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2025（前灣）第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展大會暨芯片器件及應(yīng)用項目路演活動即將舉辦

2025云南晶體大會前瞻|廣東工業(yè)大學(xué)張紫輝：GaN功率半導(dǎo)體器件仿真建模與制備研究

2025云南晶體大會前瞻|北京大學(xué)王嘉銘：III族氮化物AlGaN基紫外發(fā)光器件結(jié)構(gòu)堆垛研究

SiC 新型功率 MOS 器件結(jié)構(gòu)以及柵驅(qū)動電路的設(shè)計與研究

2025云南晶體大會前瞻|西安電子科技大學(xué)寧靜：超寬禁帶半導(dǎo)體范德華異質(zhì)結(jié)構(gòu)及器件研究

英諾賽科宣布第三代700V GaN增強型氮化鎵功率器件系列全面上市

深圳大學(xué)寬禁帶半導(dǎo)體功率器件劉新科研究員團隊：通過PEALD-GaO?界面工程實現(xiàn)高性能垂直氮化鎵MOS電容器

碳化硅功率器件的性能與應(yīng)用前景-國晶微半導(dǎo)體

派瑞股份與西電所簽署合作協(xié)議，研發(fā)制造中高壓IGBT功率器件

標(biāo)準(zhǔn) | 《用于HEMT功率器件的硅襯底氮化鎵外延片》發(fā)布

智能光子器件封裝測試平臺的國際公開招標(biāo)公告

新潔能延期包括第三代半導(dǎo)體SiC/GaN功率器件及封測等三個募投項目

中國科學(xué)院蘇州納米所陸書龍團隊在氮化鎵基單片集成器件領(lǐng)域取得進展

半導(dǎo)體器件設(shè)備制造商芯空宇澤獲天使輪融資

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北京大學(xué)許福軍、沈波團隊成功實現(xiàn)高性能中波紫外發(fā)光器件制備

年產(chǎn)120萬只！浙江萃錦半導(dǎo)體器件項目在慈溪高新區(qū)正式開工

鎵未來完成億元級B++輪融資，專注氮化鎵功率器件研發(fā)

九峰山實驗室新型SiC Trench MOSFET科研級器件樣品發(fā)布！

中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)在水陸兩棲紫外光電器件領(lǐng)域取得重要進展

北京大學(xué)在IEEE ISPSD發(fā)表2項寬禁帶半導(dǎo)體功率器件重要技術(shù)進展

重磅議程更新 | IPF 2025功率器件制造測試與應(yīng)用大會最新議程揭曉，速來圍觀！

廣東致能：全球首發(fā)硅基垂直 GaN HEMT 功率器件技術(shù)

標(biāo)準(zhǔn)/“GaN HEMT開關(guān)可靠性試驗、功率器件用硅襯底GaN外延片”2項標(biāo)準(zhǔn)形成委員會草案

中科院微電子所黃森、劉新宇團隊在GaN外延位錯傳導(dǎo)載流子及其導(dǎo)致功率電子器件可靠性退化機制方面取得重要進展

從器件突破到平臺賦能，國創(chuàng)中心構(gòu)筑產(chǎn)業(yè)協(xié)同“芯”生態(tài)

銀河微電擬3.1億擴產(chǎn)高端集成電路分立器件產(chǎn)業(yè)化項目

YOLE：2030年碳化硅功率器件市場規(guī)模將破百億美元

四部門：加快高壓碳化硅模塊、主控芯片等核心器件國產(chǎn)化替代

廈門士蘭微8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線項目（一期）首臺設(shè)備提前搬入

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