2025年7月18日，由廈門市三安集成電路有限公司牽頭起草的T/CASAS 057—202X《高頻開關應用下GaN功率器件開關運行狀態(tài)可靠性試驗方法》以及由蘇州晶湛半導體有限公司牽頭起草的T/CASAS 060—202X《用于HEMT功率器件的硅襯底氮化鎵外延片》已形成委員會草案（CD），兩項標準委員會草案按照CASAS標準制定程序，反復斟酌、修改、編制而成，根據(jù)CASAS相關管理辦法，現(xiàn)面向CASAS正式成員發(fā)起委員會草案投票，截止時間2025年8月1日。請聯(lián)盟標委會正式成員關注秘書處郵件。
非聯(lián)盟成員及聯(lián)盟普通成員如有需要，可發(fā)郵件至casas@casa-china.cn。
T/CASAS 057—202X《高頻開關應用下GaN功率器件開關運行狀態(tài)可靠性試驗方法》規(guī)定了用于評估高頻開關應用下（頻率≥100kHz）GaN功率器件開關運行狀態(tài)可靠性試驗方法，用以表征及評估GaN功率器件在連續(xù)開關應力作用下器件的退化及失效，以確保其以快充適配器代表的典型應用領域下穩(wěn)定運行，實現(xiàn)系統(tǒng)整體性能的提升。 本文件適用于進行GaN 功率器件的生產(chǎn)研發(fā)、特性表征、量產(chǎn)測試、可靠性評估及應用評估等工作場景。可應用于以下器件： 1） GaN增強型（E-Mode）和耗盡型（D-Mode）分立功率電子器件； 2） GaN功率集成器件和共源共柵GaN功率器件； 3） 以上的晶圓級及封裝級產(chǎn)品。 T/CASAS 060—202X《用于HEMT功率器件的硅襯底氮化鎵外延片》規(guī)定了用于HEMT功率器件的硅襯底氮化鎵外延片（以下簡稱“氮化鎵外延片”）的分類、技術(shù)要求、試驗方法、檢驗規(guī)則、標志、包裝、運輸和貯存。適用于在硅襯底上生長的用于功率電子領域的具有復合結(jié)構(gòu)的氮化鎵外延片的研發(fā)生產(chǎn)，測試分析及質(zhì)量評價。 (來源：第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟)
