隨著人工智能數(shù)據(jù)中心、電動汽車等高能耗領(lǐng)域的能源需求激增，安森美半導(dǎo)體（Onsemi）推出垂直氮化鎵（vGaN）功率半導(dǎo)體，為相關(guān)領(lǐng)域的功率密度、效率和耐用性樹立新標(biāo)桿。這款新一代 GaN-on-GaN 功率器件采用垂直導(dǎo)電設(shè)計(jì)，電流可垂直流經(jīng)化合物半導(dǎo)體，能實(shí)現(xiàn)更高工作電壓與更快開關(guān)頻率，既達(dá)到節(jié)能效果，還能為人工智能數(shù)據(jù)中心、電動汽車、可再生能源及航空航天、國防等領(lǐng)域打造更小巧輕便的系統(tǒng)。

作為突破性功率半導(dǎo)體技術(shù)，vGaN 由安森美半導(dǎo)體紐約州錫拉丘茲晶圓廠研發(fā)制造，公司擁有超 130 項(xiàng)全球?qū)＠?，覆蓋基礎(chǔ)工藝、器件設(shè)計(jì)、制造及系統(tǒng)創(chuàng)新等核心環(huán)節(jié)。相較于商用 GaN 常用的橫向結(jié)構(gòu)，vGaN 直接在 GaN 襯底上生長 GaN，電流可穿透芯片而非僅流過表面，不僅電流密度和工作電壓優(yōu)于橫向 GaN 器件，開關(guān)頻率也超過硅或碳化硅（SiC）產(chǎn)品。

安森美半導(dǎo)體企業(yè)戰(zhàn)略高級副總裁 Dinesh Ramanathan 表示，vGaN 技術(shù)將重塑行業(yè)格局，鞏固公司在能效與創(chuàng)新領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。當(dāng)下，電動汽車、可再生能源及 AI 數(shù)據(jù)中心等場景的電力需求增長遠(yuǎn)超高效發(fā)電與輸電能力，節(jié)能已成為技術(shù)進(jìn)步的關(guān)鍵考量。vGaN 技術(shù)的推出，為客戶提供了追求卓越性能的核心工具，也讓安森美在以能效和功率密度為核心競爭點(diǎn)的未來中占據(jù)引領(lǐng)地位。