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2025云南晶體大會(huì)前瞻|昆明云鍺李寶學(xué)：大尺寸紅外鍺單晶的研究進(jìn)展

2025云南晶體大會(huì)前瞻|云南師范大學(xué)郭杰：鍺硫?qū)倩衔颎e-VIA（GeS/GeSe/GeTe）二維材料的電子結(jié)構(gòu)和光學(xué)特性研究

2025云南晶體大會(huì)前瞻|天科合達(dá)劉春?。捍蟪叽缣蓟枰r底和外延產(chǎn)業(yè)進(jìn)展

突破12英寸！科友半導(dǎo)體成功制備12英寸碳化硅晶體

2025云南晶體大會(huì)前瞻|浙江大學(xué)杭州國(guó)際科創(chuàng)中心韓學(xué)峰：PVT法生長(zhǎng)4H-SiC晶體的缺陷形成與摻雜機(jī)理研究

2025云南晶體大會(huì)前瞻|西安電子科技大學(xué)寧靜：超寬禁帶半導(dǎo)體范德華異質(zhì)結(jié)構(gòu)及器件研究

2025云南晶體大會(huì)前瞻|云南臨滄鑫圓鍺業(yè)包世濤：中國(guó)鍺產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀與高質(zhì)量發(fā)展路徑展望

2025云南晶體大會(huì)前瞻|云南大學(xué)王茺：GaSb基異質(zhì)薄膜的磁控濺射生長(zhǎng)機(jī)理及其光電探測(cè)性能研究

2025云南晶體大會(huì)前瞻|云南大學(xué)邱鋒：晶體本征缺陷的理論研究及晶片表面非故意缺陷的性能調(diào)控

突破12英寸！科友半導(dǎo)體成功制備12英寸碳化硅晶體

2025云南晶體大會(huì)前瞻|云南大學(xué)史衍麗：1550nm InP/InGaAs 單光子探測(cè)器

2025云南晶體大會(huì)前瞻|南京大學(xué)修向前：氮化鎵襯底生長(zhǎng)工藝及設(shè)備技術(shù)研究

2025云南晶體大會(huì)前瞻|連科半導(dǎo)體胡動(dòng)力：8/12吋碳化硅長(zhǎng)晶爐技術(shù)進(jìn)展及發(fā)展方向

2025云南晶體大會(huì)前瞻|中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所楊曉光：硅基III-V族材料外延及異質(zhì)集成研究進(jìn)展

2025云南晶體大會(huì)前瞻| 昆明理工大學(xué)鄧家云:磷化銦晶圓力學(xué)性能與加工性能研究

2025云南晶體大會(huì)前瞻| 中國(guó)電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展研究院解楠：氮化鋁寬禁帶材料發(fā)展現(xiàn)狀及技術(shù)演進(jìn)趨勢(shì)研究

中國(guó)科學(xué)院微電子所研發(fā)成功互補(bǔ)單晶硅垂直溝道晶體管（CVFET）

會(huì)議通知 | 2025新一代半導(dǎo)體晶體材料技術(shù)及應(yīng)用大會(huì)將于9月云南舉辦！

爍科晶體年產(chǎn)100萬毫米碳化硅單晶項(xiàng)目正式啟動(dòng)！

中國(guó)科學(xué)家首創(chuàng)“蒸籠”方法“長(zhǎng)出”高性能晶體管新材料

創(chuàng)盛年產(chǎn)60萬片8英寸碳化硅襯底片配套晶體項(xiàng)目開工建設(shè)

日本先進(jìn)半導(dǎo)體制造商Rapidus啟動(dòng)2nm GAA晶體管試制，首塊晶圓亮相

蘇州納米所研制出氮化鎵光子晶體面發(fā)射激光器

東京大學(xué)研發(fā)“摻鎵氧化銦晶體”取代硅材料

深圳平湖實(shí)驗(yàn)室成功制備國(guó)內(nèi)首個(gè)氮化鋁/富鋁鎵氮高電子遷移率晶體管

氮矽科技推出TOLL封裝的增強(qiáng)型硅基氮化鎵（GaN）晶體管

刷新紀(jì)錄！鄭州大學(xué)實(shí)現(xiàn)大尺寸高質(zhì)量金剛石激光晶體批量生長(zhǎng)

大連理工大學(xué)團(tuán)隊(duì)：通過提高晶體質(zhì)量增強(qiáng) β-Ga?O? 薄膜的光電突觸可塑性

長(zhǎng)光華芯“半導(dǎo)體光子晶體發(fā)光結(jié)構(gòu)及其制備方法”專利公布

廣州南砂晶圓申請(qǐng)用于PVT法生長(zhǎng)碳化硅單晶的裝料裝置及應(yīng)用專利，有效提高所制得碳化硅晶體的質(zhì)量

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