.com
賈先生：18310277858，jiaxl@casmita.com
王先生: 18610119011，wangyz@casmita.com
【報(bào)名咨詢(xún)】
蘆女士：13601372457,luli@casmita.com
【交通信息】
會(huì)場(chǎng)：廈門(mén)泰地萬(wàn)豪酒店
地址：海滄區(qū)海滄大道 839 號(hào), 廈門(mén), 福建, 361022
【酒店預(yù)定】
關(guān)于預(yù)訂:
1.住宿預(yù)訂信息登記。請(qǐng)聯(lián)系：鄭秀華17750581776/13055828178(微信同號(hào))，郵箱：1141192798@qq.com 登記信息模板詳見(jiàn)附件1（請(qǐng)以excel文件格式進(jìn)行填寫(xiě)發(fā)送）。
2.關(guān)于房型，大床或雙床確定預(yù)定后，會(huì)務(wù)組將盡量按要求滿(mǎn)足所預(yù)定的房型。但由于會(huì)議期間酒店住宿緊張，具體房型以當(dāng)天酒店安排為準(zhǔn)。
附件下載： 
IFWS&SSLCHINA2025訂房信息登記表.xlsx
交通位置：
第十一屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇&第二十二屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇
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