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CSPSD 2025前瞻|?深圳大學劉新科：低成本GaN基GaN功率器件

CSPSD 2025前瞻| 西安電子科技大學趙勝雷：GaN HEMT器件擊穿機理多維度分析與探討

CSPSD 2025前瞻|西安電子科技大學宋慶文：高性能SiC功率器件關鍵技術研究進展

AI驅動產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新，從材料/器件到EDA/設備的多維探索

CSPSD 2025前瞻|江南大學黃偉：高性能宇航級SGT功率器件與輻照模型研究

江南大學成果推介:氮化鎵微波功率器件

總投資超50億元，中低壓功率器件產(chǎn)業(yè)化（株洲）建設項目封頂

CSPSD 2025前瞻|南京大學周峰：氮化鎵功率器件輻射效應與加固技術研究

CSPSD 2025前瞻|南京大學葉建東：氧化鎵異質結構與器件

CSPSD 2025前瞻|愛發(fā)科王鶴鳴：面向功率器件制造的先進離子注入解決方案的集成工藝與創(chuàng)新

最新報告嘉賓公布！2025功率半導體器件與集成電路會議（CSPSD2025）

CSPSD 2025前瞻|北京大學魏進：GaN功率器件動態(tài)電阻與動態(tài)閾值電壓

中國科學院微電子所在碳硅三維異質集成器件上取得進展

CSPSD 2025前瞻|熾芯微電子朱正宇：功率器件封裝技術的發(fā)展及展望

中國科學院寧波材料技術與工程研究所郭煒研究員在GaN HEMT器件研究中取得新進展

CSPSD 2025前瞻|中國科學院微電子所黃森：高可靠GaN基MIS-HEMT功率器件與集成

中國科學院半導體研究所光電子材料與器件全國重點實驗室誠邀全球英才加盟

標準 |“GaN HEMT DHTOL、功率器件用硅襯底GaN HEMT外延片”2項標準形成征求意見稿

CSPSD 2025前瞻| 電子科技大學喬明：用于XPU供電的DrMOS器件發(fā)展趨勢與技術挑戰(zhàn)

瑤芯微申請溝槽型MOSFET器件結構及其制備方法專利，降低器件動態(tài)損耗

國家工程研究中心最新突破：磁控濺射AlN覆蓋層提升p-GaN HEMT器件性能

重慶萬國半導體申請溝槽型功率半導體器件及其制備方法專利，提高開關速度與線性區(qū)能力

蘇州晶湛半導體申請發(fā)光器件相關專利，提高了發(fā)光器件生產(chǎn)良率

三安半導體“碳化硅功率器件的制備方法及其碳化硅功率器件”專利公布

廣東比亞迪節(jié)能科技申請MEMS器件及其封裝方法專利，降低主體晶圓與襯底晶圓封裝難度

MaM發(fā)表深圳大學劉新科團隊綜述文章：下一代功率器件的GaN-on-diamond技術

美國海關宣布對消費電子、服務器、半導體器件等20項商品豁免關稅

中國科學院提出新型平面型面發(fā)光有機發(fā)光晶體管器件結構

英飛凌科技申請功率半導體器件相關專利，提升功率半導體器件性能

黑龍江匯芯半導體申請集成有SiC功率器件短路保護的智能功率模塊專利，短路保護精度和效率更高

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