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一批半導(dǎo)體項目簽約衢州涉及氧化鎵、氮化鋁單晶襯底等

北京航天賽德申請氮化鎵襯底拋光液專利，極大提升氮化鎵襯底表面特性

派恩杰“一種碳化硅晶圓襯底的制備方法及碳化硅晶圓襯底”專利公布

碳化硅襯底龍頭天岳先進擬港股上市

爍科晶體：全球首發(fā)12英寸（300mm）高純半絕緣碳化硅襯底

杭州鎵仁半導(dǎo)體氧化鎵襯底技術(shù)突破，助力客戶實現(xiàn)2400V增強型晶體管

上海天岳申請一種三維方向應(yīng)力分布均勻的SiC襯底及SiC晶體專利，提高SiC襯底質(zhì)量

派恩杰“一種碳化硅晶圓襯底的制備方法及碳化硅晶圓襯底”專利公布

華為申請?zhí)蓟?span id="sya0gci" class="highlight">襯底制備方法專利，使碳化硅襯底內(nèi)部應(yīng)力分布均勻

廣東中圖半導(dǎo)體申請高一致性圖形化襯底制備方法專利，解決圖形化襯底均一性降低問題

基于新型SiC復(fù)合襯底的低成本MOSFET取得重要進展

天岳先進攜12英寸導(dǎo)電N型碳化硅襯底亮相SEMICON Japan 2024

天岳先進榮膺“中國SiC襯底影響力企業(yè)”首位及“8英寸SiC先鋒”

新美光“襯底加熱體組件及化學(xué)氣相沉積設(shè)備”專利獲授權(quán)

超芯星入駐江北新區(qū)集成電路基地，全面開啟8英寸碳化硅單晶襯底量產(chǎn)

海外首發(fā)！天岳先進300mmN型碳化硅襯底全新亮相

天科合達(dá)8英寸SiC襯底二期項目開工！

天岳先進向客戶成功交付高質(zhì)量低阻P型碳化硅襯底

【IFWS2024】碳化硅襯底、外延生長及其相關(guān)設(shè)備技術(shù)分會日程公布

1萬伏！我國實現(xiàn)6英寸AlN單晶復(fù)合襯底和晶圓制造全流程突破

IFWS2024：氮化物襯底、外延生長及其相關(guān)設(shè)備技術(shù)分會日程出爐

山東粵海金半導(dǎo)體取得專用碳化硅襯底Wafer倒角裝置專利，可實現(xiàn)自由設(shè)計倒角形狀

京東方“襯底基板、顯示基板以及光探測基板”專利獲授權(quán)

杭州鎵仁半導(dǎo)體申請氧化鎵單晶襯底拋光片劃片方法專利，減少切割道周邊晶片解理、崩裂和微裂紋等缺陷的產(chǎn)生

晶盛機電：產(chǎn)品優(yōu)勢體現(xiàn)在全產(chǎn)業(yè)鏈核心裝備供應(yīng)能力，半導(dǎo)體大硅片設(shè)備國際領(lǐng)先，公司高品質(zhì)碳化硅襯底核心參數(shù)指標(biāo)達(dá)到行業(yè)一流

中國6英寸碳化硅襯底價格暴跌，將低至每片400美元

博藍(lán)特碳化硅襯底項目已投產(chǎn)

科友半導(dǎo)體成功實現(xiàn)8英寸高品質(zhì)碳化硅襯底的批量制備

8英寸碳化硅襯底重慶三安項目已實現(xiàn)襯底廠點亮通線

鎵仁半導(dǎo)體成功研制氧化鎵超薄6英寸襯底

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