近日，山東省發(fā)改委發(fā)布2025年新認定山東省工程研究中心名單，青島華芯晶電科技有限公司（以下簡稱“華芯晶電”）牽頭申報的“化合物半導體單晶襯底制備技術山東省工程研究中心”成功入選。這一突破性成果，是對華芯晶電在化合物半導體襯底材料研發(fā)與制造領域科研實力與創(chuàng)新潛力的高度認可。

該中心聚焦半導體上游關鍵基礎材料自主可控，以服務國家和省市重大戰(zhàn)略任務、支撐保障青島市新一代信息技術等創(chuàng)新型產(chǎn)業(yè)體系重大工程實施為目標，通過產(chǎn)學研結合開展協(xié)同攻關，努力推進人才集聚與培養(yǎng)，強化行業(yè)關鍵共性技術供給，加快科技成果轉化服務于地方經(jīng)濟高質量發(fā)展，助力青島市創(chuàng)新驅動發(fā)展戰(zhàn)略實施，推動半導體材料科技創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新深度融合。

該中心由華芯晶電與同濟大學聯(lián)合共建，現(xiàn)有固定研發(fā)人員150人，通過自主開發(fā)、產(chǎn)學研合作、企業(yè)間技術合作等方式，已開展技術研發(fā)項目70余項，其中省級以上在研項目30余項，獲得專利200余項，參與國家標準制定3項，獲得20余項榮譽獎項。

據(jù)悉，該中心擬攻克一批制約產(chǎn)業(yè)向高端化轉型的關鍵核心技術，與國內高校和科研院所開展多維度產(chǎn)學研合作，充分利用國內豐富應用場景，將先進技術成果在更多戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)領域應用，同時瞄準國家未來產(chǎn)業(yè)重點領域，超前布局技術創(chuàng)新方向并開展相應研究工作。在高品質超寬禁帶氧化鎵單晶襯底的技術研究及產(chǎn)業(yè)化方面，一是基于導模法高效率生長大尺寸且低缺陷密度的高質量氧化鎵單晶，二是面向大功率、高耐壓器件應用需求的氧化鎵襯底加工研究技術。在大尺寸、低成本磷化銦襯底的技術研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化方面，一是重點進行大直徑磷化銦單晶生長熱場設計和調控技術研究，二是掌握大尺寸磷化銦晶體單晶良率提升和低位錯控制關鍵技術。

華芯晶電于2011年在青島高新區(qū)成立，專注于從事磷化銦（InP）、氧化鎵（β-Ga2O3）等化合物半導體晶體生長及襯底材料的研發(fā)、制造和銷售，是國內最早進行半導體化合物研究生產(chǎn)的企業(yè)之一，產(chǎn)品廣泛應用于集成電路、人工智能、新型顯示、新能源等領域，改變了國內半導體襯底晶片高端產(chǎn)品完全依賴進口的局面，已成為國內化合物半導體研發(fā)制造和硬脆材料加工領域的科技領軍企業(yè)。

基于戰(zhàn)略規(guī)劃和既定目標，華芯晶電將依托省工程研究中心，積極發(fā)揮行業(yè)引領和主導作用，加強半導體產(chǎn)業(yè)鏈供應鏈上下游企業(yè)間的協(xié)同合作和相互支撐，研發(fā)并不斷優(yōu)化新型化合物半導體襯底材料，通過中試工藝優(yōu)化及下游應用驗證，實現(xiàn)先進產(chǎn)品產(chǎn)業(yè)化制備和規(guī)?；瘧?，提高產(chǎn)業(yè)鏈供應鏈整體創(chuàng)新能力和競爭優(yōu)勢，保障我國半導體行業(yè)關鍵材料安全自主可控。