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蘇州無熱芯陽半導體申請新型襯底及其氧化物半導體場效應晶體管專利

12英寸碳化硅襯底實現(xiàn)激光剝離

西湖儀器：實現(xiàn)12英寸碳化硅襯底激光剝離

全球首發(fā)！天岳先進攜全系列12英寸碳化硅襯底產(chǎn)品震撼登場SEMICON China 2025

【全球首發(fā)】8英寸氧化鎵晶圓襯底震撼問世｜杭州鎵仁邀您SEMICON見證半導體產(chǎn)業(yè)新突破

重磅發(fā)布｜九峰山實驗室GaN系列成果首次發(fā)布！

年產(chǎn)150萬克拉金剛石芯片襯底項目簽約

中信證券：建議關注SiC器件領軍廠商以及襯底環(huán)節(jié)的本土龍頭

三安光電：重慶8英寸碳化硅襯底目前周產(chǎn)能達500片/周

浙江大學任娜：基于P型碳化硅襯底材料的結勢壘肖特基二極管|CASICON重慶站

哈密優(yōu)普萊高品質金剛石毛坯及芯片襯底材料項目開工

江西兆馳半導體取得用于藍寶石襯底的清洗裝置專利，方便收集清洗后的廢液

CASA立項《HEMT功率器件用硅襯底氮化鎵外延片》1項團體標準

KAUST實現(xiàn)千伏級藍寶石襯底AlN肖特基二極管

同光半導體年產(chǎn)20萬片8英寸碳化硅單晶襯底項目啟動

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一批半導體項目簽約衢州涉及氧化鎵、氮化鋁單晶襯底等

北京航天賽德申請氮化鎵襯底拋光液專利，極大提升氮化鎵襯底表面特性

派恩杰“一種碳化硅晶圓襯底的制備方法及碳化硅晶圓襯底”專利公布

碳化硅襯底龍頭天岳先進擬港股上市

爍科晶體：全球首發(fā)12英寸（300mm）高純半絕緣碳化硅襯底

杭州鎵仁半導體氧化鎵襯底技術突破，助力客戶實現(xiàn)2400V增強型晶體管

上海天岳申請一種三維方向應力分布均勻的SiC襯底及SiC晶體專利，提高SiC襯底質量

派恩杰“一種碳化硅晶圓襯底的制備方法及碳化硅晶圓襯底”專利公布

華為申請?zhí)蓟?span id="mpmldgl" class="highlight">襯底制備方法專利，使碳化硅襯底內(nèi)部應力分布均勻

廣東中圖半導體申請高一致性圖形化襯底制備方法專利，解決圖形化襯底均一性降低問題

基于新型SiC復合襯底的低成本MOSFET取得重要進展

天岳先進攜12英寸導電N型碳化硅襯底亮相SEMICON Japan 2024

天岳先進榮膺“中國SiC襯底影響力企業(yè)”首位及“8英寸SiC先鋒”

新美光“襯底加熱體組件及化學氣相沉積設備”專利獲授權

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