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刷新紀(jì)錄！鄭州大學(xué)實(shí)現(xiàn)大尺寸高質(zhì)量金剛石激光晶體批量生長(zhǎng)

大連理工大學(xué)團(tuán)隊(duì)：通過提高晶體質(zhì)量增強(qiáng) β-Ga?O? 薄膜的光電突觸可塑性

長(zhǎng)光華芯“半導(dǎo)體光子晶體發(fā)光結(jié)構(gòu)及其制備方法”專利公布

廣州南砂晶圓申請(qǐng)用于PVT法生長(zhǎng)碳化硅單晶的裝料裝置及應(yīng)用專利，有效提高所制得碳化硅晶體的質(zhì)量

中國(guó)科學(xué)院提出新型平面型面發(fā)光有機(jī)發(fā)光晶體管器件結(jié)構(gòu)

蘇州無熱芯陽半導(dǎo)體申請(qǐng)新型襯底及其氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管專利

投資100億！高溫超導(dǎo)硅單晶設(shè)備及晶體生產(chǎn)項(xiàng)目開工！

中國(guó)科大楊樹教授和龍世兵教授課題組在垂直型GaN功率晶體管研究方向取得重要進(jìn)展

總投資5.2億！爍科晶體二期項(xiàng)目，全面投產(chǎn)

鎵仁半導(dǎo)體氧化鎵單晶生長(zhǎng)突破性成果在晶體領(lǐng)域頂刊Crystal Growth & Design上發(fā)表

金剛石基晶體管，里程碑突破！

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爍科晶體：全球首發(fā)12英寸（300mm）高純半絕緣碳化硅襯底

杭州鎵仁半導(dǎo)體氧化鎵襯底技術(shù)突破，助力客戶實(shí)現(xiàn)2400V增強(qiáng)型晶體管

上海天岳申請(qǐng)一種三維方向應(yīng)力分布均勻的SiC襯底及SiC晶體專利，提高SiC襯底質(zhì)量

晶體材料及元器件廠商飛銳特完成數(shù)千萬元A輪融資

萬國(guó)半導(dǎo)體申請(qǐng)用于功率 MOSFET 的凹陷型多晶硅 ESD 二極管專利，保護(hù)功率晶體管免受高電壓 ESD 事件影響

上海燁映微電子申請(qǐng) GaN 晶體管與柵極驅(qū)動(dòng)器合封專利，實(shí)現(xiàn)高頻能力

上海積塔半導(dǎo)體申請(qǐng)?zhí)蓟?span id="74xdvft" class="highlight">晶體管結(jié)構(gòu)及其制備方法專利，有效降低器件VFSD

廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)取得交流電阻加熱器及SiC單晶生長(zhǎng)裝置專利，提高晶體生長(zhǎng)速度且有助于4H?SiC晶型穩(wěn)定

爍科晶體SiC二期項(xiàng)目通過竣工驗(yàn)收，正式投產(chǎn)！

予秦半導(dǎo)體晶體材料研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目環(huán)評(píng)公示

江蘇集芯申請(qǐng)大尺寸碳化硅晶體生長(zhǎng)坩堝及生長(zhǎng)裝置專利，保證晶體中心位置和外側(cè)邊緣的生長(zhǎng)速率相一致

華芯紫辰半導(dǎo)體化合物晶體產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目落地

山西華芯半導(dǎo)體晶體材料產(chǎn)業(yè)基地二期基建完成

華芯紫辰半導(dǎo)體化合物晶體產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目落地紅寺堡

河北同光半導(dǎo)體取得SiC專利，實(shí)現(xiàn)將源于生長(zhǎng)區(qū)石墨件腐蝕引起的包裹物分布控制在晶體邊緣

上海漢虹8英寸碳化硅晶體成功出爐

北方華創(chuàng)“碳化硅晶體生長(zhǎng)裝置”專利公布

北美科學(xué)家研發(fā)出一種新型超薄晶體薄膜半導(dǎo)體

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