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2025云南晶體大會(huì)前瞻|北方華創(chuàng)楊牧龍:化合物半導(dǎo)體外延設(shè)備及工藝解決方案

詳細(xì)日程出爐！2025新一代半導(dǎo)體晶體材料技術(shù)及應(yīng)用大會(huì)9月26-28日昆明召開(kāi)！

2025云南晶體大會(huì)前瞻|甬江實(shí)驗(yàn)室陳荔:氮化鋁半極性面外延調(diào)控及其在深紫外LED中的應(yīng)用

2025云南晶體大會(huì)前瞻|山東大學(xué)楊祥龍：8/12英寸碳化硅單晶襯底材料的研究進(jìn)展

2025云南晶體大會(huì)前瞻|仕佳光子黃永光：CW DFB激光器研究進(jìn)展

2025云南晶體大會(huì)前瞻|國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（蘇州）梁劍波：GaAs與Si及GaN的常溫異質(zhì)接合研究

2025云南晶體大會(huì)前瞻|北京大學(xué)王新強(qiáng)：氮化物半導(dǎo)體的大失配外延及其器件研究

2025云南晶體大會(huì)前瞻|昆明物理研究所董衛(wèi)民：紅外探測(cè)用半導(dǎo)體單晶材料研究

2025云南晶體大會(huì)前瞻|?鑫耀半導(dǎo)體劉漢保：基于VGF法的低氧含量半絕緣砷化鎵單晶生長(zhǎng)工藝優(yōu)化及電學(xué)性質(zhì)研究

2025云南晶體大會(huì)前瞻|?云南鍺業(yè)惠峰：鍺、三五族化合物半導(dǎo)體單晶生長(zhǎng)技術(shù)和產(chǎn)業(yè)發(fā)展

2025云南晶體大會(huì)前瞻|?廈門(mén)大學(xué)梅洋：GaN基VCSEL技術(shù)進(jìn)展

2025云南晶體大會(huì)前瞻|?中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體所沈桂英：InP、GaSb與InAs單晶生長(zhǎng)、襯底制備及缺陷研究進(jìn)展

2025云南晶體大會(huì)前瞻|?山東大學(xué)陳秀芳：碳化硅單晶材料技術(shù)及應(yīng)用

2025云南晶體大會(huì)前瞻|?北京大學(xué)孫棟：外爾半導(dǎo)體Te--新一代中紅外半導(dǎo)體器件材料

2025云南晶體大會(huì)前瞻|?中國(guó)科學(xué)院長(zhǎng)春光機(jī)所蔣科：基于三族氮化物半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)的光憶阻器研究

2025新一代半導(dǎo)體晶體材料技術(shù)及應(yīng)用大會(huì)將于9月26-28日在昆明召開(kāi)

報(bào)告搶先看|“2025新一代半導(dǎo)體晶體材料技術(shù)及應(yīng)用大會(huì)”將于9月昆明召開(kāi)

2025云南晶體大會(huì)前瞻| 劉紀(jì)美院士：用于集成的硅基III-V器件

2025云南晶體大會(huì)前瞻| 富加鎵業(yè)陳端陽(yáng)：氧化鎵單晶襯底及外延技術(shù)研發(fā)進(jìn)展

2025云南晶體大會(huì)前瞻|路明科技集團(tuán)肖志國(guó)：固體發(fā)光技術(shù)引領(lǐng)產(chǎn)業(yè)變革

2025云南晶體大會(huì)前瞻|中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體所徐馳：從氣體源到器件：面向下一代信息技術(shù)的硅-鍺-錫類半導(dǎo)體全流程研究

2025云南晶體大會(huì)前瞻|同光半導(dǎo)體王巍：挑戰(zhàn)與機(jī)遇并存 -- 碳化硅材料市場(chǎng)發(fā)展現(xiàn)狀及展望

2025云南晶體大會(huì)前瞻|西安電子科技大學(xué)陶鴻昌：氧化鎵異質(zhì)外延成核調(diào)控及肖特基二極管（SBD）勢(shì)壘均勻性研究

2025云南晶體大會(huì)前瞻|廈門(mén)大學(xué)盧衛(wèi)芳：GaN/InGaN基核-殼納米結(jié)構(gòu)選區(qū)外延及其Micro-LED器件制備研究

2025云南晶體大會(huì)前瞻|廣東工業(yè)大學(xué)張紫輝：GaN功率半導(dǎo)體器件仿真建模與制備研究

2025云南晶體大會(huì)前瞻|中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體所張韻：鎵體系半導(dǎo)體材料與集成電路發(fā)展展望

2025云南晶體大會(huì)前瞻|中電科第四十八研究所謝添樂(lè)：寬禁帶化合物半導(dǎo)體外延關(guān)鍵裝備解決方案

2025云南晶體大會(huì)前瞻|北京大學(xué)王嘉銘：III族氮化物AlGaN基紫外發(fā)光器件結(jié)構(gòu)堆垛研究

2025云南晶體大會(huì)前瞻|云南大學(xué)楊杰：III-V族和IV族半導(dǎo)體晶片及其外延材料的缺陷溯源分析

2025云南晶體大會(huì)前瞻|鑫耀半導(dǎo)體韋華：VGF法磷化銦熱場(chǎng)優(yōu)化控制對(duì)單晶缺陷形成的影響

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