2025年11月11-14日，第十一屆國際第三代半導體論壇（IFWS）&第二十二屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA）將于廈門召開。 屆時，北京大學助理教授王平將受邀出席論壇，并帶來《新興纖鋅礦氮化物鐵電半導體材料與器件》的主題報告，敬請關注！

嘉賓簡介

王平，北京大學物理學院助理教授，自2023年起任職于此。2017年在北京大學凝聚態(tài)物理專業(yè)獲得博士學位。2018年至2023年間，擔任密歇根大學安娜堡分校博士后研究員。其研究方向聚焦于氮化物基寬禁帶半導體及新型III-V族鐵電半導體的開發(fā)。 

報告摘要

將鈧（Sc）融入傳統(tǒng)III族氮化物半導體中，可使其轉變?yōu)榫哂锌汕袚Q極化特性的鐵電材料，并顯著提升電學、壓電及非線性光學性能。這些獨特特性與可調(diào)諧的超寬禁帶特性相結合，使ScAlN成為未來高功率、高頻及高溫電子器件、聲學諧振器與濾波器、微/納機電系統(tǒng)（MEMS）、神經(jīng)形態(tài)計算及邊緣計算/智能領域最具前景的半導體材料之一。為了提高潛力，研究開發(fā)了獨特的外延工藝，通過使用等離子體輔助分子束外延技術實現(xiàn)高質(zhì)量的單晶纖鋅礦相ScAlN。在外延生長的ScAlN/GaN異質(zhì)結構中實現(xiàn)了原子光滑的表面、突變的界面和低雜質(zhì)密度。此外，將展示完全外延的鐵電ScAlN/GaN異質(zhì)結構，表現(xiàn)出大、穩(wěn)定和均勻的殘余極化和矯頑場。詳細的微觀分析明確證實，施加的額外電場可以精確地調(diào)節(jié)ScAlN的生長晶格極性。極性Sc-III-N/III-N異質(zhì)結構中強大的鐵電開關和極化/帶隙工程能力，以及硅和GaN技術的完全外延異質(zhì)集成可能性，為下一代電子和光電子應用鋪平了道路。