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安森美官宣：進軍垂直氮化鎵

國博公司硅基氮化鎵功率放大器芯片在智能移動終端實現(xiàn)量產應用

安森美發(fā)布垂直氮化鎵（GaN）半導體：為人工智能（AI）與電氣化領域帶來突破性技術

IFWS&SSLCHINA 2025：氮化物材料生長及光電技術分會最新報告出爐！

標準 | 《氮化鎵高電子遷移率晶體管閾值電壓測試　脈沖電壓法》立項

IFWS2025：氮化物半導體固態(tài)紫外技術及應用分會最新報告出爐！

東微半導體與晶湛半導體攜手推進12英寸氮化鎵（GaN）功率器件研發(fā)和應用

最新報告出爐！IFWS2025:氮化鎵功率電子及封裝技術論壇——驅動能效革命，賦能AI芯動力

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|航芯源呂曉峰：功率氮化鎵器件在宇航電源領域的機遇與挑戰(zhàn)

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|名古屋大學王嘉：通過鎂插層增強氮化鎵中的P型摻雜、接觸性能和器件性能

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|北京大王平：新興纖鋅礦氮化物鐵電半導體材料與器件

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|大連理工大學黃火林：氮化鎵高壓增強型功率器件與可靠性技術進展

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|山東大學劉超：垂直氮化物功率器件

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|波蘭科學院高壓物理研究所Piotr Perlin：氮化物激光二極管-挑戰(zhàn)和解決方案

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|中國科學技術大學孫海定：基于Ⅲ族氮化物的微型紫外光譜成像儀

年產值2.3億元，氮化鎵單晶襯底項目，已全面達產

2025云南晶體大會前瞻|山東大學張雷 :大尺寸氮化鎵和氮化鋁晶體生長研究新進展

2025云南晶體大會前瞻|甬江實驗室陳荔:氮化鋁半極性面外延調控及其在深紫外LED中的應用

2025云南晶體大會前瞻|北京大學王新強：氮化物半導體的大失配外延及其器件研究

國新辦發(fā)布會肯定成都科創(chuàng)成果，實驗室全球首個氮化鎵量子光源芯片獲工信部點名

2025云南晶體大會前瞻|?中國科學院長春光機所蔣科：基于三族氮化物半導體異質結的光憶阻器研究

2025云南晶體大會前瞻|北京大學王嘉銘：III族氮化物AlGaN基紫外發(fā)光器件結構堆垛研究

2025云南晶體大會前瞻|南京大學修向前：氮化鎵襯底生長工藝及設備技術研究

英諾賽科宣布第三代700V GaN增強型氮化鎵功率器件系列全面上市

2025云南晶體大會前瞻| 中國電子信息產業(yè)發(fā)展研究院解楠：氮化鋁寬禁帶材料發(fā)展現(xiàn)狀及技術演進趨勢研究

標準 | 《用于HEMT功率器件的硅襯底氮化鎵外延片》發(fā)布

鎵未來完成億元級B++輪融資，專注氮化鎵功率器件研發(fā)

英諾賽科與聯(lián)合電子成立氮化鎵 (GaN) 技術聯(lián)合實驗室致力于新能源汽車電力電子系統(tǒng)開發(fā)

氮化鎵半導體智能制造項目暨芯片綜合配套項目簽約

中科半導體發(fā)布氮化鎵機器人智能快充芯片

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