无码人妻AV网站|99热只有在线观看|成人开心激情四射|国产亚洲天堂日韩|丰满五十路熟妇无码|97视频国产|久艹视频免费在线|午夜福利国产在线|亚洲高清欧美中字|国产人妻系列

<mark id="bg0jd"><font id="bg0jd"></font></mark>

<dfn id="bg0jd"></dfn>

首頁 > 新聞資訊 > 搜索

晶盛機(jī)電：正式形成了12英寸SiC襯底從裝備到材料的完整閉環(huán)

年產(chǎn)值2.3億元，氮化鎵單晶襯底項(xiàng)目，已全面達(dá)產(chǎn)

2025云南晶體大會(huì)前瞻|山東大學(xué)楊祥龍：8/12英寸碳化硅單晶襯底材料的研究進(jìn)展

攻克行業(yè)空白！中鎵半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)6/8英寸GaN襯底制備

2025云南晶體大會(huì)前瞻|?中國科學(xué)院半導(dǎo)體所沈桂英：InP、GaSb與InAs單晶生長、襯底制備及缺陷研究進(jìn)展

2025云南晶體大會(huì)前瞻| 富加鎵業(yè)陳端陽：氧化鎵單晶襯底及外延技術(shù)研發(fā)進(jìn)展

2025云南晶體大會(huì)前瞻|天科合達(dá)劉春俊：大尺寸碳化硅襯底和外延產(chǎn)業(yè)進(jìn)展

Science Advances：南京大學(xué)聯(lián)合團(tuán)隊(duì)突破外延襯底限制，實(shí)現(xiàn)非晶襯底上高質(zhì)量半導(dǎo)體薄膜外延生長

2025云南晶體大會(huì)前瞻|南京大學(xué)修向前：氮化鎵襯底生長工藝及設(shè)備技術(shù)研究

鎵仁半導(dǎo)體8英寸氧化鎵襯底質(zhì)量檢測結(jié)果揭曉，國際領(lǐng)先！

特凱斯碳化硅原材料及碳化硅襯底項(xiàng)目簽約浙江仙居

超芯星革新性推出8mΩ·cm低阻碳化硅襯底

標(biāo)準(zhǔn) | 《用于HEMT功率器件的硅襯底氮化鎵外延片》發(fā)布

華芯晶電獲批合物半導(dǎo)體單晶襯底制備技術(shù)山東省工程研究中心

天岳先進(jìn)開啟招股，擬募資約18億擴(kuò)張大尺寸SiC襯底產(chǎn)能

Science Advances：南京大學(xué)聯(lián)合團(tuán)隊(duì)突破外延襯底限制，實(shí)現(xiàn)非晶襯底上高質(zhì)量半導(dǎo)體薄膜外延生長

標(biāo)準(zhǔn)/“GaN HEMT開關(guān)可靠性試驗(yàn)、功率器件用硅襯底GaN外延片”2項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)形成委員會(huì)草案

創(chuàng)盛年產(chǎn)60萬片8英寸碳化硅襯底片配套晶體項(xiàng)目開工建設(shè)

投資15億元！年產(chǎn)60萬片8英寸碳化硅襯底片項(xiàng)目備案

鎵仁半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)晶圓級6英寸斜切氧化鎵襯底制備

新突破︱鎵仁半導(dǎo)體成功制備VB法100毫米(010)面氧化鎵單晶襯底

派恩杰“一種碳化硅晶圓襯底的制備方法及碳化硅晶圓襯底”專利公布

天岳先進(jìn)：上海臨港工廠二期8吋SiC襯底擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃正在推進(jìn)中

標(biāo)準(zhǔn) |“GaN HEMT DHTOL、功率器件用硅襯底GaN HEMT外延片”2項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)形成征求意見稿

CSPSD 2025前瞻|超芯星劉欣宇：破界·賦能·引領(lǐng)——化學(xué)氣相法碳化硅襯底技術(shù)創(chuàng)新開啟未來產(chǎn)業(yè)新紀(jì)元

標(biāo)準(zhǔn) |“GaN HEMT DHTOL、功率器件用硅襯底GaN HEMT外延片”2項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)形成征求意見稿

山東大學(xué)/晶鎵半導(dǎo)體成功研發(fā)4英寸高質(zhì)量GaN單晶襯底

投資3.9億元，同光科技年產(chǎn)7萬片碳化硅單晶襯底項(xiàng)目

廣東比亞迪節(jié)能科技申請MEMS器件及其封裝方法專利，降低主體晶圓與襯底晶圓封裝難度

總投資11億元！磷化銦單晶襯底片項(xiàng)目簽約落戶江門

第1頁/共12頁首頁下一頁上一頁尾頁

聯(lián)系客服投訴反饋頂部

<li id="zjx5h"></li>