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2025云南晶體大會前瞻|云南大學(xué)王茺:GaSb基異質(zhì)薄膜的磁控濺射生長機理及其光電探測性能研究

日期:2025-09-09 閱讀:361
核心提示:9月26-28日,“2025新一代半導(dǎo)體晶體材料技術(shù)及應(yīng)用大會”將在云南昆明舉辦。屆時,云南大學(xué)材料與能源學(xué)院(研究員,云南省重點實驗室副主任)、云南中科鑫圓晶體材料有限公司科技副總經(jīng)理王茺受邀將出席會議,并帶來《GaSb基異質(zhì)薄膜的磁控濺射生長機理及其光電探測性能研究》的主題報告,分享最新相關(guān)趨勢,敬請關(guān)注!

頭圖?

9月26-28日,“2025新一代半導(dǎo)體晶體材料技術(shù)及應(yīng)用大會”將在云南昆明舉辦。屆時,云南大學(xué)材料與能源學(xué)院(研究員,云南省重點實驗室副主任)、云南中科鑫圓晶體材料有限公司科技副總經(jīng)理王茺受邀將出席會議,并帶來《GaSb基異質(zhì)薄膜的磁控濺射生長機理及其光電探測性能研究》的主題報告,分享最新相關(guān)趨勢,敬請關(guān)注!

0904-王  茺

嘉賓簡介

王茺,云南大學(xué)博士生導(dǎo)師,研究員(三級崗),云南中科鑫圓晶體材料有限公司科技副總經(jīng)理,長期從事半導(dǎo)體材料與器件的教學(xué)、研究和產(chǎn)業(yè)化推廣工作,曾先后開展InAs/GaAs量子阱&量子點、Ge/Si量子點、鍺基合金、Ge單晶、InAs單晶、GaAs單晶和GaSb單晶等多種新型半導(dǎo)體材料技術(shù)研發(fā)。主持國家自然科學(xué)基金、云南省應(yīng)用基礎(chǔ)研究重點、教育部科學(xué)研究重點以及云南省重大科技計劃專項子課題等重大科研任務(wù)16項。以第一和通訊作者發(fā)表高水平SCI論文90余篇,代表性論文刊登在Adv. Mater., J. Energy Chem., ACS Photonics, Small和Nano Lett.等國際頂級期刊上。共獲得中國發(fā)明專利授權(quán)17項。先后 4 次獲得云南省科學(xué)技術(shù)獎勵特等獎、一等獎和二等獎。入選云南省引進高層次人才、云南省中青年學(xué)術(shù)技術(shù)帶頭人、云南省萬人計劃和云南省產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新人才,擔(dān)任《紅外技術(shù)》期刊青年編委、中國微米納米技術(shù)學(xué)會以及中國材料研究學(xué)會的青年工作委員會理事。

單位簡介

云南大學(xué)光電子與能源材料團隊一直圍繞非制冷探測材料與器件、Si基光電器件、鈣鈦礦太陽電池與探測器、III-V族晶片及紅外探測材料開展研究,形成了一支富有創(chuàng)新力的研究團隊,承擔(dān)了多項國家自然科學(xué)基金項目和云南省重大科技專項項目,在光電材料和器件的研究方面分別獲得了云南省科學(xué)技術(shù)獎自然科學(xué)類一和二等獎。?

云南中科鑫圓晶體材料有限公司是一家專業(yè)從事低位錯、高性能空間太陽能電池用鍺單晶材料的國家高新技術(shù)企業(yè),是國內(nèi)最大的鍺單晶襯底片生產(chǎn)企業(yè)。公司先后承擔(dān)了國家、省部級重大專項15余項。公司獲得國家級專精特新“小巨人”、國家級“綠色工廠”榮譽;獲得授權(quán)專利44件,主持/參與制定13項國家標(biāo)準(zhǔn)。通過科技成果轉(zhuǎn)化,空間衛(wèi)星太陽能電池用鍺單晶襯底片產(chǎn)品實現(xiàn)了國產(chǎn)化替代、填補了國內(nèi)空白。

報告前瞻

報告題目:GaSb基異質(zhì)薄膜的磁控濺射生長機理及其光電探測性能研究

報告摘要:GaSb與InAs因其高的光吸收系數(shù)和載流子遷移率以及易形成II型能帶結(jié)構(gòu)等特性,在光電探測器應(yīng)用領(lǐng)域引起極大關(guān)注。然而,MBE和CVD法因制備的高成本限制了器件的應(yīng)用。磁控濺射法作為物相沉積法具有高濺射速率、規(guī)?;?、低成本的優(yōu)點,對于GaSb基光電子器件應(yīng)用具有廣闊的潛力。由于GaSb與InAs薄膜的晶格常數(shù)相匹配,采用GaSb襯底進行InAs薄膜的外延可以極大幅度降低薄膜內(nèi)的缺陷與位錯數(shù)量。綜上,本團隊利用GaSb襯底晶格常數(shù)與InAs材料晶格常數(shù)相近的特點,通過磁控濺射法,制備了GaSb薄膜材料作為緩沖層,開展了非晶GaSb薄膜退火晶化研究,通過分析生長參數(shù)對于GaSb薄膜結(jié)晶與退火晶化的影響,制備了高質(zhì)量、均勻平整的GaSb薄膜。首次通過磁控濺射法在GaSb襯底表面外延出(111)取向的多晶InAs薄膜,通過探究InAs薄膜退火氧化效應(yīng)的影響,采用磁控儀在襯底解析溫度以制備出大晶粒尺寸、低晶界密度的InAs薄膜。磁控共濺射法制備GaInAsSb薄膜,并研究了不同生長溫度的影響。為磁控濺射法生長Ⅲ-Ⅴ族半導(dǎo)體薄膜開辟了新的研究途徑。?

?附會議信息:?

【會議時間】?2025年9月26-28日

【會議地點】云南·昆明?

【指導(dǎo)單位】

? 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟(CASA)

? 中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟(CSA)

【主辦單位】

? 云南臨滄鑫圓鍺業(yè)股份有限公司

?極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)(www.huizhouyinshua.cn)

?半導(dǎo)體照明網(wǎng)(www.china-led.net)

?第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

【承辦單位】

云南鑫耀半導(dǎo)體材料有限公司

北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司

【支持單位】

賽迪智庫集成電路研究所

?中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所

?云南大學(xué)

?山東大學(xué)

?云南師范大學(xué)

?昆明理工大學(xué)

?晶體材料全國重點實驗室

.....

【關(guān)鍵材料】

1、鍺、硅、砷化鎵、磷化銦等半導(dǎo)體材料生長與加工關(guān)鍵技術(shù)、器件工藝及應(yīng)用研究;

2、氮化鎵、碳化硅等第三代半導(dǎo)體材料生長與加工關(guān)鍵技術(shù)、器件工藝及應(yīng)用研究;

3、氮化鋁、金剛石、氧化鎵等超寬禁帶半導(dǎo)體材料生長與加工關(guān)鍵技術(shù)、器件工藝及應(yīng)用研究;

【主要方向】

1.化合物半導(dǎo)體單晶與外延材料

(砷化鎵,磷化銦,氮化鎵,碳化硅,氮化鋁,氧化鎵,氮化硼,藍寶石,鈮酸鋰等晶體、外延生長及模擬設(shè)計等)

2. 硅、高純鍺及鍺基材料

(大硅片生長及及應(yīng)用,直拉法或區(qū)熔法等單晶生長,原料提純,GeSi、GeSn、GeC 等多元單晶薄膜,切片與機械拋光,摻雜調(diào)控離子注入等)?

3.高純金屬、原輔料制備及晶體外延生長與加工關(guān)鍵裝備

(高純前驅(qū)體,高純試劑,高純氣體,高純粉體, 長晶爐,MOCVD, ?MBE, LPE,PVT 等外延生長裝備,Mo源,MBE 源, 石墨,切割,研磨及拋光設(shè)備與材料,檢測設(shè)備等)

4.測試評價及AI for Science

(AI 驅(qū)動的測試評價革新, 缺陷工程與摻雜策略、晶體生長智能調(diào)控、缺陷實時檢測與修復(fù),多尺度建模,綠色制造優(yōu)化 等)

5.光電子器件工藝與應(yīng)用

(發(fā)光二極管,激光二極管,光電探測器件,太陽能電池,照明與顯示,激光雷達,光通信,量子技術(shù)等)

6.通訊射頻器件工藝與應(yīng)用

(功率放大器,低噪聲放大器,濾波器,開關(guān)器件,移動通信,衛(wèi)星通信,低空飛行器,無人機,射頻能量等)

7.能源電子及應(yīng)用

(風(fēng)電&光伏&儲能新能源,電動汽車,數(shù)據(jù)中心,工業(yè)電源,電機節(jié)能,軌道交通,智能電網(wǎng),航空航天,工業(yè)控制,變頻家電,消費電子,儀器儀表等)

8.綠色廠務(wù)及質(zhì)量管控

(潔凈廠房,高純水制備,化學(xué)品供應(yīng),特氣供應(yīng),廢氣處理及排放,廢液處理,大宗氣體供應(yīng)及質(zhì)量管控等)

【程序委員會】

大會主席:惠峰 (云南鍺業(yè))

副主席:陳秀芳(山東大學(xué))、趙璐冰(CASA)

委員:趙德剛(中科院半導(dǎo)體所)、康俊勇(廈門大學(xué))、 徐寶強(昆明理工)、皮孝東(浙江大學(xué))、耿博(CASA)、王軍喜(中科院半導(dǎo)體所)、孫錢(中科院蘇州納米所)、王垚浩(南砂晶圓)、 涂潔磊(云師大)、王宏興(西交大)、彭燕(山東大學(xué))、李強(西交大)、寧靜(西電)、修向前(南京大學(xué))、郭杰(云師大)、王茺(云南大學(xué))、邱峰(云南大學(xué))、楊杰(云南大學(xué))、謝自力(南京大學(xué))、葛振華(昆明理工大學(xué))、田陽(昆明理工大學(xué))、魏同波(中科院半導(dǎo)體所)、許福軍(北京大學(xué))、徐明升(山東大學(xué))、孫海定(中國科學(xué)技術(shù)大學(xué))、田朋飛(復(fù)旦大學(xué))、劉玉懷(鄭州大學(xué))、朱振(浪潮華光)、楊曉光(中科院半導(dǎo)體所)、高娜(廈門大學(xué))、陳飛宏(云南鍺業(yè))、康森(天通控股)、解楠(賽迪研究院?)、房玉龍(中電科十三所)、鄧家云(昆明理工大學(xué))、李寶學(xué)(云鍺紅外) ......等

【日程安排】

日程

【擬參與單位】

中科院半導(dǎo)體所、鑫耀半導(dǎo)體,南砂晶圓,藍河科技,天通控股,中電科十三所,南京大學(xué),廈門大學(xué),士佳光子,云鍺紅外,昆明理工大學(xué),西安電子科技大學(xué),中科院物理所,中電科四十八所,陜西源杰,九峰山實驗室,中微公司,矢量集團,晶盛機電,連科半導(dǎo)體,晶澳太陽能? 美科太陽能 高景太陽能? ?中研科精密 華夏芯智慧光子,國聯(lián)萬眾,凝慧電子,晶湛半導(dǎo)體,英諾賽科,中光睿華,連城數(shù)控,云南大學(xué),阿特斯陽光電力,山東大學(xué),云南師范大學(xué),中科院技物所,隆基電磁, 晶鎵半導(dǎo)體,南砂晶圓、西安聚能超導(dǎo),蘇州納維,中科院物理所,浙江大學(xué),云南鍺業(yè),通美晶體,三安光電,電子科技大學(xué),深圳平湖實驗室,中科院長春光機所,廣東工業(yè)大學(xué),南方科技大學(xué), 隆基綠能,合盛硅業(yè),中光睿華,復(fù)旦大學(xué),中國科學(xué)技術(shù)大學(xué), 西安交通大學(xué),江蘇第三代半導(dǎo)體研究院, 光迅科技,鎵和半導(dǎo)體 全磊光電 新易盛? 昆明物理所,科友半導(dǎo)體,STR,河北同光,香港科技大學(xué),深圳納設(shè) 中科院蘇州納米所,中科院上海光機所,哈工大等等?

【活動參與】

1、注冊費:會議通票2800元;早鳥票:9月20日前注冊報名2600元;(含會議資料袋,9月27日午餐、晚宴,9月28日午餐等 )。

2、繳費方式:

①銀行匯款

開戶行:中國銀行北京科技會展中心支行

賬 號:336 356 029 261

名 稱:北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司?

②在線注冊

報名二維碼

掃碼注冊報名

③現(xiàn)場繳費(微信+支付寶)

【論文投稿及報告咨詢】

賈老師:18310277858,jiaxl@casmita.com?

李老師:18601994986,linan@casmita.com?

【參會參展及商務(wù)合作】

賈先生:18310277858,jiaxl@casmita.com?

張女士:13681329411,zhangww@casmita.com?

【會議酒店】

酒店名稱:昆明億壕城堡溫德姆至尊酒店

酒店地址:中國(云南)自由貿(mào)易試驗區(qū)昆明片區(qū)經(jīng)開區(qū)楓丹白露花園

協(xié)議價格:430元/晚(含雙早)

酒店預(yù)定聯(lián)系: 陳經(jīng)理,13759452505(微信同號)

郵箱:13759452505@139.com

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