9月26-28日，“2025新一代半導體晶體材料技術及應用大會”將于云南昆明舉辦。屆時，山東大學/教授、廣州南砂晶圓半導體技術有限公司/技術總監(jiān)楊祥龍將出席會議，并帶來《8/12英寸碳化硅單晶襯底材料的研究進展》的主題報告，敬請關注！

嘉賓簡介

楊祥龍，山東大學教授、博導，任廣州南砂晶圓半導體技術有限公司技術總監(jiān)，山東省泰山學者青年專家。長期從事寬禁帶半導體SiC晶體生長和缺陷分析研究，擁有豐富的單晶生長及缺陷研究的理論基礎和實踐經驗。主持和參與多項國家和省部級科研項目，發(fā)表論文60余篇，申請/授權專利40余項，參與制訂團體標準4項。 

單位簡介

廣州南砂晶圓半導體技術有限公司成立于2018年9月，是一家從事碳化硅單晶材料研發(fā)、生產和銷售的國家高新技術企業(yè)，榮獲國家級專精特新重點"小巨人"稱號。公司創(chuàng)業(yè)初期以山東大學多年來研發(fā)的最新技術成果為基礎，同山東大學徐現剛教授團隊開展全方位產學研合作。公司總部設在廣州市南沙區(qū)，現有廣州、中山、濟南三大生產基地，形成了碳化硅單晶爐制造、碳化硅粉料制備、碳化硅單晶生長和襯底制備等完整的生產線。公司產品涵蓋導電型、半絕緣型、光學級碳化硅晶片，尺寸覆蓋4英寸至12英寸多規(guī)格，可視市場要求不斷豐富產品線。碳化硅單晶材料作為新基建的戰(zhàn)略性材料十分重要。公司將立足粵港澳大灣區(qū)，力爭發(fā)展成為全國乃至全球馳名的碳化硅半導體材料公司。 

報告前瞻

報告題目：8/12英寸碳化硅單晶襯底材料的研究進展

報告摘要：碳化硅（SiC）作為第三代寬禁帶半導體的核心材料之一，具有高擊穿場強、高飽和電子漂移速率、高熱導率、化學穩(wěn)定性好等優(yōu)良特性，是制作高壓、大功率、高頻、高溫和抗輻射新型功率半導體器件的理想材料，廣泛應用于電動汽車、軌道交通、高壓輸變電、光伏、5G通訊等領域，在國防和新舊動能轉換等戰(zhàn)略領域起著關鍵作用，成為全球半導體技術和產業(yè)競爭焦點。當前國際SiC材料、器件實現了從研發(fā)到規(guī)模性量產的成功跨越，已進入產業(yè)化快速發(fā)展階段。對于SiC產業(yè)來說，下一步的發(fā)展重點在于降本增效。當前在功率器件應用方面，8英寸可以帶來單片芯片數量的提升、提高產出率，以及降低邊緣芯片的比例，從而提升晶圓利用率，助力全產業(yè)鏈降本，SiC襯底主流尺寸正在加速向8英寸過渡，我國SiC研究近年來取得了顯著進步，當前8英寸SiC襯底在性能指標和產業(yè)化進程方面追平國際先進水平。近期，AR眼鏡和高端IC封裝等新應用場景也對SiC晶片提出超大尺寸12英寸需求。自SiC行業(yè)逐步踏入8英寸時代后，業(yè)界探索的腳步并未停歇，12英寸襯底的開發(fā)成為國內外SiC襯底廠商新的競爭焦點，可喜的是國內研究機構及企業(yè)已在研發(fā)端邁出重要步伐。報告主要介紹廣州南砂晶圓半導體技術有限公司聯合山東大學近期大尺寸SiC單晶襯底的研究進展。

附會議信息： 

【會議時間】 2025年9月26-28日

【會議地點】云南·昆明 

【指導單位】

  第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯盟（CASA）

  中關村半導體照明工程研發(fā)及產業(yè)聯盟（CSA）

【主辦單位】

  云南臨滄鑫圓鍺業(yè)股份有限公司

 極智半導體產業(yè)網（www.huizhouyinshua.cn）

 半導體照明網(www.china-led.net)

 第三代半導體產業(yè)

【承辦單位】

云南鑫耀半導體材料有限公司

北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司

【支持單位】

賽迪智庫集成電路研究所

 中國科學院半導體研究所

 云南大學

 山東大學

 云南師范大學

 昆明理工大學

 晶體材料全國重點實驗室

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【關鍵材料】

1、鍺、硅、砷化鎵、磷化銦等半導體材料生長與加工關鍵技術、器件工藝及應用研究；

2、氮化鎵、碳化硅等第三代半導體材料生長與加工關鍵技術、器件工藝及應用研究；

3、氮化鋁、金剛石、氧化鎵等超寬禁帶半導體材料生長與加工關鍵技術、器件工藝及應用研究；

【主要方向】

1.化合物半導體單晶與外延材料

（砷化鎵，磷化銦，氮化鎵，碳化硅，氮化鋁，氧化鎵，氮化硼，藍寶石，鈮酸鋰等晶體、外延生長及模擬設計等）

2. 硅、高純鍺及鍺基材料

（大硅片生長及及應用，直拉法或區(qū)熔法等單晶生長，原料提純，GeSi、GeSn、GeC 等多元單晶薄膜，切片與機械拋光，摻雜調控離子注入等） 

3.高純金屬、原輔料制備及晶體外延生長與加工關鍵裝備

（高純前驅體，高純試劑，高純氣體，高純粉體， 長晶爐，MOCVD,  MBE, LPE，PVT 等外延生長裝備，Mo源，MBE 源， 石墨，切割，研磨及拋光設備與材料，檢測設備等）

4.測試評價及AI for Science

（AI 驅動的測試評價革新， 缺陷工程與摻雜策略、晶體生長智能調控、缺陷實時檢測與修復，多尺度建模，綠色制造優(yōu)化 等）

5.光電子器件工藝與應用

（發(fā)光二極管，激光二極管，光電探測器件，太陽能電池，照明與顯示，激光雷達，光通信，量子技術等）

6.通訊射頻器件工藝與應用

（功率放大器，低噪聲放大器，濾波器，開關器件，移動通信，衛(wèi)星通信，低空飛行器，無人機，射頻能量等）

7.能源電子及應用

（風電&光伏&儲能新能源，電動汽車，數據中心，工業(yè)電源，電機節(jié)能，軌道交通，智能電網，航空航天，工業(yè)控制，變頻家電，消費電子，儀器儀表等）

8.綠色廠務及質量管控

（潔凈廠房，高純水制備，化學品供應，特氣供應，廢氣處理及排放，廢液處理，大宗氣體供應及質量管控等）

【程序委員會】

大會主席：惠峰 （云南鍺業(yè)）

副主席：陳秀芳（山東大學）、趙璐冰（CASA)

委員：趙德剛（中科院半導體所）、康俊勇（廈門大學）、 徐寶強（昆明理工）、皮孝東（浙江大學）、耿博（CASA)、王軍喜（中科院半導體所）、孫錢（中科院蘇州納米所）、王垚浩（南砂晶圓)、 涂潔磊（云師大）、王宏興（西交大）、彭燕（山東大學）、李強（西交大）、寧靜（西電）、修向前（南京大學）、郭杰（云師大）、王茺（云南大學）、邱峰（云南大學）、楊杰（云南大學）、謝自力（南京大學）、葛振華（昆明理工大學）、田陽（昆明理工大學）、魏同波（中科院半導體所）、許福軍（北京大學）、徐明升（山東大學）、孫海定（中國科學技術大學）、田朋飛（復旦大學）、劉玉懷（鄭州大學）、朱振（浪潮華光）、楊曉光（中科院半導體所）、高娜（廈門大學）、陳飛宏（云南鍺業(yè)）、康森（天通控股）、解楠（賽迪研究院 )、房玉龍（中電科十三所）、鄧家云（昆明理工大學）、李寶學（云鍺紅外） ......等

【日程安排】

【擬參與單位】

中科院半導體所、鑫耀半導體，南砂晶圓，藍河科技，天通控股，中電科十三所，南京大學，廈門大學，士佳光子，云鍺紅外，昆明理工大學，西安電子科技大學，中科院物理所，中電科四十八所，陜西源杰，九峰山實驗室，中微公司，矢量集團，晶盛機電，連科半導體，晶澳太陽能  美科太陽能 高景太陽能   中研科精密 華夏芯智慧光子，國聯萬眾，凝慧電子，晶湛半導體，英諾賽科，中光睿華，連城數控，云南大學，阿特斯陽光電力，山東大學，云南師范大學，中科院技物所，隆基電磁， 晶鎵半導體，南砂晶圓、西安聚能超導，蘇州納維，中科院物理所，浙江大學，云南鍺業(yè)，通美晶體，三安光電，電子科技大學，深圳平湖實驗室，中科院長春光機所，廣東工業(yè)大學，南方科技大學， 隆基綠能，合盛硅業(yè)，中光睿華，復旦大學，中國科學技術大學， 西安交通大學，江蘇第三代半導體研究院， 光迅科技，鎵和半導體 全磊光電 新易盛  昆明物理所，科友半導體，STR，河北同光，香港科技大學，深圳納設 中科院蘇州納米所，中科院上海光機所，哈工大等等 

【活動參與】

1、注冊費：會議通票2800元；早鳥票：9月20日前注冊報名2600元；（含會議資料袋，9月27日午餐、晚宴，9月28日午餐等 ）。

2、繳費方式：

①銀行匯款

開戶行：中國銀行北京科技會展中心支行

賬 號：336 356 029 261

名 稱：北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司 

②在線注冊

掃碼注冊報名

③現場繳費（微信+支付寶）

【論文投稿及報告咨詢】

賈老師:18310277858，jiaxl@casmita.com 

李老師:18601994986，linan@casmita.com 

【參會參展及商務合作】

賈先生:18310277858,jiaxl@casmita.com 

張女士:13681329411,zhangww@casmita.com 

【會議酒店】

酒店名稱：昆明億壕城堡溫德姆至尊酒店

酒店地址：中國（云南）自由貿易試驗區(qū)昆明片區(qū)經開區(qū)楓丹白露花園

協(xié)議價格：430元/晚（含雙早）

酒店預定聯系: 陳經理，13759452505(微信同號）

郵箱：13759452505@139.com