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深圳平湖實(shí)驗(yàn)室與西安理工大學(xué)合作在SiC光控晶體管研制方面取得新進(jìn)展

標(biāo)準(zhǔn) | 《氮化鎵高電子遷移率晶體管閾值電壓測(cè)試　脈沖電壓法》立項(xiàng)

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|英飛凌宋清亮：基于英飛凌GaN晶體管的高壓直流中間總線變換器的參考設(shè)計(jì)

中國科學(xué)院微電子所研發(fā)成功互補(bǔ)單晶硅垂直溝道晶體管（CVFET）

中國科學(xué)家首創(chuàng)“蒸籠”方法“長出”高性能晶體管新材料

日本先進(jìn)半導(dǎo)體制造商Rapidus啟動(dòng)2nm GAA晶體管試制，首塊晶圓亮相

深圳平湖實(shí)驗(yàn)室成功制備國內(nèi)首個(gè)氮化鋁/富鋁鎵氮高電子遷移率晶體管

氮矽科技推出TOLL封裝的增強(qiáng)型硅基氮化鎵（GaN）晶體管

中國科學(xué)院提出新型平面型面發(fā)光有機(jī)發(fā)光晶體管器件結(jié)構(gòu)

蘇州無熱芯陽半導(dǎo)體申請(qǐng)新型襯底及其氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管專利

中國科大楊樹教授和龍世兵教授課題組在垂直型GaN功率晶體管研究方向取得重要進(jìn)展

金剛石基晶體管，里程碑突破！

杭州鎵仁半導(dǎo)體氧化鎵襯底技術(shù)突破，助力客戶實(shí)現(xiàn)2400V增強(qiáng)型晶體管

萬國半導(dǎo)體申請(qǐng)用于功率 MOSFET 的凹陷型多晶硅 ESD 二極管專利，保護(hù)功率晶體管免受高電壓 ESD 事件影響

上海燁映微電子申請(qǐng) GaN 晶體管與柵極驅(qū)動(dòng)器合封專利，實(shí)現(xiàn)高頻能力

上海積塔半導(dǎo)體申請(qǐng)?zhí)蓟?span id="m4fsbjq" class="highlight">晶體管結(jié)構(gòu)及其制備方法專利，有效降低器件VFSD

CSPSD 2024成都前瞻|上海大學(xué)任開琳：一種新型氮化鎵基發(fā)光高電子遷移率晶體管

北京大學(xué)申請(qǐng)p溝道氮化鎵異質(zhì)結(jié)晶體管及其制備方法專利，實(shí)現(xiàn)電流密度的增加

西電郝躍院士團(tuán)隊(duì)在超陡垂直晶體管器件研究方面取得重要進(jìn)展

器件新突破！香港科技大學(xué)教授陳敬團(tuán)隊(duì)成功研制一種融合氮化鎵和碳化硅二者優(yōu)點(diǎn)的實(shí)驗(yàn)晶體管！

金剛石基板上的GaN晶體管，散熱性能提高2.3倍

IFWS 2023│華南師范大學(xué)尹以安：具復(fù)合柵極和階梯結(jié)構(gòu)的新型GaN垂直晶體管研究

IFWS 2023│臺(tái)灣成功大學(xué)李清庭：GaN基單片電子器件的集成互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體D模和E模高電子遷移率晶體管

湖南大學(xué)物電院劉淵教授團(tuán)隊(duì)在小尺寸晶體管研究中取得新進(jìn)展

山東大學(xué)徐明升：金剛石場(chǎng)效應(yīng)晶體管及深紫外光電探測(cè)研究

西安交通大學(xué)王瑋：低功函數(shù)柵極增強(qiáng)型氫終端單晶金剛石場(chǎng)效應(yīng)晶體管研究

CASICON西安站前瞻|西安交通大學(xué)王瑋：低功函數(shù)柵極增強(qiáng)型氫終端單晶金剛石場(chǎng)效應(yīng)晶體管研究

MXene范德華接觸在氮化鎵高電子遷移率晶體管中的應(yīng)用

實(shí)現(xiàn)1>1+1的創(chuàng)新！Wolfspeed 碳化硅基氮化鎵功率晶體管，賦能蜂窩通信創(chuàng)新

中國科大龍世兵課題組研制出氧化鎵垂直槽柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管

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